公开(公告)号：TW483803B

公开(公告)日：2002-04-21

申请号：TW090119950

申请日：2001-08-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳科維 ,  王廷君 ,  張仕宗 ,  林俞谷 ,  王英郎 ,  陳銘溫 ,  魏國修

IPC: B24B

Abstract: 本發明主要是提供一種能讓研磨劑於研磨過程中被充分使用之研磨劑供應製程條件，根據本發明之製程條件可降低研磨劑之使用量，但卻不會影響晶片之研磨速率，因此可讓單位時間內之晶片產出率保持一定，根據本發明之方法是在進行研磨製程時，讓研磨劑分佈系統重複開啟、關閉，間歇性地將研磨劑施加於研磨墊上，讓研磨劑於停止供應階段能充分被利用來減少使用量。

Abstract in simplified Chinese: 本发明主要是提供一种能让研磨剂于研磨过程中被充分使用之研磨剂供应制程条件，根据本发明之制程条件可降低研磨剂之使用量，但却不会影响芯片之研磨速率，因此可让单位时间内之芯片产出率保持一定，根据本发明之方法是在进行研磨制程时，让研磨剂分布系统重复打开、关闭，间歇性地将研磨剂施加于研磨垫上，让研磨剂于停止供应阶段能充分被利用来减少使用量。

公开(公告)号：TWI345288B

公开(公告)日：2011-07-11

申请号：TW095127271

申请日：2006-07-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 曹榮志 ,  陳科維 ,  張世杰 ,  林俞谷 ,  王英郎

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/485 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76865 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供一種半導體裝置，包括：一基底；一介電層，形成於該基底上；一開口，形成於該介電層中；一第一阻障層，覆蓋於該開口之側壁；一第二阻障層，覆蓋於該第一阻障層上與該開口之底部；以及一導電層，填入該開口。本發明另提供一種半導體裝置之製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备，包括：一基底；一介电层，形成于该基底上；一开口，形成于该介电层中；一第一阻障层，覆盖于该开口之侧壁；一第二阻障层，覆盖于该第一阻障层上与该开口之底部；以及一导电层，填入该开口。本发明另提供一种半导体设备之制造方法。

公开(公告)号：TW536449B

公开(公告)日：2003-06-11

申请号：TW090111283

申请日：2001-05-11

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王廷君 ,  鄭錫圭 ,  林俞谷 ,  王英郎

IPC: B24B ,  H01L

Abstract: 一種可避免因研磨物斷裂而刮傷晶圓之方法，可用於一化學機械式研磨裝置上，步驟包括首先提供一表面上具有複數研磨物之研磨墊給上述化學機械式研磨裝置用以研磨晶圓；接著，調整上述所有研磨物，使其在上述研磨墊表面上突出一既定高度；其中，上述既定高度係為上述研磨物高度之1/2~2/3。

Abstract in simplified Chinese: 一种可避免因研磨物断裂而刮伤晶圆之方法，可用于一化学机械式研磨设备上，步骤包括首先提供一表面上具有复数研磨物之研磨垫给上述化学机械式研磨设备用以研磨晶圆；接着，调整上述所有研磨物，使其在上述研磨垫表面上突出一既定高度；其中，上述既定高度系为上述研磨物高度之1/2~2/3。

公开(公告)号：TW493233B

公开(公告)日：2002-07-01

申请号：TW090115333

申请日：2001-06-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭錫圭 ,  王廷君 ,  林俞谷 ,  陳俊彰 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露一種去除晶圓對準標記內殘留物之裝置，於洗邊系統固定位置上，加入至少一組對準標記清洗裝置，接著使用晶圓對位裝置，將位於晶圓上之至少一組對準標記與該至少一組對準標記清洗裝置進行對準，接著該對準標記清洗裝置會噴灑出稀釋硫酸清洗劑，來進行清除對準標記內之銅薄膜工作。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种去除晶圆对准标记内残留物之设备，于洗边系统固定位置上，加入至少一组对准标记清洗设备，接着使用晶圆对位设备，将位于晶圆上之至少一组对准标记与该至少一组对准标记清洗设备进行对准，接着该对准标记清洗设备会喷洒出稀释硫酸清洗剂，来进行清除对准标记内之铜薄膜工作。

