公开(公告)号：TW382763B

公开(公告)日：2000-02-21

申请号：TW087100355

申请日：1998-01-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 詹俊清 ,  簡宏儒 ,  陳俊彰 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 一種在積體電路中形成低粒子數氧化矽層的方法，首先在進行穩定化步驟之前，先以氧化二氮N2O、氮氣N2或其混合氣體進行預流步驟。接著進行穩定化步驟，將反應氣體SiH4和N2O通入電漿加強式化學氣相沉積室，但不開啟電漿產生器的電源。最後進行沉積步驟，將反應氣體SiH4和 N20繼續通入該化學氣相沉積室，並開啟電漿產生器的電源，此時SiH4和N2O離子會在晶片表面反應而生成二氧化矽 SiO2，並沉積在晶片表面以形成二氧化矽薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 一种在集成电路中形成低粒子数氧化硅层的方法，首先在进行稳定化步骤之前，先以氧化二氮N2O、氮气N2或其混合气体进行预流步骤。接着进行稳定化步骤，将反应气体SiH4和N2O通入等离子加强式化学气相沉积室，但不打开等离子产生器的电源。最后进行沉积步骤，将反应气体SiH4和 N20继续通入该化学气相沉积室，并打开等离子产生器的电源，此时SiH4和N2O离子会在芯片表面反应而生成二氧化硅 SiO2，并沉积在芯片表面以形成二氧化硅薄膜。

公开(公告)号：TW422919B

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：TW089110189

申请日：2000-05-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 簡宏儒 ,  李慶峻

IPC: F17D

Abstract: 本發明係關於一種偵測氣動閥洩漏之方法，首先利用一氣動閥洩漏偵測裝置，以其所附之管件接上一廠務氣體輸送管線，再通入廠務氣體，啟動氣動閥裝置，用以偵測及記錄該廠務氣體質量流速，之後卸下該氣動閥洩漏偵測裝置，再將該氣動閥洩漏偵測裝置以該管件接上另一廠務氣體輸送管線偵測及記錄;重複如此步驟，完成所需檢測之所有廠務氣體輸送管線。本發明之重點在於可偵測出是否有純度低之廠務氣體經由氣動閥內漏至純度高之製程氣體，並可輕易連接於製程氣體線以及輕易自製程氣體線拿下，且不會影響製程氣體正常運作。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种侦测气动阀泄漏之方法，首先利用一气动阀泄漏侦测设备，以其所附之管件接上一厂务气体输送管线，再通入厂务气体，启动气动阀设备，用以侦测及记录该厂务气体质量流速，之后卸下该气动阀泄漏侦测设备，再将该气动阀泄漏侦测设备以该管件接上另一厂务气体输送管线侦测及记录;重复如此步骤，完成所需检测之所有厂务气体输送管线。本发明之重点在于可侦测出是否有纯度低之厂务气体经由气动阀内漏至纯度高之制程气体，并可轻易连接于制程气体线以及轻易自制程气体线拿下，且不会影响制程气体正常运作。

公开(公告)号：TW396575B

公开(公告)日：2000-07-01

申请号：TW087121358

申请日：1998-12-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  劉重希 ,  簡宏儒 ,  眭小林

IPC: H01L

Abstract: 一種可改善金屬堆疊可靠性的鎢插塞製程。這種方法係，首先提供一半導體基底，其上具有一導電層及一介電層，且介電層上定義有介層接觸窗。然後在介層接觸窗表面形成擴散阻障層，並以鎢金屬層將介層接觸窗填滿。待回蝕鎢金屬層以形成鎢插塞後，在鎢插塞表面形成氮化鈦層，並將氮化鈇層曝露在空氣中。隨後，在氮化鈦層上形成鋁銅合金屬、並在鋁銅合金屬上形成反反射層，藉以完成兩導電層間的連線。另外，在本發明的鎢插塞製程中，氮化鈦亦可以氧化氮(N20)電漿處理的步驟取代曝露在空氣中的步驟。且，氮化鈦層及鎢插塞之間可包括鈦金屬層;反反射層則可以是氮化鈦層。

Abstract in simplified Chinese: 一种可改善金属堆栈可靠性的钨插塞制程。这种方法系，首先提供一半导体基底，其上具有一导电层及一介电层，且介电层上定义有介层接触窗。然后在介层接触窗表面形成扩散阻障层，并以钨金属层将介层接触窗填满。待回蚀钨金属层以形成钨插塞后，在钨插塞表面形成氮化钛层，并将氮化𫓧层曝露在空气中。随后，在氮化钛层上形成铝铜合金属、并在铝铜合金属上形成反反射层，借以完成两导电层间的连接。另外，在本发明的钨插塞制程中，氮化钛亦可以氧化氮(N20)等离子处理的步骤取代曝露在空气中的步骤。且，氮化钛层及钨插塞之间可包括钛金属层;反反射层则可以是氮化钛层。

公开(公告)号：TW523560B

公开(公告)日：2003-03-11

申请号：TW088105467

申请日：1999-04-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 簡宏儒 ,  邱遠鴻 ,  鄭文功 ,  王英郎

