公开(公告)号：TWI528568B

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW101133195

申请日：2012-09-11

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC.

Inventor： 哈尼 傑森 派崔克 ,  HENNING, JASON PATRICK ,  張清純 ,  ZHANG, QINGCHUN ,  柳世衡 ,  RYU, SEI-HYUNG ,  阿加娃 安那 ,  AGARWAL, ANANT ,  帕驀爾 約翰 威廉斯 ,  PALMOUR, JOHN WILLIAMS ,  亞倫 史考特 ,  ALLEN, SCOTT

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TW201507035A

公开(公告)日：2015-02-16

申请号：TW103131034

申请日：2012-06-27

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC.

Inventor： 達爾 薩利 ,  DHAR, SARIT ,  林成 ,  LIN, CHENG ,  柳世衡 ,  RYU, SEI-HYUNG ,  阿加娃 安那 ,  AGARWAL, ANANT ,  帕驀爾 約翰 威廉斯 ,  PALMOUR, JOHN WILLIAMS ,  麥基 艾瑞克 ,  MAKI, ERIK ,  哥爾甘斯 傑森 ,  GURGANUS, JASON ,  利騰沃納 丹尼爾 ,  LICHTENWALNER, DANIEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 本發明揭示具有提升的通道遷移率之半導體裝置的實施例及製造其之方法。在一個實施例中，該半導體裝置包括包含通道區之基板及在該基板上、該通道區上方的閘極堆疊。該閘極堆疊包括鹼土金屬。在一個實施例中，該鹼土金屬為鋇(Ba)。在另一實施例中，該鹼土金屬為鍶(Sr)。該鹼土金屬導致該半導體裝置之通道遷移率的實質改良。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示具有提升的信道迁移率之半导体设备的实施例及制造其之方法。在一个实施例中，该半导体设备包括包含信道区之基板及在该基板上、该信道区上方的闸极堆栈。该闸极堆栈包括碱土金属。在一个实施例中，该碱土金属为钡(Ba)。在另一实施例中，该碱土金属为锶(Sr)。该碱土金属导致该半导体设备之信道迁移率的实质改良。

公开(公告)号：TW201324790A

公开(公告)日：2013-06-16

申请号：TW101133195

申请日：2012-09-11

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC.

Inventor： 哈尼 傑森 派崔克 ,  HENNING, JASON PATRICK ,  張清純 ,  ZHANG, QINGCHUN ,  柳世衡 ,  RYU, SEI-HYUNG ,  阿加娃 安那 ,  AGARWAL, ANANT ,  帕驀爾 約翰 威廉斯 ,  PALMOUR, JOHN WILLIAMS ,  亞倫 史考特 ,  ALLEN, SCOTT

IPC: H01L29/872

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本發明大體上係關於一種肖特基二極體(Schottky diode)，其具有一基板、一設置在該基板上之漂移層及一設置在該漂移層之一作用區上之肖特基層(Schottky layer)。該肖特基層之金屬及該漂移層之半導體材料經選擇以在該漂移層與該肖特基層之間設置低遮障高度的肖特基接面(Schottky junction)。

Abstract in simplified Chinese: 本发明大体上系关于一种肖特基二极管(Schottky diode)，其具有一基板、一设置在该基板上之漂移层及一设置在该漂移层之一作用区上之肖特基层(Schottky layer)。该肖特基层之金属及该漂移层之半导体材料经选择以在该漂移层与该肖特基层之间设置低遮障高度的肖特基接面(Schottky junction)。

公开(公告)号：TWI501322B

公开(公告)日：2015-09-21

申请号：TW101123054

申请日：2012-06-27

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC.

Inventor： 達爾 薩利 ,  DHAR, SARIT ,  成林 ,  CHENG, LIN ,  柳世衡 ,  RYU, SEI-HYUNG ,  阿加娃 安那 ,  AGARWAL, ANANT ,  帕驀爾 約翰 威廉斯 ,  PALMOUR, JOHN WILLIAMS ,  麥基 艾瑞克 ,  MAKI, ERIK ,  哥爾甘斯 傑森 ,  GURGANUS, JASON ,  利騰沃納 丹尼爾 ,  LICHTENWALNER, DANIEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

公开(公告)号：TW201318176A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：TW101133188

申请日：2012-09-11

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC.

