公开(公告)号：TW447031B

公开(公告)日：2001-07-21

申请号：TW089103789

申请日：2000-03-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 章勳明 ,  鄭俊一 ,  張家龍

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭示一種淺溝槽隔離區(shallow trench isolation)的平坦化方法，其可減少習知技術所遭遇的淺碟凹陷(dishing)與侵蝕(erosion)現象，獲得均勻的階梯高度(step height)。本發明的方法係先使用高平坦度之研磨漿液進行化學機械研磨，在露出氮化矽遮蔽層（或習知技術所稱之"研磨終止層"）以前，將氧化層表面平坦化；然後（l)以蝕刻方式去除基底上多餘的氧化層，或者(2)改用高選擇比的漿液進行研磨，直到露出遮蔽層為止。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种浅沟槽隔离区(shallow trench isolation)的平坦化方法，其可减少习知技术所遭遇的浅碟凹陷(dishing)与侵蚀(erosion)现象，获得均匀的阶梯高度(step height)。本发明的方法系先使用高平坦度之研磨浆液进行化学机械研磨，在露出氮化硅屏蔽层（或习知技术所称之"研磨终止层"）以前，将氧化层表面平坦化；然后（l)以蚀刻方式去除基底上多余的氧化层，或者(2)改用高选择比的浆液进行研磨，直到露出屏蔽层为止。

公开(公告)号：TW420836B

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：TW088113619

申请日：1999-08-10

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 傅竹韻 ,  張家龍 ,  章勳明 ,  鄭雙銘

IPC: H01L

Abstract: 本發明提供一種減少複晶矽層表面粗糙度的方法，適用於半導體基底，上述方法為，在上述半導體基底表面形成一未摻雜複晶矽層，然後，視需要在上述未摻雜複晶矽層表面形成一覆蓋薄層。接著利用高密度電漿式化學氣相沈積(HDPCVD)之氬氣(Ar)或是氬氣加上氧氣(02)之濺擊方式(sputtering)，以平坦化上述未摻雜複晶矽層。根據本發明，可大幅改善複晶矽表面粗糙度過大的問題。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种减少复晶硅层表面粗糙度的方法，适用于半导体基底，上述方法为，在上述半导体基底表面形成一未掺杂复晶硅层，然后，视需要在上述未掺杂复晶硅层表面形成一覆盖薄层。接着利用高密度等离子式化学气相沉积(HDPCVD)之氩气(Ar)或是氩气加上氧气(02)之溅击方式(sputtering)，以平坦化上述未掺杂复晶硅层。根据本发明，可大幅改善复晶硅表面粗糙度过大的问题。

公开(公告)号：TWI690955B

公开(公告)日：2020-04-11

申请号：TW108128851

申请日：2019-08-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 徐慶鐘 ,  HSU, CHING-CHUNG ,  張天慈 ,  CHANG, GRACE ,  張家龍 ,  CHANG, CHUNG-LONG ,  楊宗育 ,  YANG, TSUNG-YU ,  林哲永 ,  LIN, CHE-YUNG ,  謝政傑 ,  HSIEH, CHENG-CHIEH ,  李虹錤 ,  LI, HUNG-CHI

IPC: H01F27/29

公开(公告)号：TW201731022A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：TW105131787

申请日：2016-09-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 盧禎發 ,  LU, CHEN-FA ,  蔡正原 ,  TSAI, CHENG-YUAN ,  徐慶鐘 ,  HSU, CHING-CHUNG ,  張家龍 ,  CHANG, CHUNG-LONG

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/5227 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/288 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2224/11

Abstract: 本揭露提供一種具有一超厚金屬(UTM)之半導體結構。該半導體結構包含一基板、位於該基板上方之一金屬層及位於該金屬層上方之一UTM。該UTM之一面積密度大於40％且該UTM之一厚度等於或大於6微米。本揭露提供一種用於製造具有一UTM之一半導體結構之方法。該方法包含：藉由一第一遮罩將一介電層圖案化成具有複數個溝槽；藉由一第二遮罩將定位於毗鄰溝槽之間的一台面上之一光阻劑圖案化；及在該複數個溝槽中選擇性地鍍覆導電材料。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种具有一超厚金属(UTM)之半导体结构。该半导体结构包含一基板、位于该基板上方之一金属层及位于该金属层上方之一UTM。该UTM之一面积密度大于40％且该UTM之一厚度等于或大于6微米。本揭露提供一种用于制造具有一UTM之一半导体结构之方法。该方法包含：借由一第一遮罩将一介电层图案化成具有复数个沟槽；借由一第二遮罩将定位于毗邻沟槽之间的一台面上之一光阻剂图案化；及在该复数个沟槽中选择性地镀覆导电材料。