IPC: C30B

Abstract: 本發明揭露了一種可以應用在各種半導體結構中，作為蝕刻氧化層之阻絕層的氮氧矽薄膜。透過以氬氣為載氣的電漿化學氣相沈積法所沈積出的氮氧矽薄膜，將可具有十分良好的表面均勻度、反射率、折射率、反射率均勻度，與折射率均勻度。因此，將可使得蝕刻幕罩的圖案，可以更精確的轉移至光阻之上。此外，本發明所揭露的氮氧矽薄膜的厚度可以製作的十分薄，也可以使得對於半導體結構之電性所產生的影響降至最低。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露了一种可以应用在各种半导体结构中，作为蚀刻氧化层之阻绝层的氮氧硅薄膜。透过以氩气为载气的等离子化学气相沉积法所沉积出的氮氧硅薄膜，将可具有十分良好的表面均匀度、反射率、折射率、反射率均匀度，与折射率均匀度。因此，将可使得蚀刻幕罩的图案，可以更精确的转移至光阻之上。此外，本发明所揭露的氮氧硅薄膜的厚度可以制作的十分薄，也可以使得对于半导体结构之电性所产生的影响降至最低。

公开(公告)号：TW448086B

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：TW088110147

申请日：1999-06-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭文功 ,  簡宏儒 ,  陳俊彰 ,  王英郎

IPC: B24B ,  H01L

Abstract: 本發明係揭露一種於積體電路製程中避免晶圓在化學機械研磨(CMP)過程中破片的方法。係針對化學機械研磨之平坦化製程中，以抽真空方式利用晶圓載具將研磨完成之晶圓從研磨平台上吸起時，利用升高水溫或添加界面活性劑的方式，降低晶圓與研磨平台間之水溶液的表面張力，以減少晶圓被吸取時之形變，而改善嚴重之晶圓破片問題。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种于集成电路制程中避免晶圆在化学机械研磨(CMP)过程中破片的方法。系针对化学机械研磨之平坦化制程中，以抽真空方式利用晶圆载具将研磨完成之晶圆从研磨平台上吸起时，利用升高水温或添加界面活性剂的方式，降低晶圆与研磨平台间之水溶液的表面张力，以减少晶圆被吸取时之形变，而改善严重之晶圆破片问题。

公开(公告)号：TW444072B

公开(公告)日：2001-07-01

申请号：TW088107174

申请日：1999-05-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王英郎 ,  詹俊清 ,  鄧覺為 ,  簡宏儒

IPC: C30B

Abstract: 本發明揭露了一種應用於半導體製程中分段沈積護層薄膜之方法。首先於半導體基材表面之導線上，以高密度電漿化學氣相沈積法(HDPCVD)沈積一層介電材料以形成護層薄膜。在此一護層薄膜產生的溫度高於導線所能承受之範圍前，即停止此段沈積反應的進行，並於晶圓的背面通入冷卻氣體以降低晶圓表面的溫度。最後再以不同速率的高密度電漿化學氣相沈積製程，以形成具有完好導線之護層薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露了一种应用于半导体制程中分段沉积护层薄膜之方法。首先于半导体基材表面之导在线，以高密度等离子化学气相沉积法(HDPCVD)沉积一层介电材料以形成护层薄膜。在此一护层薄膜产生的温度高于导线所能承受之范围前，即停止此段沉积反应的进行，并于晶圆的背面通入冷却气体以降低晶圆表面的温度。最后再以不同速率的高密度等离子化学气相沉积制程，以形成具有完好导线之护层薄膜。

公开(公告)号：TW430740B

公开(公告)日：2001-04-21

申请号：TW088116049

申请日：1999-09-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 簡宏儒 ,  李慶峻

IPC: G01M

Abstract: 本發明係為一種新氣動閥洩漏偵測系統，主要係設有一管件裝置、一閥裝置以及一流量偵測裝置。管件裝置用以輸送其內流動之流體，閥裝置與管件裝置連接，用以繼續/阻斷流體的流動，並於流體供輸時，改變閥裝置的開關狀態。流量偵測裝置以管件裝置與閥裝置連接，用以測量並記錄流體質量流速。上述洩漏偵測系統可偵測是否有純度低之廠務氮氣洩漏至製程氣體，而避免後續製程產生微粒的問題，並可輕易連接於製程氣體線，及自製程氣體線拿下。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系为一种新气动阀泄漏侦测系统，主要系设有一管件设备、一阀设备以及一流量侦测设备。管件设备用以输送其内流动之流体，阀设备与管件设备连接，用以继续/阻断流体的流动，并于流体供输时，改变阀设备的开关状态。流量侦测设备以管件设备与阀设备连接，用以测量并记录流体质量流速。上述泄漏侦测系统可侦测是否有纯度低之厂务氮气泄漏至制程气体，而避免后续制程产生微粒的问题，并可轻易连接于制程气体线，及自制程气体线拿下。

公开(公告)号：TW423713U

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：TW088201262

申请日：1999-01-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 簡宏儒 ,  陳瑛祥 ,  鄭文功 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 一種晶圓上鍍層邊緣寬度之校正量測工具。該量測工具基本上為一透明之圓形塑膠平板，尺寸大小則和晶圓相同，並以精密度較高的CNC 自動劃線機在此圓形平板上刻劃出多個不同半徑，但相同圓心之圓形線條，而此同心圓線條之數目及彼此的距離則視需要而有所變化，一般寬度大約在1~4mm左右。於此圓形測量平板之一側則黏貼一把手，以方便操作者使用。利用此圓形平板測量工具，可以替代傳統的直尺或游標尺，達到快速測量的目的。

Abstract in simplified Chinese: 一种晶圆上镀层边缘宽度之校正量测工具。该量测工具基本上为一透明之圆形塑胶平板，尺寸大小则和晶圆相同，并以精密度较高的CNC 自动划线机在此圆形平板上刻划出多个不同半径，但相同圆心之圆形线条，而此同心圆线条之数目及彼此的距离则视需要而有所变化，一般宽度大约在1~4mm左右。于此圆形测量平板之一侧则黏贴一把手，以方便操作者使用。利用此圆形平板测量工具，可以替代传统的直尺或光标尺，达到快速测量的目的。