公开(公告)号：TW493233B

公开(公告)日：2002-07-01

申请号：TW090115333

申请日：2001-06-22

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭錫圭 ,  王廷君 ,  林俞谷 ,  陳俊彰 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭露一種去除晶圓對準標記內殘留物之裝置，於洗邊系統固定位置上，加入至少一組對準標記清洗裝置，接著使用晶圓對位裝置，將位於晶圓上之至少一組對準標記與該至少一組對準標記清洗裝置進行對準，接著該對準標記清洗裝置會噴灑出稀釋硫酸清洗劑，來進行清除對準標記內之銅薄膜工作。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种去除晶圆对准标记内残留物之设备，于洗边系统固定位置上，加入至少一组对准标记清洗设备，接着使用晶圆对位设备，将位于晶圆上之至少一组对准标记与该至少一组对准标记清洗设备进行对准，接着该对准标记清洗设备会喷洒出稀释硫酸清洗剂，来进行清除对准标记内之铜薄膜工作。

公开(公告)号：TW382763B

公开(公告)日：2000-02-21

申请号：TW087100355

申请日：1998-01-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 詹俊清 ,  簡宏儒 ,  陳俊彰 ,  王英郎

IPC: H01L

Abstract: 一種在積體電路中形成低粒子數氧化矽層的方法，首先在進行穩定化步驟之前，先以氧化二氮N2O、氮氣N2或其混合氣體進行預流步驟。接著進行穩定化步驟，將反應氣體SiH4和N2O通入電漿加強式化學氣相沉積室，但不開啟電漿產生器的電源。最後進行沉積步驟，將反應氣體SiH4和 N20繼續通入該化學氣相沉積室，並開啟電漿產生器的電源，此時SiH4和N2O離子會在晶片表面反應而生成二氧化矽 SiO2，並沉積在晶片表面以形成二氧化矽薄膜。

Abstract in simplified Chinese: 一种在集成电路中形成低粒子数氧化硅层的方法，首先在进行稳定化步骤之前，先以氧化二氮N2O、氮气N2或其混合气体进行预流步骤。接着进行稳定化步骤，将反应气体SiH4和N2O通入等离子加强式化学气相沉积室，但不打开等离子产生器的电源。最后进行沉积步骤，将反应气体SiH4和 N20继续通入该化学气相沉积室，并打开等离子产生器的电源，此时SiH4和N2O离子会在芯片表面反应而生成二氧化硅 SiO2，并沉积在芯片表面以形成二氧化硅薄膜。

公开(公告)号：TW201436004A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102148963

申请日：2013-12-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 林瑀宏 ,  LIN, YU HUNG ,  魏伯州 ,  WEI, BOR JOU ,  陳俊彰 ,  CHEN, CHUN CHANG ,  梁耀祥 ,  LIANG, YAO HSIANG ,  張育民 ,  CHANG, YU MIN ,  林士琦 ,  LIN, SHIH CHI

IPC: H01L21/28 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L23/53238 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供之積體電路結構包括半導體基板與其上的介電層。積體電路結構更包括介電層中的導電打線。積體電路結構亦包括導電打線上的第一金屬蓋層，以及第一金屬蓋層上的第二金屬蓋層。第二金屬蓋層之寬度與第一金屬蓋層之寬度實質上相同。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供之集成电路结构包括半导体基板与其上的介电层。集成电路结构更包括介电层中的导电打线。集成电路结构亦包括导电打在线的第一金属盖层，以及第一金属盖层上的第二金属盖层。第二金属盖层之宽度与第一金属盖层之宽度实质上相同。

公开(公告)号：TW448086B

公开(公告)日：2001-08-01

申请号：TW088110147

申请日：1999-06-17

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 鄭文功 ,  簡宏儒 ,  陳俊彰 ,  王英郎

IPC: B24B ,  H01L

Abstract: 本發明係揭露一種於積體電路製程中避免晶圓在化學機械研磨(CMP)過程中破片的方法。係針對化學機械研磨之平坦化製程中，以抽真空方式利用晶圓載具將研磨完成之晶圓從研磨平台上吸起時，利用升高水溫或添加界面活性劑的方式，降低晶圓與研磨平台間之水溶液的表面張力，以減少晶圓被吸取時之形變，而改善嚴重之晶圓破片問題。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种于集成电路制程中避免晶圆在化学机械研磨(CMP)过程中破片的方法。系针对化学机械研磨之平坦化制程中，以抽真空方式利用晶圆载具将研磨完成之晶圆从研磨平台上吸起时，利用升高水温或添加界面活性剂的方式，降低晶圆与研磨平台间之水溶液的表面张力，以减少晶圆被吸取时之形变，而改善严重之晶圆破片问题。