公开(公告)号：TW514997B

公开(公告)日：2002-12-21

申请号：TW090124099

申请日：2001-09-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭義榮 ,  王慧玲 ,  吳斯安 ,  鄭文功 ,  游明華 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 本發明提供一種以氟矽玻璃當作金屬層間介電層的製造方法，其包括：於金屬導線層上先利用溝填能力佳的高密度電漿化學氣相沈積法沈積第一層氟矽玻璃層，其大致填滿金屬導線層的開口，之後利用電漿增強型化學氣相沈積法沈積第二層氟矽玻璃層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种以氟硅玻璃当作金属层间介电层的制造方法，其包括：于金属导线层上先利用沟填能力佳的高密度等离子化学气相沉积法沉积第一层氟硅玻璃层，其大致填满金属导线层的开口，之后利用等离子增强型化学气相沉积法沉积第二层氟硅玻璃层。

公开(公告)号：TW481825B

公开(公告)日：2002-04-01

申请号：TW089120186

申请日：2000-09-29

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭義榮 ,  詹俊清 ,  鄭文功 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 一種高密度電漿化學氣相沈積反應器的清洗方法，在使用高密度電漿化學氣相沈積形成氧化矽於晶片時，亦有部分氧化矽會沉積於反應器壁上，本發明在進行反應器壁清洗步驟前多增加一道將反應器預熱之步驟，使接續進行清洗反應器壁上之氧化矽反應速率增加，如此降低製程所需之時間兩增加產能，本發明係利用電漿並通入氧氣之解離方式，用以增加反應氣溫度，達到預熱之效果。

Abstract in simplified Chinese: 一种高密度等离子化学气相沉积反应器的清洗方法，在使用高密度等离子化学气相沉积形成氧化硅于芯片时，亦有部分氧化硅会沉积于反应器壁上，本发明在进行反应器壁清洗步骤前多增加一道将反应器预热之步骤，使接续进行清洗反应器壁上之氧化硅反应速率增加，如此降低制程所需之时间两增加产能，本发明系利用等离子并通入氧气之解离方式，用以增加反应气温度，达到预热之效果。

公开(公告)号：TW423713U

公开(公告)日：2001-02-21

申请号：TW088201262

申请日：1999-01-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 簡宏儒 ,  陳瑛祥 ,  鄭文功 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 一種晶圓上鍍層邊緣寬度之校正量測工具。該量測工具基本上為一透明之圓形塑膠平板，尺寸大小則和晶圓相同，並以精密度較高的CNC 自動劃線機在此圓形平板上刻劃出多個不同半徑，但相同圓心之圓形線條，而此同心圓線條之數目及彼此的距離則視需要而有所變化，一般寬度大約在1~4mm左右。於此圓形測量平板之一側則黏貼一把手，以方便操作者使用。利用此圓形平板測量工具，可以替代傳統的直尺或游標尺，達到快速測量的目的。

Abstract in simplified Chinese: 一种晶圆上镀层边缘宽度之校正量测工具。该量测工具基本上为一透明之圆形塑胶平板，尺寸大小则和晶圆相同，并以精密度较高的CNC 自动划线机在此圆形平板上刻划出多个不同半径，但相同圆心之圆形线条，而此同心圆线条之数目及彼此的距离则视需要而有所变化，一般宽度大约在1~4mm左右。于此圆形测量平板之一侧则黏贴一把手，以方便操作者使用。利用此圆形平板测量工具，可以替代传统的直尺或光标尺，达到快速测量的目的。

公开(公告)号：TW503511B

公开(公告)日：2002-09-21

申请号：TW088116785

申请日：1999-09-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴珍貝 ,  劉重希 ,  包天一 ,  章勳明 ,  張家龍 ,  王慧玲 ,  鄭文功