公开(公告)号：TW201537637A

公开(公告)日：2015-10-01

申请号：TW103126710

申请日：2014-08-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 卡尼斯基 艾利克斯 ,  KALNITSKY, ALEX ,  張家龍 ,  CHANG, CHUNG LONG ,  蔡永智 ,  TSAI, YUNG CHIH ,  楊宗育 ,  YANG, TSUNG YU ,  陳耕佑 ,  CHEN, KENG YU ,  徐詠恩 ,  SYU, YONG EN

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/3226 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3046 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/7624 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/34

Abstract: 本揭露係關於具有富阱層之絕緣層覆矽基底及其相關形成方法，其中富阱層包括結晶缺陷且設置於操作晶圓中。在一些實施例中，此絕緣層覆矽基底具有操作晶圓。富阱層係設置於操作晶圓中，其位於毗接操作晶圓之一頂表面處，並具有多個用以捕捉載子之結晶缺陷。絕緣層，具有毗接操作晶圓頂表面之第一側及毗接主動矽薄層之相反的第二側。藉由將富阱層形成於操作晶圓中，可降低沉積富阱層材料(例如：多晶矽)於操作晶圓上之相關製造成本，並避免熱不穩定性問題。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露系关于具有富阱层之绝缘层覆硅基底及其相关形成方法，其中富阱层包括结晶缺陷且设置于操作晶圆中。在一些实施例中，此绝缘层覆硅基底具有操作晶圆。富阱层系设置于操作晶圆中，其位于毗接操作晶圆之一顶表面处，并具有多个用以捕捉载子之结晶缺陷。绝缘层，具有毗接操作晶圆顶表面之第一侧及毗接主动硅薄层之相反的第二侧。借由将富阱层形成于操作晶圆中，可降低沉积富阱层材料(例如：多晶硅)于操作晶圆上之相关制造成本，并避免热不稳定性问题。

公开(公告)号：TWI345302B

公开(公告)日：2011-07-11

申请号：TW096114006

申请日：2007-04-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 陳家逸 ,  張家龍 ,  趙治平

IPC: H01L

CPC classification number: H01L27/0805 ,  H01G4/38 ,  H01L23/5223 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種積體電路裝置，包括電容器陣列，其具有排列成行與列的單位電容器，其中每個單位電容器由兩電性絕緣的電容板組成。單位電容器具有至少一第一單位電容器，位於電容器陣列的每一行與每一列中，至少一第一單位電容器彼此互相電性連接，其中電容器陣列的每一列如同其他列與行，具有相同數量的至少一第一單位電容器，並且其中電容器陣列的每一行如同其他行與列，具有相同數量的至少一第一單位電容器。單位電容器更具有至少一第二單位電容器，位於上述電容器陣列的每一行與每一列中，其中至少一第二單位電容器彼此互相電性連接且平均分佈於電容器陣列中。

Abstract in simplified Chinese: 一种集成电路设备，包括电容器数组，其具有排列成行与列的单位电容器，其中每个单位电容器由两电性绝缘的电容板组成。单位电容器具有至少一第一单位电容器，位于电容器数组的每一行与每一列中，至少一第一单位电容器彼此互相电性连接，其中电容器数组的每一列如同其他列与行，具有相同数量的至少一第一单位电容器，并且其中电容器数组的每一行如同其他行与列，具有相同数量的至少一第一单位电容器。单位电容器更具有至少一第二单位电容器，位于上述电容器数组的每一行与每一列中，其中至少一第二单位电容器彼此互相电性连接且平均分布于电容器数组中。