公开(公告)号：TW416108B

公开(公告)日：2000-12-21

申请号：TW088114771

申请日：1999-08-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王慧玲 ,  管彤華 ,  王英郎 ,  林俞谷

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露了一種去除熔絲(Fuse)金屬插塞週邊殘留研漿之方法。首先提供一具有金屬插塞之半導體基材，而此金屬插塞的表面則含有凹槽狀的結構,接著形成一層氧化層於其表面，並同時填滿位於插塞表面下方的凹陷區域。利用化學機械研磨法以第一研磨墊對氧化層進行研磨，直至插塞的表面高出插塞所位於的介電層表面為止。再利用化學機械研磨法，以相對於第一研磨墊較為柔軟的第二研磨墊並配合適當的研漿對半導體的結構進行研磨，以徹底去除堆積在插塞週邊的殘留物質。最後，再以鹼性溶液清洗此半導體結構的表面。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露了一种去除熔丝(Fuse)金属插塞周边残留研浆之方法。首先提供一具有金属插塞之半导体基材，而此金属插塞的表面则含有凹槽状的结构,接着形成一层氧化层于其表面，并同时填满位于插塞表面下方的凹陷区域。利用化学机械研磨法以第一研磨垫对氧化层进行研磨，直至插塞的表面高出插塞所位于的介电层表面为止。再利用化学机械研磨法，以相对于第一研磨垫较为柔软的第二研磨垫并配合适当的研浆对半导体的结构进行研磨，以彻底去除堆积在插塞周边的残留物质。最后，再以碱性溶液清洗此半导体结构的表面。

公开(公告)号：TWI579967B

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：TW104137683

申请日：2015-11-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 方立言 ,  FANG, LI YEN ,  曹榮志 ,  TSAO, JUNG CHIH ,  梁耀祥 ,  LIANG, YAO HSIANG ,  林俞谷 ,  LIN, YU KU

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D3/38 ,  C25D5/34 ,  C25D7/123 ,  H01L21/76861 ,  H01L21/76873

公开(公告)号：TWI360181B

公开(公告)日：2012-03-11

申请号：TW095107158

申请日：2006-03-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 曹榮志 ,  陳科維 ,  林俞谷

IPC: H01L

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明揭示一種半導體裝置及其製造方法。上述半導體裝置包含：一基底；一介電層於上述基底上，上述介電層包含一開口，上述開口包含一下部與一較寬的上部而曝露部分上述基底，而上述上部的底部則成為上述開口的複數個肩部；一保護層位於上述肩部中至少其中一個之上；以及一順應性的阻障層位於上述開口內，且位於上述保護層與上述介電層上，其中上述保護層對惰性氣體電漿的耐蝕性，高於上述阻障層對惰性氣體電漿的耐蝕性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种半导体设备及其制造方法。上述半导体设备包含：一基底；一介电层于上述基底上，上述介电层包含一开口，上述开口包含一下部与一较宽的上部而曝露部分上述基底，而上述上部的底部则成为上述开口的复数个肩部；一保护层位于上述肩部中至少其中一个之上；以及一顺应性的阻障层位于上述开口内，且位于上述保护层与上述介电层上，其中上述保护层对惰性气体等离子的耐蚀性，高于上述阻障层对惰性气体等离子的耐蚀性。

公开(公告)号：TW579566B

公开(公告)日：2004-03-11

申请号：TW091134378

申请日：2002-11-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭錫圭 CHENG, HSI-KUEI ,  林俊澤 ,  王廷君 WANG, TING-CHUN ,  林俞谷 ,  王英郎 WANG, YING LANG

