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公开(公告)号：TW202022955A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108131004
申请日：2019-08-29
发明人： 吳俊毅 , WU, JIUN-YI , 謝靜華 , HSIEH, CHING-HUA , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 王守怡 , WANG, SHOU-YI , 陳建勳 , CHEN, CHIEN-HSUN
IPC分类号： H01L21/56 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L23/532
摘要： 一種方法包括形成裝置結構，所述方法包括：在半導體裝置之上形成第一重佈線結構且第一重佈線結構電性連接至半導體裝置；形成環繞第一重佈線結構及半導體裝置的模製材料；在模製材料及第一重佈線結構之上形成第二重佈線結構，第二重佈線結構電性連接至第一重佈線結構；將內連線結構貼合至第二重佈線結構，內連線結構包括芯體基板，內連線結構電性連接至第二重佈線結構；在內連線結構的多個側壁上以及第二重佈線結構與內連線結構之間形成底部填充材料。
简体摘要： 一种方法包括形成设备结构，所述方法包括：在半导体设备之上形成第一重布线结构且第一重布线结构电性连接至半导体设备；形成环绕第一重布线结构及半导体设备的模制材料；在模制材料及第一重布线结构之上形成第二重布线结构，第二重布线结构电性连接至第一重布线结构；将内连接结构贴合至第二重布线结构，内连接结构包括芯体基板，内连接结构电性连接至第二重布线结构；在内连接结构的多个侧壁上以及第二重布线结构与内连接结构之间形成底部填充材料。
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公开(公告)号：TWI688051B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW108101271
申请日：2019-01-11
发明人： 陳建勳 , CHEN, CHIEN-HSUN , 李建勳 , LEE, CHIEN-HSUN , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 吳俊毅 , WU, JIUN-YI
IPC分类号： H01L23/10 , H01L23/538
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公开(公告)号：TW201921526A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107134220
申请日：2018-09-28
发明人： 黃英叡 , HUANG, YING-JUI , 謝靜華 , HSIEH, CHING-HUA , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 林志偉 , LIN, CHIH-WEI , 黃見翎 , HWANG, CHIEN-LING
摘要： 一種方法包括將第一封裝組件以及第二封裝組件置放在載體上。第一封裝組件的第一導電柱以及第二封裝組件的第二導電柱面向載體。所述方法更包括將第一封裝組件以及第二封裝組件包封在包封材料中，將第一封裝組件以及第二封裝組件自載體剝離，平坦化第一導電柱、第二導電柱以及包封材料，以及形成重佈線以電耦接至第一導電柱以及第二導電柱。
简体摘要： 一种方法包括将第一封装组件以及第二封装组件置放在载体上。第一封装组件的第一导电柱以及第二封装组件的第二导电柱面向载体。所述方法更包括将第一封装组件以及第二封装组件包封在包封材料中，将第一封装组件以及第二封装组件自载体剥离，平坦化第一导电柱、第二导电柱以及包封材料，以及形成重布线以电耦接至第一导电柱以及第二导电柱。
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公开(公告)号：TWI653722B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW105140130
申请日：2016-12-05
发明人： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 郭庭豪 , KUO, TIN-HAO , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI
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公开(公告)号：TWI629722B
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：TW104139608
申请日：2015-11-27
发明人： 鄭佳申 , CHENG, CHIA SHEN , 蘇安治 , SU, AN JHIH , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 林修任 , LIN, HSIU JEN , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 鄭明達 , CHENG, MING DA , 陳威宇 , CHEN, WEI YU
IPC分类号： H01L21/304
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公开(公告)号：TWI621207B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW104137845
申请日：2015-11-17
发明人： 克爾尼斯基 亞歷山大 , KALNITSKY ALEXANDER , 雷弋昜 , LEI, YI YANG , 王璽清 , WANG, HSI CHING , 郭震宇 , KUO, CHENG YU , 黃宗隆 , HUANG, TSUNG LUNG , 謝靜華 , HSIEH, CHING HUA , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 古進譽 , KU, CHIN YU , 廖德堆 , LIAO, DE DUI , 劉國洲 , LIU, KUO CHIO , 吳凱第 , WU, KAI DI , 張國彬 , CHANG, KUO PIN , 楊勝斌 , YANG, SHENG PIN , 黃以撒 , HUANG, ISAAC , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC分类号： H01L21/683 , C09J7/02 , H01L21/304
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L24/03 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/03002 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/06181 , H01L2224/131 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/2919 , H01L2224/73204 , H01L2224/83201 , H01L2224/8385 , H01L2224/921 , H01L2224/94 , H01L2924/06 , H01L2924/07025 , H01L2224/03 , H01L2924/00014 , H01L2924/014
