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公开(公告)号：TW480626B
公开(公告)日：2002-03-21
申请号：TW090105643
申请日：2001-03-09
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 此處揭露了一種形成矽化金屬於半導體底材上之方法。首先，可在半導體底材定義閘極結構與位於兩側的源/汲極區域。然後，形成耐熔性金屬層於閘極結構與源/汲極區域表面上。接著，形成氮化鈦複合層於耐熔性金屬層表面上。其中，可藉著離子轟擊一鈦金屬靶而產生鈦原子，且通入氮氣與鈦原子反應而生成氮化鈦複合層，藉著先降低氮氣輸入而形成第一氮化鈦層於耐熔性金屬層表面上，隨後再提高氮氣輸入而形成第二氮化鈦層於第一氮化鈦層表面上。接著進行高溫熱回火程序以形成矽化金屬層於閘極結構與源/汲極區域表面上。
Abstract in simplified Chinese: 此处揭露了一种形成硅化金属于半导体底材上之方法。首先，可在半导体底材定义闸极结构与位于两侧的源/汲极区域。然后，形成耐熔性金属层于闸极结构与源/汲极区域表面上。接着，形成氮化钛复合层于耐熔性金属层表面上。其中，可借着离子轰击一钛金属靶而产生钛原子，且通入氮气与钛原子反应而生成氮化钛复合层，借着先降低氮气输入而形成第一氮化钛层于耐熔性金属层表面上，随后再提高氮气输入而形成第二氮化钛层于第一氮化钛层表面上。接着进行高温热回火进程以形成硅化金属层于闸极结构与源/汲极区域表面上。
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公开(公告)号：TW439188B
公开(公告)日：2001-06-07
申请号：TW088120106
申请日：1999-11-18
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明係揭露一種積體電路中含氟介電層之製程方法。在積體電路製程逐漸進入深次微米領域時，其內連線設計已發展成為四層以上的多重金屬內連線製程;但是，在所述多重金屬內連線製程中同時包含銅金屬及含氟矽玻璃(FSG)時，為配合銅金屬製程上之需求，將必須面臨所述含氟矽玻璃中不穩定之氟(F)的吸濕問題。故本發明揭露一種積體電路中含氟介電層之製程方法，利用一多矽氧化層(SRO)以隔絕所述含氟矽玻璃中之氟向外擴散與水氣反應，降低氟對層間結構的影響。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种集成电路中含氟介电层之制程方法。在集成电路制程逐渐进入深次微米领域时，其内连接设计已发展成为四层以上的多重金属内连接制程;但是，在所述多重金属内连接制程中同时包含铜金属及含氟硅玻璃(FSG)时，为配合铜金属制程上之需求，将必须面临所述含氟硅玻璃中不稳定之氟(F)的吸湿问题。故本发明揭露一种集成电路中含氟介电层之制程方法，利用一多硅氧化层(SRO)以隔绝所述含氟硅玻璃中之氟向外扩散与水汽反应，降低氟对层间结构的影响。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW416108B
公开(公告)日：2000-12-21
申请号：TW088114771
申请日：1999-08-27
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明揭露了一種去除熔絲(Fuse)金屬插塞週邊殘留研漿之方法。首先提供一具有金屬插塞之半導體基材，而此金屬插塞的表面則含有凹槽狀的結構,接著形成一層氧化層於其表面，並同時填滿位於插塞表面下方的凹陷區域。利用化學機械研磨法以第一研磨墊對氧化層進行研磨，直至插塞的表面高出插塞所位於的介電層表面為止。再利用化學機械研磨法，以相對於第一研磨墊較為柔軟的第二研磨墊並配合適當的研漿對半導體的結構進行研磨，以徹底去除堆積在插塞週邊的殘留物質。最後，再以鹼性溶液清洗此半導體結構的表面。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露了一种去除熔丝(Fuse)金属插塞周边残留研浆之方法。首先提供一具有金属插塞之半导体基材，而此金属插塞的表面则含有凹槽状的结构,接着形成一层氧化层于其表面，并同时填满位于插塞表面下方的凹陷区域。利用化学机械研磨法以第一研磨垫对氧化层进行研磨，直至插塞的表面高出插塞所位于的介电层表面为止。再利用化学机械研磨法，以相对于第一研磨垫较为柔软的第二研磨垫并配合适当的研浆对半导体的结构进行研磨，以彻底去除堆积在插塞周边的残留物质。最后，再以碱性溶液清洗此半导体结构的表面。
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公开(公告)号：TWI229439B
公开(公告)日：2005-03-11
申请号：TW090122836
申请日：2001-09-14