IPC: H01L

Abstract: 本發明係揭露一種積體電路中含氟介電層之製程方法。由於銅金屬具備有多項電性優勢，遂逐漸成為進入深次微米領域時最有可能性的金屬材料，而在多重銅金屬內連線製程中，則利用有機低介電係數(low k)介電層，例如：含氟矽玻璃 (FSG)來降低元件之電阻-電容延遲時間。但是，在經過化學機械研磨 (CMP)處理之後，所述含氟矽玻璃之吸濕性質易導致其表面產生氣泡狀突起，所述現象將減低與後續沉積層間之附著力，影響元件之可靠度與良率，故本發明揭露一種在CMP研磨完成後，利用高溫處理及/或電漿處理來消弭所述含氟矽玻璃表面因吸濕而產生氣泡狀突起的情形，提高其層間附著力，減少元件缺陷的產生。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种集成电路中含氟介电层之制程方法。由于铜金属具备有多项电性优势，遂逐渐成为进入深次微米领域时最有可能性的金属材料，而在多重铜金属内连接制程中，则利用有机低介电系数(low k)介电层，例如：含氟硅玻璃 (FSG)来降低组件之电阻-电容延迟时间。但是，在经过化学机械研磨 (CMP)处理之后，所述含氟硅玻璃之吸湿性质易导致其表面产生气泡状突起，所述现象将减低与后续沉积层间之附着力，影响组件之可靠度与良率，故本发明揭露一种在CMP研磨完成后，利用高温处理及/或等离子处理来消弭所述含氟硅玻璃表面因吸湿而产生气泡状突起的情形，提高其层间附着力，减少组件缺陷的产生。

公开(公告)号：TW476106B

公开(公告)日：2002-02-11

申请号：TW090107073

申请日：2001-03-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭義榮 ,  鄭文功 ,  游明華 ,  吳斯安 ,  王英郎 ,  周培芬

IPC: H01L

Abstract: 一種化學氣相沉積室殘存氟氣體之方法。首先，調節高密度電漿化學氣相沉積室之壓力至40-60 mT，並以射頻微波擾動化學氣相沉積室內表面頑垢，以使其產生裂痕或小洞，表面頑垢係由於該高密度電漿化學氣相沉積室曾使用以沉積含氟矽酸玻璃所致；本步驟係同時導入矽甲烷氣體及氧氣以形成氧化膜，並將反應室殘留之氟氣滲於形成的裂痕或小洞中。按著，再導入氮氟氣體以形成矽氟氣體；再以真空幫浦抽出；最後，再載入一矽基板。在約4-6mT之低壓環境下，同時控制SiH4/O2流量比，約大於1.5比1以沉積富矽氧化層於矽基板上。由此比例所沉積的氧化層係具有斷鍵的富矽氧化層，可用以進一步吸收殘存氟氣體濃度。

Abstract in simplified Chinese: 一种化学气相沉积室残存氟气体之方法。首先，调节高密度等离子化学气相沉积室之压力至40-60 mT，并以射频微波扰动化学气相沉积室内表面顽垢，以使其产生裂痕或小洞，表面顽垢系由于该高密度等离子化学气相沉积室曾使用以沉积含氟硅酸玻璃所致；本步骤系同时导入硅甲烷气体及氧气以形成氧化膜，并将反应室残留之氟气渗于形成的裂痕或小洞中。按着，再导入氮氟气体以形成硅氟气体；再以真空帮浦抽出；最后，再加载一硅基板。在约4-6mT之低压环境下，同时控制SiH4/O2流量比，约大于1.5比1以沉积富硅氧化层于硅基板上。由此比例所沉积的氧化层系具有断键的富硅氧化层，可用以进一步吸收残存氟气体浓度。

公开(公告)号：TW475203B

公开(公告)日：2002-02-01

申请号：TW089103190

申请日：2000-02-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 吳斯安 ,  詹俊清 ,  鄭文功 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 一種無機抗反射塗佈層的製作方法，採用氬氣作為攜帶氣體以取代氦氣，可以提升所製抗反射層的均勻度，增進曝光的精確度，並可大幅降低製作成本，對於電子半導體製造工業而言，極具價值。

Abstract in simplified Chinese: 一种无机抗反射涂布层的制作方法，采用氩气作为携带气体以取代氦气，可以提升所制抗反射层的均匀度，增进曝光的精确度，并可大幅降低制作成本，对于电子半导体制造工业而言，极具价值。