IPC: H01L

Abstract: 一種洗邊反應室之夾握裝置，該夾握裝置包含固定基座、旋轉基座、複數個傳動連桿、複數個承接塊及驅動裝置。利用驅動裝置轉動耦合於固定基座之旋轉基座，以同時驅動傳動連桿，藉以同步移動承接塊，並且利用承接塊之凹槽托住晶圓。而且承接塊與晶圓的元件區域之間處於非接觸之分離狀態，以於進行晶圓的洗邊製程時，可以完全清除殘留在晶圓表面的化學溶液。伍、(一)、本案代表圖為：第＿＿＿＿2＿＿＿圖
(二)、本案代表圖之元件代表符號簡單說明：
200 夾握裝置 202 固定基座
204 旋轉基座 206 傳動連桿
208 承接塊 210 驅動裝置
212 第一軸孔 214 第一導槽
216 第二導槽 218 軸桿
220 第一桿件 222 第二桿件
224 第三桿件 226 彈性元件
228 第一端部 230 第二端部
232 固定梢 233 樞接點
234 第二軸孔

Abstract in simplified Chinese: 一种洗边反应室之夹握设备，该夹握设备包含固定基座、旋转基座、复数个传动连杆、复数个承接块及驱动设备。利用驱动设备转动耦合于固定基座之旋转基座，以同时驱动传动连杆，借以同步移动承接块，并且利用承接块之凹槽托住晶圆。而且承接块与晶圆的组件区域之间处于非接触之分离状态，以于进行晶圆的洗边制程时，可以完全清除残留在晶圆表面的化学溶液。伍、(一)、本案代表图为：第＿＿＿＿2＿＿＿图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 200 夹握设备 202 固定基座 204 旋转基座 206 传动连杆 208 承接块 210 驱动设备 212 第一轴孔 214 第一导槽 216 第二导槽 218 轴杆 220 第一杆件 222 第二杆件 224 第三杆件 226 弹性组件 228 第一端部 230 第二端部 232 固定梢 233 枢接点 234 第二轴孔

公开(公告)号：TW506107B

公开(公告)日：2002-10-11

申请号：TW090125977

申请日：2001-10-19

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳科維 ,  魏國修 ,  林俞谷 ,  王廷君 ,  王英郎 ,  張仕宗

IPC: H01L

Abstract: 一種金屬鎢插塞之回蝕製程。先在基底上依序形成介電層與抗反射層，然後在介電層與抗反射層中形成開口。接著在開口中與抗反射層上形成共形的阻障層，再於阻障層上形成金屬鎢層。進行第一化學機械研磨步驟直至暴露出阻障層，以去除大部分的金屬鎢層。進行第二化學機械研磨步驟，以去除該阻障層上之殘餘的金屬鎢層與該阻障層。進行第三化學機械研磨步驟，以去除該抗反射層。該第三化學機械研磨步驟所用之研漿中至少含有液態之氫氧化烷基銨或烷基醇。

Abstract in simplified Chinese: 一种金属钨插塞之回蚀制程。先在基底上依序形成介电层与抗反射层，然后在介电层与抗反射层中形成开口。接着在开口中与抗反射层上形成共形的阻障层，再于阻障层上形成金属钨层。进行第一化学机械研磨步骤直至暴露出阻障层，以去除大部分的金属钨层。进行第二化学机械研磨步骤，以去除该阻障层上之残余的金属钨层与该阻障层。进行第三化学机械研磨步骤，以去除该抗反射层。该第三化学机械研磨步骤所用之研浆中至少含有液态之氢氧化烷基铵或烷基醇。

公开(公告)号：TWI611508B

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：TW104137689

申请日：2015-11-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 方立言 ,  FANG, LI YEN ,  黃志昌 ,  HUANG, CHIH CHANG ,  曹榮志 ,  TSAO, JUNG CHIH ,  梁耀祥 ,  LIANG, YAO HSIANG ,  林俞谷 ,  LIN, YU KU

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53238 ,  H01L25/0657 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687