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公开(公告)号：TWI556429B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103145710
申请日：2014-12-26
Inventor： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 王廷君 , WANG, TING CHUN , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
IPC: H01L29/49 , H01L29/66 , H01L21/8232
CPC classification number: H01L29/6659 , H01L21/28088 , H01L21/823842 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/165 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66613 , H01L29/66636 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TW201537752A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：TW103145766
申请日：2014-12-26
Inventor： 陳聖文 , CHEN, SHENGWEN , 林鈺庭 , LIN, YUTING , 張哲豪 , CHANG, CHEHAO , 游偉明 , YOU, WEIMING , 王廷君 , WANG, TINGCHUN
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/02247 , H01L21/0234 , H01L21/0254 , H01L21/26513 , H01L21/28026 , H01L21/28088 , H01L21/28176 , H01L21/28185 , H01L21/321 , H01L29/0847 , H01L29/42364 , H01L29/45 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6656 , H01L29/6659 , H01L29/7833
Abstract: 提供一種具有高介電係數閘介電質的半導體裝置和一種製作方法。在一基板上形成一閘介電層，可能在此閘介電層和此基板之間插入一介面層，形成一障蔽層在沿著此障蔽層和此閘介電層之間的一介面具有較高的氮濃度，此障蔽層例如為TiN層，舉例來說，可能以沈積形成此障蔽層，和在TiN層上進行一氮化處理以增加沿著此障蔽層和此閘介電層之間的介面的氮濃度，在此障蔽層之上形成一閘極。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种具有高介电系数闸介电质的半导体设备和一种制作方法。在一基板上形成一闸介电层，可能在此闸介电层和此基板之间插入一界面层，形成一障蔽层在沿着此障蔽层和此闸介电层之间的一界面具有较高的氮浓度，此障蔽层例如为TiN层，举例来说，可能以沉积形成此障蔽层，和在TiN层上进行一氮化处理以增加沿着此障蔽层和此闸介电层之间的界面的氮浓度，在此障蔽层之上形成一闸极。
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公开(公告)号：TW496239U
公开(公告)日：2002-07-21
申请号：TW090205864
申请日：2001-04-13
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
Abstract: 一種具有噴灑頭之CMP機台，包括一研磨墊，其具有可轉動之研磨面，一研磨頭，可將晶圓吸附住使其與研磨面接觸並進行機械研磨，在研磨的過程中更利用一研磨液供給器提供研磨液，藉由研磨液對晶圓提供化學反應以提高研磨效果，此外，CMP機台更利用一噴灑頭對研磨墊提供適量的清水稀釋晶圓邊緣的研磨液濃度，藉由研磨液濃度的改變控制晶圓邊緣的研磨程度。
Abstract in simplified Chinese: 一种具有喷洒头之CMP机台，包括一研磨垫，其具有可转动之研磨面，一研磨头，可将晶圆吸附住使其与研磨面接触并进行机械研磨，在研磨的过程中更利用一研磨液供给器提供研磨液，借由研磨液对晶圆提供化学反应以提高研磨效果，此外，CMP机台更利用一喷洒头对研磨垫提供适量的清水稀释晶圆边缘的研磨液浓度，借由研磨液浓度的改变控制晶圆边缘的研磨程度。
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公开(公告)号：TW201731111A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105139817
申请日：2016-12-02
Inventor： 吳政達 , WU, CHENG-TA , 王廷君 , WANG, TING-CHUN , 王永裕 , WANG, YUNG-YU , 蔡佳縈 , TSAI, CHIA-YING , 詹詠翔 , CHAN, YUNG-HSIANG
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/02236 , H01L21/823431 , H01L21/823468 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本發明實施例描述一種鰭式場效電晶體，其包括：基底、至少一個閘極結構、間隔物以及應變源極區及汲極區。所述至少一個閘極結構配置於所述基底上方及所述隔離結構上。所述間隔物配置於所述至少一個閘極結構的側壁上。第一阻隔材料層配置於所述間隔物上。所述應變源極區及汲極區配置於所述至少一個閘極結構的兩個相對側處。第二阻隔材料層配置於所述應變源極區及汲極區上。所述第一阻隔材料層及第二阻隔材料層包括富氧氧化物材料。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例描述一种鳍式场效应管，其包括：基底、至少一个闸极结构、间隔物以及应变源极区及汲极区。所述至少一个闸极结构配置于所述基底上方及所述隔离结构上。所述间隔物配置于所述至少一个闸极结构的侧壁上。第一阻隔材料层配置于所述间隔物上。所述应变源极区及汲极区配置于所述至少一个闸极结构的两个相对侧处。第二阻隔材料层配置于所述应变源极区及汲极区上。所述第一阻隔材料层及第二阻隔材料层包括富氧氧化物材料。
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公开(公告)号：TWI546973B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW104107140
申请日：2015-03-06
Inventor： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 王廷君 , WANG, TING CHUN , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 劉繼文 , LIU, CHI WEN
