公开(公告)号：TW201640650A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：TW105110928

申请日：2016-04-07

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  木村肇 ,  KIMURA, HAJIME ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  後藤尚人 ,  GOTO, NAOTO ,  井口貴弘 ,  IGUCHI, TAKAHIRO ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

IPC: H01L27/105 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/044

CPC classification number: G06F3/044 ,  G06F3/0412 ,  G06F2203/04103 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/323 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本發明提供一種包括具有導電性的氧化物半導體膜的觸控面板。一種包括電晶體、第二絕緣膜以及觸控感測器的觸控面板，該觸控面板包括閘極電極、閘極絕緣膜、第一氧化物半導體膜、源極電極及汲極電極、第一絕緣膜以及第二氧化物半導體膜，第二絕緣膜設置在第二氧化物半導體膜上，使得第二氧化物半導體膜位於第一絕緣膜與第二絕緣膜之間，觸控感測器包括第一電極及第二電極，第一電極和第二電極中的任一個包括第二氧化物半導體膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种包括具有导电性的氧化物半导体膜的触摸皮肤。一种包括晶体管、第二绝缘膜以及触摸传感器的触摸皮肤，该触摸皮肤包括闸极电极、闸极绝缘膜、第一氧化物半导体膜、源极电极及汲极电极、第一绝缘膜以及第二氧化物半导体膜，第二绝缘膜设置在第二氧化物半导体膜上，使得第二氧化物半导体膜位于第一绝缘膜与第二绝缘膜之间，触摸传感器包括第一电极及第二电极，第一电极和第二电极中的任一个包括第二氧化物半导体膜。

公开(公告)号：TW201805706A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW105137935

申请日：2016-11-18

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 大野正勝 ,  OHNO, MASAKATSU ,  保本清治 ,  YASUMOTO, SEIJI ,  後藤尚人 ,  GOTO, NAOTO ,  安達廣樹 ,  ADACHI, HIROKI

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09F9/46 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

Abstract: 提供一種功耗低的顯示裝置的製造方法。該方法包括如下步驟：在基板上使用包含樹脂或樹脂前體的材料形成第一層；在第一層中形成第一區域及比該第一區域薄的第二區域；藉由在使包含氧的氣體流動的同時對第一層進行第一加熱處理，形成具有第一區域及比該第一區域薄的第二區域的第一樹脂層；在第一樹脂層上形成包括顯示元件的被剝離層；以及使被剝離層與基板分離，其中，形成被剝離層的步驟包括在第一樹脂層上的重疊於第二區域的位置形成導電層的步驟，並且，在使被剝離層與基板分離的步驟之後包括去除第一樹脂層而使導電層露出的步驟。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种功耗低的显示设备的制造方法。该方法包括如下步骤：在基板上使用包含树脂或树脂前体的材料形成第一层；在第一层中形成第一区域及比该第一区域薄的第二区域；借由在使包含氧的气体流动的同时对第一层进行第一加热处理，形成具有第一区域及比该第一区域薄的第二区域的第一树脂层；在第一树脂层上形成包括显示组件的被剥离层；以及使被剥离层与基板分离，其中，形成被剥离层的步骤包括在第一树脂层上的重叠于第二区域的位置形成导电层的步骤，并且，在使被剥离层与基板分离的步骤之后包括去除第一树脂层而使导电层露出的步骤。

公开(公告)号：TWI696265B

公开(公告)日：2020-06-11

申请号：TW105110928

申请日：2016-04-07

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  木村肇 ,  KIMURA, HAJIME ,  神長正美 ,  JINTYOU, MASAMI ,  保坂泰靖 ,  HOSAKA, YASUHARU ,  後藤尚人 ,  GOTO, NAOTO ,  井口貴弘 ,  IGUCHI, TAKAHIRO ,  黒崎大輔 ,  KUROSAKI, DAISUKE ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI

IPC: H01L27/105 ,  G02F1/1368 ,  G06F3/044