Inventor： 哈尼 傑森 派崔克 ,  HENNING, JASON PATRICK ,  張清純 ,  ZHANG, QINGCHUN ,  柳世衡 ,  RYU, SEI-HYUNG ,  阿加娃 安那 ,  AGARWAL, ANANT ,  帕驀爾 約翰 威廉斯 ,  PALMOUR, JOHN WILLIAMS ,  亞倫 史考特 ,  ALLEN, SCOTT

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一邊緣終端結構之元件(諸如多個同心保護環)為一漂移層中之有效摻雜區。為增加此等摻雜區之深度，可在該漂移層中欲形成該邊緣終端結構之該等元件的一表面中形成個別凹陷。一旦在該漂移層中形成該等凹陷後，即摻雜圍繞該等凹陷及在該等凹陷底部之此等區域以形成各別邊緣終端元件。

Abstract in simplified Chinese: 一边缘终端结构之组件(诸如多个同心保护环)为一漂移层中之有效掺杂区。为增加此等掺杂区之深度，可在该漂移层中欲形成该边缘终端结构之该等组件的一表面中形成个别凹陷。一旦在该漂移层中形成该等凹陷后，即掺杂围绕该等凹陷及在该等凹陷底部之此等区域以形成各别边缘终端组件。

公开(公告)号：TW201306138A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101123054

申请日：2012-06-27

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC. ,  美國北卡羅萊那州立大學 ,  NORTH CAROLINA STATE UNIVERSITY

Inventor： 達爾 薩利 ,  DHAR, SARIT ,  成林 ,  CHENG, LIN ,  柳世衡 ,  RYU, SEI-HYUNG ,  阿加娃 安那 ,  AGARWAL, ANANT ,  帕驀爾 約翰 威廉斯 ,  PALMOUR, JOHN WILLIAMS ,  麥基 艾瑞克 ,  MAKI, ERIK ,  哥爾甘斯 傑森 ,  GURGANUS, JASON ,  利騰沃納 丹尼爾 ,  LICHTENWALNER, DANIEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

Abstract: 本發明揭示具有提升的通道遷移率之半導體裝置的實施例及製造其之方法。在一個實施例中，該半導體裝置包括包含通道區之基板及在該基板上、該通道區上方的閘極堆疊。該閘極堆疊包括鹼土金屬。在一個實施例中，該鹼土金屬為鋇(Ba)。在另一實施例中，該鹼土金屬為鍶(Sr)。該鹼土金屬導致該半導體裝置之通道遷移率的實質改良。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示具有提升的信道迁移率之半导体设备的实施例及制造其之方法。在一个实施例中，该半导体设备包括包含信道区之基板及在该基板上、该信道区上方的闸极堆栈。该闸极堆栈包括碱土金属。在一个实施例中，该碱土金属为钡(Ba)。在另一实施例中，该碱土金属为锶(Sr)。该碱土金属导致该半导体设备之信道迁移率的实质改良。

公开(公告)号：TWI620332B

公开(公告)日：2018-04-01

申请号：TW101133188

申请日：2012-09-11

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC.

Inventor： 哈尼 傑森 派崔克 ,  HENNING, JASON PATRICK ,  張清純 ,  ZHANG, QINGCHUN ,  柳世衡 ,  RYU, SEI-HYUNG ,  阿加娃 安那 ,  AGARWAL, ANANT ,  帕驀爾 約翰 威廉斯 ,  PALMOUR, JOHN WILLIAMS ,  亞倫 史考特 ,  ALLEN, SCOTT

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/22

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/8611 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TWI578405B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW103131034

申请日：2012-06-27

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC.

Inventor： 達爾 薩利 ,  DHAR, SARIT ,  林成 ,  LIN, CHENG ,  柳世衡 ,  RYU, SEI-HYUNG ,  阿加娃 安那 ,  AGARWAL, ANANT ,  帕驀爾 約翰 威廉斯 ,  PALMOUR, JOHN WILLIAMS ,  麥基 艾瑞克 ,  MAKI, ERIK ,  哥爾甘斯 傑森 ,  GURGANUS, JASON ,  利騰沃納 丹尼爾 ,  LICHTENWALNER, DANIEL

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02288 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813

公开(公告)号：TWI536575B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：TW103127134

申请日：2014-08-07

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC.

Inventor： 帕拉 維品達斯 ,  PALA, VIPINDAS ,  阿加娃 安那 庫瑪 ,  AGARWAL, ANANT KUMAR ,  成林 ,  CHENG, LIN ,  利騰沃納 丹尼爾 珍納 ,  LICHTENWALNER, DANIEL JENNER ,  帕驀爾 約翰 威廉斯 ,  PALMOUR, JOHN WILLIAMS

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：TWI487121B

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW101133190

申请日：2012-09-11

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC.

Inventor： 哈尼 傑森 派崔克 ,  HENNING, JASON PATRICK ,  張清純 ,  ZHANG, QINGCHUN ,  柳世衡 ,  RYU, SEI-HYUNG ,  阿加娃 安那 ,  AGARWAL, ANANT ,  帕驀爾 約翰 威廉斯 ,  PALMOUR, JOHN WILLIAMS ,  亞倫 史考特 ,  ALLEN, SCOTT

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00