公开(公告)号：TW534852B

公开(公告)日：2003-06-01

申请号：TW090128313

申请日：2001-11-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王英郎 ,  林士琦 ,  鄭義榮 ,  劉繼文 ,  游明華 ,  鄭文功 ,  王建光

IPC: B24B ,  H01L

Abstract: 本發明為一種防止產生氧化鎢之鎢-化學機械研磨製程，其步驟包括：提供一具有接觸開口之基底，順應性形成一阻障層於該具有接觸開口之基底上，形成一鎢金屬層於該阻障層上，並填滿該接觸開口，施行第一階段化學機械研磨步驟，研磨該鎢金屬層和該阻障層至該基底表面，以於該接觸窗內形成一鎢插栓，施行第二階段化學機械研磨步驟，加入一氫氧化四丁銨，研磨該鎢插栓，以及施行第三階段化學機械研磨後的洗淨步驟。

Abstract in simplified Chinese: 本发明为一种防止产生氧化钨之钨-化学机械研磨制程，其步骤包括：提供一具有接触开口之基底，顺应性形成一阻障层于该具有接触开口之基底上，形成一钨金属层于该阻障层上，并填满该接触开口，施行第一阶段化学机械研磨步骤，研磨该钨金属层和该阻障层至该基底表面，以于该接触窗内形成一钨插栓，施行第二阶段化学机械研磨步骤，加入一氢氧化四丁铵，研磨该钨插栓，以及施行第三阶段化学机械研磨后的洗净步骤。

公开(公告)号：TW523560B

公开(公告)日：2003-03-11

申请号：TW088105467

申请日：1999-04-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 簡宏儒 ,  邱遠鴻 ,  鄭文功 ,  王英郎

IPC: C30B

Abstract: 本發明揭露了一種可以應用在各種半導體結構中，作為蝕刻氧化層之阻絕層的氮氧矽薄膜。透過以氬氣為載氣的電漿化學氣相沈積法所沈積出的氮氧矽薄膜，將可具有十分良好的表面均勻度、反射率、折射率、反射率均勻度，與折射率均勻度。因此，將可使得蝕刻幕罩的圖案，可以更精確的轉移至光阻之上。此外，本發明所揭露的氮氧矽薄膜的厚度可以製作的十分薄，也可以使得對於半導體結構之電性所產生的影響降至最低。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露了一种可以应用在各种半导体结构中，作为蚀刻氧化层之阻绝层的氮氧硅薄膜。透过以氩气为载气的等离子化学气相沉积法所沉积出的氮氧硅薄膜，将可具有十分良好的表面均匀度、反射率、折射率、反射率均匀度，与折射率均匀度。因此，将可使得蚀刻幕罩的图案，可以更精确的转移至光阻之上。此外，本发明所揭露的氮氧硅薄膜的厚度可以制作的十分薄，也可以使得对于半导体结构之电性所产生的影响降至最低。

公开(公告)号：TW448086B

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：TW088110147

申请日：1999-06-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭文功 ,  簡宏儒 ,  陳俊彰 ,  王英郎

IPC: B24B ,  H01L

Abstract: 本發明係揭露一種於積體電路製程中避免晶圓在化學機械研磨(CMP)過程中破片的方法。係針對化學機械研磨之平坦化製程中，以抽真空方式利用晶圓載具將研磨完成之晶圓從研磨平台上吸起時，利用升高水溫或添加界面活性劑的方式，降低晶圓與研磨平台間之水溶液的表面張力，以減少晶圓被吸取時之形變，而改善嚴重之晶圓破片問題。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种于集成电路制程中避免晶圆在化学机械研磨(CMP)过程中破片的方法。系针对化学机械研磨之平坦化制程中，以抽真空方式利用晶圆载具将研磨完成之晶圆从研磨平台上吸起时，利用升高水温或添加界面活性剂的方式，降低晶圆与研磨平台间之水溶液的表面张力，以减少晶圆被吸取时之形变，而改善严重之晶圆破片问题。