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公开(公告)号：TW201804581A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105132993
申请日：2016-10-13
发明人： 賴昱嘉 , LAI, YU-CHIA , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 黃章斌 , HUANG, CHANG-PIN , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 杜賢明 , TU, HSIEN-MING , 郭鴻毅 , KUO, HUNG-YI , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 梁世緯 , LIANG, SHIH-WEI , 劉人瑄 , LIU, REN-XUAN
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/585 , H01L23/3185 , H01L23/5226 , H01L24/05 , H01L24/17 , H01L2224/0237 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074
摘要： 一種半導體結構包括一積體電路元件、一導電接墊、一密封環結構、一導電通孔、一環型阻障及一模製材料。導電接墊配置於且電性連接於積體電路元件。密封環結構配置於積體電路元件且環繞導電接墊。導電通孔配置於且電性連接於導電接墊。環型阻障配置於密封環結構上。密封環結構環繞導電通孔。模製材料覆蓋積體電路元件的多個側面。
简体摘要： 一种半导体结构包括一集成电路组件、一导电接垫、一密封环结构、一导电通孔、一环型阻障及一模制材料。导电接垫配置于且电性连接于集成电路组件。密封环结构配置于集成电路组件且环绕导电接垫。导电通孔配置于且电性连接于导电接垫。环型阻障配置于密封环结构上。密封环结构环绕导电通孔。模制材料覆盖集成电路组件的多个侧面。
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公开(公告)号：TWI600124B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW103145758
申请日：2014-12-26
发明人： 余振華 , YU, CHENHUA , 劉重希 , LIU, CHUNGSHI , 黃致凡 , HUANG, CHIHFAN , 林志偉 , LIN, CHIHWEI , 林威宏 , LIN, WEIHUNG , 鄭明達 , CHENG, MINGDA
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/538 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/768 , H01L21/82 , H01L23/04 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/3142 , H01L23/367 , H01L23/49811 , H01L23/49816 , H01L23/49822 , H01L23/528 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48096 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73204 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/48095
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公开(公告)号：TW201730995A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105143977
申请日：2016-12-29
发明人： 余振華 , YU, CHEN HUA , 謝靜華 , HSIEH, CHING HUA , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 鄭明達 , CHENG, MING DA
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/56 , H01L21/4846 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76814 , H01L21/76877 , H01L23/3121 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/18162
摘要： 提供一種用於製造半導體裝置之系統及之方法。在實施例中，用封裝物封裝第一半導體裝置及第二半導體裝置。在封裝物、第一半導體裝置及第二半導體裝置上方形成介電層。介電層經平坦化以重設介電層之平面度。
简体摘要： 提供一种用于制造半导体设备之系统及之方法。在实施例中，用封装物封装第一半导体设备及第二半导体设备。在封装物、第一半导体设备及第二半导体设备上方形成介电层。介电层经平坦化以重设介电层之平面度。
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公开(公告)号：TWI594385B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW099133831
申请日：2010-10-05
发明人： 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/05 , H01L23/48 , H01L23/482 , H01L23/485 , H01L23/49811 , H01L23/49838 , H01L23/53228 , H01L23/5329 , H01L24/10 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0225 , H01L2224/0226 , H01L2224/0401 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171 , H01L2224/05184 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/11464 , H01L2224/1147 , H01L2224/13 , H01L2224/13018 , H01L2224/13026 , H01L2224/13082 , H01L2224/13099 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/16 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07025 , H01L2924/19041 , H01L2924/35121 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/013
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