公开(公告)号：TWI634594B

公开(公告)日：2018-09-01

申请号：TW106104370

申请日：2017-02-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖舜章 ,  LIAO, SHUN JANG ,  王淑慧 ,  WANG, SHU HUI ,  張世勳 ,  CHANG, SHIH HSUN ,  廖家駿 ,  LIAO, CHIA CHUN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

公开(公告)号：TWI559391B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW098131195

申请日：2009-09-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 賴素貞 ,  LAI, SU CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY HAK-LAY ,  沈俊良 ,  SHEN, GARY ,  廖舜章 ,  LIAO, SHUN JANG

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/12

公开(公告)号：TW201742127A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：TW106104370

申请日：2017-02-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖舜章 ,  LIAO, SHUN JANG ,  王淑慧 ,  WANG, SHU HUI ,  張世勳 ,  CHANG, SHIH HSUN ,  廖家駿 ,  LIAO, CHIA CHUN

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L27/0922 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/4966

Abstract: 半導體裝置包括：第一型通道場效電晶體，包含具有第一閘極結構的第一第一型通道場效電晶體，以及具有第二閘極結構的第二第一型通道場效電晶體。第一第一型通道場效電晶體的臨界電壓小於第二第一型通道場效電晶體的臨界電壓。第一閘極結構包含第一功函數調整材料層，且第二閘極結構包含第二功函數調整材料層。第一功函數調整材料層與第二功函數調整材料層之厚度與材料中至少一者彼此不同。

Abstract in simplified Chinese: 半导体设备包括：第一型信道场效应管，包含具有第一闸极结构的第一第一型信道场效应管，以及具有第二闸极结构的第二第一型信道场效应管。第一第一型信道场效应管的临界电压小于第二第一型信道场效应管的临界电压。第一闸极结构包含第一功函数调整材料层，且第二闸极结构包含第二功函数调整材料层。第一功函数调整材料层与第二功函数调整材料层之厚度与材料中至少一者彼此不同。

公开(公告)号：TWI534870B

公开(公告)日：2016-05-21

申请号：TW101150030

申请日：2009-05-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖舜章 ,  LIAO, SHUN JANG ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201011815A

公开(公告)日：2010-03-16

申请号：TW098115789

申请日：2009-05-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 廖舜章 ,  鍾昇鎮 ,  鄭光茗 ,  莊學理

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明提供一種含高介電常數金屬閘極結構之半導體元件的製造方法。提供一包含虛置閘極結構（例如犧牲多晶矽閘極）的基材，一第一及第二硬罩幕層位於此虛置閘極結構上方。在一實施例中，一應變區形成在此基材上。在形成此應變區之後，移除此第二硬罩幕層。形成一源/汲極區，接著在此基材上形成一層間介電層（ILD）。在進行一化學機械研磨（CMP）製程平坦化此層間介電層時，可用此第一硬罩幕層作為停止層。此化學機械研磨製程可持續進行以移除此第一硬罩幕層。移除此虛置閘極結構並形成一金屬閘極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种含高介电常数金属闸极结构之半导体组件的制造方法。提供一包含虚置闸极结构（例如牺牲多晶硅闸极）的基材，一第一及第二硬罩幕层位于此虚置闸极结构上方。在一实施例中，一应变区形成在此基材上。在形成此应变区之后，移除此第二硬罩幕层。形成一源/汲极区，接着在此基材上形成一层间介电层（ILD）。在进行一化学机械研磨（CMP）制程平坦化此层间介电层时，可用此第一硬罩幕层作为停止层。此化学机械研磨制程可持续进行以移除此第一硬罩幕层。移除此虚置闸极结构并形成一金属闸极。

公开(公告)号：TWI408735B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：TW098115789

申请日：2009-05-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖舜章 ,  LIAO, SHUN JANG ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

公开(公告)号：TW201320166A

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：TW101150030

申请日：2009-05-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 廖舜章 ,  LIAO, SHUN JANG ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  莊學理 ,  CHUANG, HARRY

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848

Abstract: 本發明提供一種含高介電常數金屬閘極結構之半導體元件的製造方法。提供一包含虛置閘極結構(例如犧牲多晶矽閘極)的基材，一第一及第二硬罩幕層位於此虛置閘極結構上方。在一實施例中，一應變區形成在此基材上。在形成此應變區之後，移除此第二硬罩幕層。形成一源/汲極區，接著在此基材上形成一層間介電層(ILD)。在進行一化學機械研磨(CMP)製程平坦化此層間介電層時，可用此第一硬罩幕層作為停止層。此化學機械研磨製程可持續進行以移除此第一硬罩幕層。移除此虛置閘極結構並形成一金屬閘極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种含高介电常数金属闸极结构之半导体组件的制造方法。提供一包含虚置闸极结构(例如牺牲多晶硅闸极)的基材，一第一及第二硬罩幕层位于此虚置闸极结构上方。在一实施例中，一应变区形成在此基材上。在形成此应变区之后，移除此第二硬罩幕层。形成一源/汲极区，接着在此基材上形成一层间介电层(ILD)。在进行一化学机械研磨(CMP)制程平坦化此层间介电层时，可用此第一硬罩幕层作为停止层。此化学机械研磨制程可持续进行以移除此第一硬罩幕层。移除此虚置闸极结构并形成一金属闸极。

公开(公告)号：TW201019386A

公开(公告)日：2010-05-16

申请号：TW098131195

申请日：2009-09-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴素貞 ,  鄭光茗 ,  莊學理 ,  沈俊良 ,  廖舜章

IPC: H01L

CPC classification number: H01L22/20 ,  H01L21/76224 ,  H01L22/12

Abstract: 本發明提供一種積體電路的製造方法，其隔絕區域的階高之間具有較佳的一致性。上述積體電路的製造方法包括提供一基板，其具有一個或多個溝槽；填充上述一個或多個溝槽；對已填充之一個或多個上述溝槽進行一化學機械研磨製程，其中每一個一個或多個上述溝槽包括一厚度；量測每一個已填充之一個或多個上述溝槽的上述厚度；根據每一個已填充之一個或多個上述溝槽之已量測的上述厚度決定進行一蝕刻製程的一總時間。以已決定的上述總時間進行上述蝕刻製程。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种集成电路的制造方法，其隔绝区域的阶高之间具有较佳的一致性。上述集成电路的制造方法包括提供一基板，其具有一个或多个沟槽；填充上述一个或多个沟槽；对已填充之一个或多个上述沟槽进行一化学机械研磨制程，其中每一个一个或多个上述沟槽包括一厚度；量测每一个已填充之一个或多个上述沟槽的上述厚度；根据每一个已填充之一个或多个上述沟槽之已量测的上述厚度决定进行一蚀刻制程的一总时间。以已决定的上述总时间进行上述蚀刻制程。