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L21/28088 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW483803B
公开(公告)日：2002-04-21
申请号：TW090119950
申请日：2001-08-14
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: B24B
Abstract: 本發明主要是提供一種能讓研磨劑於研磨過程中被充分使用之研磨劑供應製程條件，根據本發明之製程條件可降低研磨劑之使用量，但卻不會影響晶片之研磨速率，因此可讓單位時間內之晶片產出率保持一定，根據本發明之方法是在進行研磨製程時，讓研磨劑分佈系統重複開啟、關閉，間歇性地將研磨劑施加於研磨墊上，讓研磨劑於停止供應階段能充分被利用來減少使用量。
Abstract in simplified Chinese: 本发明主要是提供一种能让研磨剂于研磨过程中被充分使用之研磨剂供应制程条件，根据本发明之制程条件可降低研磨剂之使用量，但却不会影响芯片之研磨速率，因此可让单位时间内之芯片产出率保持一定，根据本发明之方法是在进行研磨制程时，让研磨剂分布系统重复打开、关闭，间歇性地将研磨剂施加于研磨垫上，让研磨剂于停止供应阶段能充分被利用来减少使用量。
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公开(公告)号：TW434103B
公开(公告)日：2001-05-16
申请号：TW087117563
申请日：1998-10-23
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
Abstract: 本發明提出一種在化學機械研磨製程中進行終點偵測的方法，採用多波段光線作為干涉光源，可以擴大研磨厚度之偵測範圍。在化學機械研磨的過程中，多波段光源發射數個波長的光線，各不同波長的光線在研磨層的上下表面各經一次反射，反射光線形成干涉現象，由偵測器接收。偵測器所收到的訊號，其強度是所有個別干涉訊號的疊加總和，其週期是所有個別干涉訊號週期的最小公倍數。今預先以理論計算或是實驗方法，取得總和干涉強度相對於薄膜厚度的變化關係數據，則根據此關係數據為參考數值，可以決定何時終止研磨製程。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提出一种在化学机械研磨制程中进行终点侦测的方法，采用多波段光线作为干涉光源，可以扩大研磨厚度之侦测范围。在化学机械研磨的过程中，多波段光源发射数个波长的光线，各不同波长的光线在研磨层的上下表面各经一次反射，反射光线形成干涉现象，由侦测器接收。侦测器所收到的信号，其强度是所有个别干涉信号的叠加总和，其周期是所有个别干涉信号周期的最小公倍数。今预先以理论计算或是实验方法，取得总和干涉强度相对于薄膜厚度的变化关系数据，则根据此关系数据为参考数值，可以决定何时终止研磨制程。
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公开(公告)号：TW421853B
公开(公告)日：2001-02-11
申请号：TW088113852
申请日：1999-08-13
Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC: H01L
Abstract: 本發明係揭露一種積體電路之金屬阻障層的製作方法。在習知技藝中常被使用之金屬阻障層的製作方法，係在充填插塞金屬層之前依序形成一鈦金屬層與一化學氣相沉積(CVD)之氮化鈦層，然而，所述CVD-氮化鈦層在空氣中易吸水氣且易氧化的性質，使得後續之金屬成核層厚度及均勻性不佳，故本發明提供一新金屬阻障層之製作方法，所述方法係於習知之CVD-氮化鈦層上，利用物理氣相沉積法(PVD)形成一超薄氮化鈦層，藉由所述PVD-超薄氮化鈦層保護所述CVD-氮化鈦層，降低所述CVD-氮化鈦層的老化效應(aging effect)。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种集成电路之金属阻障层的制作方法。在习知技艺中常被使用之金属阻障层的制作方法，系在充填插塞金属层之前依序形成一钛金属层与一化学气相沉积(CVD)之氮化钛层，然而，所述CVD-氮化钛层在空气中易吸水汽且易氧化的性质，使得后续之金属成核层厚度及均匀性不佳，故本发明提供一新金属阻障层之制作方法，所述方法系于习知之CVD-氮化钛层上，利用物理气相沉积法(PVD)形成一超薄氮化钛层，借由所述PVD-超薄氮化钛层保护所述CVD-氮化钛层，降低所述CVD-氮化钛层的老化效应(aging effect)。
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公开(公告)号：TWI594303B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW104123910
申请日：2015-07-23
Inventor： 張簡旭珂 , JANGJIAN, SHIU KO , 吳志楠 , WU, CHIH NAN , 林俊澤 , LIN, CHUN CHE , 王廷君 , WANG, TING CHUN
CPC classification number: H01L29/785 , H01L21/823456 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/6681
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公开(公告)号：TW201705236A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW104139589
申请日：2015-11-27
Inventor： 吳政達 , WU, CHENG TA , 王廷君 , WANG, TING CHUN , 游偉明 , YOU, WEI MING , 吳佳紋 , WU, JIA WUN
IPC: H01L21/283 , H01L21/324 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L21/26506 , H01L21/324 , H01L29/0649 , H01L29/41783 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本揭露提供半導體裝置的形成方法，用以形成一或多個鰭狀物於基板上，以及形成隔離絕緣層於鰭狀物上。此方法亦將掺質導入隔離絕緣層中。對含有掺質之隔離絕緣層進行回火，並移除部份隔離絕緣層以露出部份鰭狀物。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供半导体设备的形成方法，用以形成一或多个鳍状物于基板上，以及形成隔离绝缘层于鳍状物上。此方法亦将掺质导入隔离绝缘层中。对含有掺质之隔离绝缘层进行回火，并移除部份隔离绝缘层以露出部份鳍状物。
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