Inventor： 鄭道 CHENG, TAO , 黃文信 HUANG, WEN HSIN , 尤君平 JIUN-PYNG YOU , 吳林峻 WU, LIN JUNE , 張仕宗 CHANG, SHIH TZUNG , 李明哲 , 陳俊彰 CHEN, CHUN CHANG , 林俞谷 LIN, YU KU , 管彤華 , 王英郎 WANG, TING CHUN
IPC: H01L
Abstract: 一種半導體製造方法，包括以下步驟。提供一基底，該基底上具有一金屬層及一覆蓋該金屬層之絕緣層。在該絕緣層上形成一護蓋氧化層。形成一穿越該護蓋氧化層及該絕緣層之介層孔而暴露該金屬層，致使該金屬層上生成一金屬氧化層。經由濺擊而移除該金屬氧化層。本發明藉由在進行濺擊清潔前先形成一護蓋氧化層，使爐箱內壁之附著物均為氧化物，以利於掌控其可能剝落時間而定時清理爐箱，避免意外掉落於晶片上形成缺陷。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体制造方法，包括以下步骤。提供一基底，该基底上具有一金属层及一覆盖该金属层之绝缘层。在该绝缘层上形成一护盖氧化层。形成一穿越该护盖氧化层及该绝缘层之介层孔而暴露该金属层，致使该金属层上生成一金属氧化层。经由溅击而移除该金属氧化层。本发明借由在进行溅击清洁前先形成一护盖氧化层，使炉箱内壁之附着物均为氧化物，以利于掌控其可能剥落时间而定时清理炉箱，避免意外掉落于芯片上形成缺陷。
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公开(公告)号：TW533508B
公开(公告)日：2003-05-21
申请号：TW088107325
申请日：1999-05-05
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明揭露了一種防止多重金屬間介電層發生裂縫的結構與方法。此一結構係透過選擇性的各個金屬間介電層之間，嵌入具有殘留壓縮應力的氧化層，並藉由此一壓縮應力氧化層所提供的束縛力，而防止半導體結構中的金屬間介電層中產生裂縫。而此一壓縮應力層，則可以透過對金屬間介電層表面進行研磨，並以電漿化學氣相沈積的製程，於其表面沈積一層氧化層而得到。至於此一氧化層中的應力，則可藉由調整反應中的射頻能量而加以控制。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露了一种防止多重金属间介电层发生裂缝的结构与方法。此一结构系透过选择性的各个金属间介电层之间，嵌入具有残留压缩应力的氧化层，并借由此一压缩应力氧化层所提供的束缚力，而防止半导体结构中的金属间介电层中产生裂缝。而此一压缩应力层，则可以透过对金属间介电层表面进行研磨，并以等离子化学气相沉积的制程，于其表面沉积一层氧化层而得到。至于此一氧化层中的应力，则可借由调整反应中的射频能量而加以控制。
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公开(公告)号：TW448502B
公开(公告)日：2001-08-01
申请号：TW089106943
申请日：2000-04-14
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 一種淺溝渠絕緣區域之化學機械研磨控制方法，該方法包含：利用終點偵測模式執行化學機械研磨使其停止於研磨終點，設定過度研磨條件，其中設定過度研磨條件包含定義過度研磨之厚度，定義過度研磨之厚度包含量測研磨終點之膜層厚度以及利用研磨終點之膜層厚度減去目標厚度，及利用研磨率(removal rate mode)模式執行化學機械研磨之過度研磨。
Abstract in simplified Chinese: 一种浅沟渠绝缘区域之化学机械研磨控制方法，该方法包含：利用终点侦测模式运行化学机械研磨使其停止于研磨终点，设置过度研磨条件，其中设置过度研磨条件包含定义过度研磨之厚度，定义过度研磨之厚度包含量测研磨终点之膜层厚度以及利用研磨终点之膜层厚度减去目标厚度，及利用研磨率(removal rate mode)模式运行化学机械研磨之过度研磨。
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公开(公告)号：TW415877B
公开(公告)日：2000-12-21
申请号：TW088120113
申请日：1999-11-18
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
Abstract: 一種使用於半導體晶片研磨機械裝置，以減少晶片不良率之方法。當半導體晶片置於化學機械研磨裝置機台並進行化學機械研磨時，其步驟主要在研磨過程中加入中性溶液，且置換不同研磨平台之多段研磨方式。同時本發明藉以去除晶片研磨後，所造成之酸鹼中和效應;進而獲致較佳之研磨效果。
Abstract in simplified Chinese: 一种使用于半导体芯片研磨机械设备，以减少芯片不良率之方法。当半导体芯片置于化学机械研磨设备机台并进行化学机械研磨时，其步骤主要在研磨过程中加入中性溶液，且置换不同研磨平台之多段研磨方式。同时本发明借以去除芯片研磨后，所造成之酸碱中和效应;进而获致较佳之研磨效果。
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