公开(公告)号：TW487728B

公开(公告)日：2002-05-21

申请号：TW088114894

申请日：1999-08-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴珍貝

IPC: C09K

Abstract: 本發明係揭露一種製備掃描式電子顯微鏡試片之界面蝕刻溶液。本發明提供一種主要包括醋酸、硝酸、氟化銨等混合而成的界面蝕刻(stain)化學溶液，所述界面蝕刻液係對金屬與介電層具有良好的蝕刻選擇比及較慢蝕刻速率，特別是用於蝕刻含有低介電係數介電材質之積體電路晶片，使其平面結構明顯，以提供剖面掃描式電子顯微鏡(X-SEM)分析時一較佳之試片，如此才可提供真實且清晰之電子顯微鏡分析影像。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种制备扫描式电子显微镜试片之界面蚀刻溶液。本发明提供一种主要包括醋酸、硝酸、氟化铵等混合而成的界面蚀刻(stain)化学溶液，所述界面蚀刻液系对金属与介电层具有良好的蚀刻选择比及较慢蚀刻速率，特别是用于蚀刻含有低介电系数介电材质之集成电路芯片，使其平面结构明显，以提供剖面扫描式电子显微镜(X-SEM)分析时一较佳之试片，如此才可提供真实且清晰之电子显微镜分析影像。

公开(公告)号：TW379430B

公开(公告)日：2000-01-11

申请号：TW087110743

申请日：1998-07-02

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴珍貝 ,  陳力俊 ,  劉重希 ,  余振華

IPC: H01L

Abstract: 本發明提供一種低電阻率之金屬接觸的製造方法，其特徵在於形成一矽鍺合金層，藉以在較低的製程溫度下形成低電阻率之C-54鈦金屬矽化物。該製造方法包括：（a）在一半導體基底上形成一矽鍺合金層（Sivl-xGevx，其中0.4≦x

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种低电阻率之金属接触的制造方法，其特征在于形成一硅锗合金层，借以在较低的制程温度下形成低电阻率之C-54钛金属硅化物。该制造方法包括：（a）在一半导体基底上形成一硅锗合金层（Sivl-xGevx，其中0.4≦x<1）;（b）在此硅锗合金层表面形成一钛层（Ti）;以及（c）施行一热制程，使钛层与上述硅锗合金属反应，形成硅锗化钛（Ti(Sivl-xGevx)2）。

公开(公告)号：TW503511B

公开(公告)日：2002-09-21

申请号：TW088116785

申请日：1999-09-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴珍貝 ,  劉重希 ,  包天一 ,  章勳明 ,  張家龍 ,  王慧玲 ,  鄭文功

IPC: H01L

Abstract: 本發明係揭露一種積體電路中含氟介電層之製程方法。由於銅金屬具備有多項電性優勢，遂逐漸成為進入深次微米領域時最有可能性的金屬材料，而在多重銅金屬內連線製程中，則利用有機低介電係數(low k)介電層，例如：含氟矽玻璃 (FSG)來降低元件之電阻-電容延遲時間。但是，在經過化學機械研磨 (CMP)處理之後，所述含氟矽玻璃之吸濕性質易導致其表面產生氣泡狀突起，所述現象將減低與後續沉積層間之附著力，影響元件之可靠度與良率，故本發明揭露一種在CMP研磨完成後，利用高溫處理及/或電漿處理來消弭所述含氟矽玻璃表面因吸濕而產生氣泡狀突起的情形，提高其層間附著力，減少元件缺陷的產生。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种集成电路中含氟介电层之制程方法。由于铜金属具备有多项电性优势，遂逐渐成为进入深次微米领域时最有可能性的金属材料，而在多重铜金属内连接制程中，则利用有机低介电系数(low k)介电层，例如：含氟硅玻璃 (FSG)来降低组件之电阻-电容延迟时间。但是，在经过化学机械研磨 (CMP)处理之后，所述含氟硅玻璃之吸湿性质易导致其表面产生气泡状突起，所述现象将减低与后续沉积层间之附着力，影响组件之可靠度与良率，故本发明揭露一种在CMP研磨完成后，利用高温处理及/或等离子处理来消弭所述含氟硅玻璃表面因吸湿而产生气泡状突起的情形，提高其层间附着力，减少组件缺陷的产生。

