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    半導體裝置
    4.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201407782A

    公开(公告)日：2014-02-16

    申请号：TW102121959

    申请日：2013-06-20

    申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  宮本敏行 ,  MIYAMOTO, TOSHIYUKI ,  野村昌史 ,  NOMURA, MASAFUMI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

    CPC分类号： H01L29/247 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

    摘要： 在具有氧化物半導體膜的電晶體中，抑制氫及氮移動到氧化物半導體膜。此外，在使用具有氧化物半導體的電晶體形成的半導體裝置中，抑制電特性的變動而提高可靠性。本發明的一個方式包括具有氧化物半導體膜的電晶體及設置在該電晶體上的氮化絕緣膜，藉由熱脫附譜分析法，從該氮化絕緣膜釋放出的氫分子量小於5×1021分子/cm3，較佳為3×1021分子/cm3以下，更佳為1×1021分子/cm3以下，且從該氮化絕緣膜釋放出的氨分子量小於1×1022分子/cm3，較佳為5×1021分子/cm3以下，更佳為1×1021分子/cm3以下。

    简体摘要： 在具有氧化物半导体膜的晶体管中，抑制氢及氮移动到氧化物半导体膜。此外，在使用具有氧化物半导体的晶体管形成的半导体设备中，抑制电特性的变动而提高可靠性。本发明的一个方式包括具有氧化物半导体膜的晶体管及设置在该晶体管上的氮化绝缘膜，借由热脱附谱分析法，从该氮化绝缘膜释放出的氢分子量小于5×1021分子/cm3，较佳为3×1021分子/cm3以下，更佳为1×1021分子/cm3以下，且从该氮化绝缘膜释放出的氨分子量小于1×1022分子/cm3，较佳为5×1021分子/cm3以下，更佳为1×1021分子/cm3以下。

    半導體裝置
    7.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201842674A

    公开(公告)日：2018-12-01

    申请号：TW107116165

    申请日：2013-06-26

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  宮本敏行 ,  MIYAMOTO, TOSHIYUKI ,  野村昌史 ,  NOMURA, MASAFUMI ,  肥純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

    摘要： 本發明的目的之一是提供一種使用氧化物半導體的電特性變動得到抑制或者可靠性得到提高的半導體裝置。本發明的一個方式是一種具有構成通道形成區的氧化物半導體膜的半導體裝置，其中在上述氧化物半導體膜上設置用來抑制水侵入的至少含有氮的絕緣膜以及防止從該絕緣膜釋放出的氮的侵入的絕緣膜。另外，作為侵入氧化物半導體膜的水，有大氣中含有的水或包含於設置在用於抑制水的侵入的絕緣膜上的膜等中的水等。另外，作為抑制水的侵入的絕緣膜，可以使用被加熱時的氫分子的釋放量低於5.0×1021分子/cm3的氮化絕緣膜。

    简体摘要： 本发明的目的之一是提供一种使用氧化物半导体的电特性变动得到抑制或者可靠性得到提高的半导体设备。本发明的一个方式是一种具有构成信道形成区的氧化物半导体膜的半导体设备，其中在上述氧化物半导体膜上设置用来抑制水侵入的至少含有氮的绝缘膜以及防止从该绝缘膜释放出的氮的侵入的绝缘膜。另外，作为侵入氧化物半导体膜的水，有大气中含有的水或包含于设置在用于抑制水的侵入的绝缘膜上的膜等中的水等。另外，作为抑制水的侵入的绝缘膜，可以使用被加热时的氢分子的释放量低于5.0×1021分子/cm3的氮化绝缘膜。

    半導體裝置
    8.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201826545A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW107109680

    申请日：2013-04-25

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 宮本敏行 ,  MIYAMOTO, TOSHIYUKI ,  野村昌史 ,  NOMURA, MASAFUMI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

    摘要： 本發明的一個方式的目的是防止由靜電破壞引起的良率的下降提供高可靠性的半導體裝置。提供一種半導體裝置，該半導體裝置包括：閘極電極層；閘極電極層上的第一閘極絕緣層；位於第一閘極絕緣層上且具有比第一閘極絕緣層小的厚度的第二閘極絕緣層；第二閘極絕緣層上的氧化物半導體層；以及與氧化物半導體層電連接的源極電極層及汲極電極層，其中，第一閘極絕緣層為對應於在電子自旋共振法中在g值為2.003時出現的信號的自旋密度為1×1017spins/cm3以下的含有氮的矽膜，並且，第二閘極絕緣層為具有比第一閘極絕緣層低的氫濃度的含有氮的矽膜。

    简体摘要： 本发明的一个方式的目的是防止由静电破坏引起的良率的下降提供高可靠性的半导体设备。提供一种半导体设备，该半导体设备包括：闸极电极层；闸极电极层上的第一闸极绝缘层；位于第一闸极绝缘层上且具有比第一闸极绝缘层小的厚度的第二闸极绝缘层；第二闸极绝缘层上的氧化物半导体层；以及与氧化物半导体层电连接的源极电极层及汲极电极层，其中，第一闸极绝缘层为对应于在电子自旋共振法中在g值为2.003时出现的信号的自旋密度为1×1017spins/cm3以下的含有氮的硅膜，并且，第二闸极绝缘层为具有比第一闸极绝缘层低的氢浓度的含有氮的硅膜。

    半導體裝置
    10.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201843839A

    公开(公告)日：2018-12-16

    申请号：TW107128644

    申请日：2013-06-20

    申请人： 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

    发明人： 佐佐木俊成 ,  SASAKI, TOSHINARI ,  羽持貴士 ,  HAMOCHI, TAKASHI ,  宮本敏行 ,  MIYAMOTO, TOSHIYUKI ,  野村昌史 ,  NOMURA, MASAFUMI ,  肥塚純一 ,  KOEZUKA, JUNICHI ,  岡崎健一 ,  OKAZAKI, KENICHI

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/40

    摘要： 在具有氧化物半導體膜的電晶體中，抑制氫及氮移動到氧化物半導體膜。此外，在使用具有氧化物半導體的電晶體形成的半導體裝置中，抑制電特性的變動而提高可靠性。本發明的一個方式包括具有氧化物半導體膜的電晶體及設置在該電晶體上的氮化絕緣膜，藉由熱脫附譜分析法，從該氮化絕緣膜釋放出的氫分子量小於5×1021分子/cm3，較佳為3×1021分子/cm3以下，更佳為1×1021分子/cm3以下，且從該氮化絕緣膜釋放出的氨分子量小於1×1022分子/cm3，較佳為5×1021分子/cm3以下，更佳為1×1021分子/cm3以下。

    简体摘要： 在具有氧化物半导体膜的晶体管中，抑制氢及氮移动到氧化物半导体膜。此外，在使用具有氧化物半导体的晶体管形成的半导体设备中，抑制电特性的变动而提高可靠性。本发明的一个方式包括具有氧化物半导体膜的晶体管及设置在该晶体管上的氮化绝缘膜，借由热脱附谱分析法，从该氮化绝缘膜释放出的氢分子量小于5×1021分子/cm3，较佳为3×1021分子/cm3以下，更佳为1×1021分子/cm3以下，且从该氮化绝缘膜释放出的氨分子量小于1×1022分子/cm3，较佳为5×1021分子/cm3以下，更佳为1×1021分子/cm3以下。