公开(公告)号：TW376569B

公开(公告)日：1999-12-11

申请号：TW087104851

申请日：1998-03-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴珍貝 ,  陳力俊 ,  劉重希 ,  余振華

IPC: H01L

Abstract: 一種提昇銅與介電層附著能力之方法，可用於半導體元件之金屬內連線及其他製程中。此方法之步驟係:首先，在欲覆蓋銅之介電層(如二氧化矽層)表面形成一層氮化鈦。氮化鈦層係用以做為銅與介電層間之擴散阻障層，且其形成技術已趨於成熟。然後，在介電層表面形成一層鍺，以及，在鍺層表面形成一層銅。如此，鍺層與銅層便可在後段製程之高溫中反應形成一層鍺化銅，藉以提昇銅與介電層間之附著能力。在此發明中，由於氮化鈦及鍺化銅均相容於化學氣相沈積法，具有良好之溝填能力，因此可用於下一代更小尺寸之製程中。

Abstract in simplified Chinese: 一种提升铜与介电层附着能力之方法，可用于半导体组件之金属内连接及其他制程中。此方法之步骤系:首先，在欲覆盖铜之介电层(如二氧化硅层)表面形成一层氮化钛。氮化钛层系用以做为铜与介电层间之扩散阻障层，且其形成技术已趋于成熟。然后，在介电层表面形成一层锗，以及，在锗层表面形成一层铜。如此，锗层与铜层便可在后段制程之高温中反应形成一层锗化铜，借以提升铜与介电层间之附着能力。在此发明中，由于氮化钛及锗化铜均兼容于化学气相沉积法，具有良好之沟填能力，因此可用于下一代更小尺寸之制程中。

公开(公告)号：TW375808B

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：TW087104325

申请日：1998-03-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 劉重希 ,  余振華 ,  賴珍貝 ,  陳力俊

IPC: H01L

Abstract: 一種銅金屬內連線之製造方法。此方法之步驟係包括：首先，提供一進行銅金屬內連線之介電層，其表面具有數個開口，如介層接觸窗。然後，在介電層表面形成一層氮化鈦，在氮化鈦層表面形成一層銅，以及，利用離子植入法將鍺植入氮化鈦層及銅層接面，藉以使銅與鍺反應形成一層鍺化銅。氮化鈦層係用以做為銅金屬內連線之擴散阻障層。由銅與鍺反應得到之鍺化銅則用以做為銅金屬內連線之附著層。另外，離子植入法可垂直將鍺植入氮化鈦層及銅金屬內連線接面，或，傾斜一角度以進行植入。如此，鍺便可在離子植入時避免植入接觸窗及開口底部，使其接觸之電路元件受到離子植入破壞。

Abstract in simplified Chinese: 一种铜金属内连接之制造方法。此方法之步骤系包括：首先，提供一进行铜金属内连接之介电层，其表面具有数个开口，如介层接触窗。然后，在介电层表面形成一层氮化钛，在氮化钛层表面形成一层铜，以及，利用离子植入法将锗植入氮化钛层及铜层接面，借以使铜与锗反应形成一层锗化铜。氮化钛层系用以做为铜金属内连接之扩散阻障层。由铜与锗反应得到之锗化铜则用以做为铜金属内连接之附着层。另外，离子植入法可垂直将锗植入氮化钛层及铜金属内连接接面，或，倾斜一角度以进行植入。如此，锗便可在离子植入时避免植入接触窗及开口底部，使其接触之电路组件受到离子植入破坏。