公开(公告)号：TW421872B

公开(公告)日：2001-02-11

申请号：TW087119416

申请日：1998-11-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 施振業 ,  李進源 ,  張家龍

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭示一種自我對準接觸開口之插栓製程，其步驟包括:提供一包含有半導體元件之基底;形成一第一絕緣層適順性地覆蓋該半導體基底;依序形成一第二絕緣層及第三絕緣層於該第一絕緣層上;以微影程序及蝕刻技術定義出一露出該基底表面之自我對準接觸開口;形成一高溫摻雜複晶矽層於該第三絕緣層表面，並且覆蓋該自我對準接觸開口之內壁及底部;形成一低溫摻雜複晶矽層於該高溫摻雜複晶矽層上，並且溝填該自我對準接觸開口;以及施一平坦化處理，去除多餘的該高溫摻雜複晶矽層及該低溫摻雜複晶矽層，和部分的該第三絕緣層，於該自我對準接觸開口內形成一插栓。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种自我对准接触开口之插栓制程，其步骤包括:提供一包含有半导体组件之基底;形成一第一绝缘层适顺性地覆盖该半导体基底;依序形成一第二绝缘层及第三绝缘层于该第一绝缘层上;以微影进程及蚀刻技术定义出一露出该基底表面之自我对准接触开口;形成一高温掺杂复晶硅层于该第三绝缘层表面，并且覆盖该自我对准接触开口之内壁及底部;形成一低温掺杂复晶硅层于该高温掺杂复晶硅层上，并且沟填该自我对准接触开口;以及施一平坦化处理，去除多余的该高温掺杂复晶硅层及该低温掺杂复晶硅层，和部分的该第三绝缘层，于该自我对准接触开口内形成一插栓。

公开(公告)号：TW409297B

公开(公告)日：2000-10-21

申请号：TW088101147

申请日：1999-01-26

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 余振華 ,  張家龍 ,  章勳明

IPC: H01L

Abstract: 本發明揭示一種平坦化複晶矽閘電極之製造方法，其步驟包括：提供一半導體基底；依序形成一閘極氧化層以及一複晶矽層於該半導體基底上;形成一犧牲氧化層覆蓋該複晶矽層；利用平坦化法去除該犧牲氧化層以及部分的該複晶矽層，得到一表面平坦化的複晶矽層；形成一硬罩幕層於該表面平坦化的複晶矽層上；以及利用微影程序和蝕刻技術定義出一表面平坦化的複晶矽閘電極。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种平坦化复晶硅闸电极之制造方法，其步骤包括：提供一半导体基底；依序形成一闸极氧化层以及一复晶硅层于该半导体基底上;形成一牺牲氧化层覆盖该复晶硅层；利用平坦化法去除该牺牲氧化层以及部分的该复晶硅层，得到一表面平坦化的复晶硅层；形成一硬罩幕层于该表面平坦化的复晶硅层上；以及利用微影进程和蚀刻技术定义出一表面平坦化的复晶硅闸电极。

公开(公告)号：TW503511B

公开(公告)日：2002-09-21

申请号：TW088116785

申请日：1999-09-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 賴珍貝 ,  劉重希 ,  包天一 ,  章勳明 ,  張家龍 ,  王慧玲 ,  鄭文功

IPC: H01L

Abstract: 本發明係揭露一種積體電路中含氟介電層之製程方法。由於銅金屬具備有多項電性優勢，遂逐漸成為進入深次微米領域時最有可能性的金屬材料，而在多重銅金屬內連線製程中，則利用有機低介電係數(low k)介電層，例如：含氟矽玻璃 (FSG)來降低元件之電阻-電容延遲時間。但是，在經過化學機械研磨 (CMP)處理之後，所述含氟矽玻璃之吸濕性質易導致其表面產生氣泡狀突起，所述現象將減低與後續沉積層間之附著力，影響元件之可靠度與良率，故本發明揭露一種在CMP研磨完成後，利用高溫處理及/或電漿處理來消弭所述含氟矽玻璃表面因吸濕而產生氣泡狀突起的情形，提高其層間附著力，減少元件缺陷的產生。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种集成电路中含氟介电层之制程方法。由于铜金属具备有多项电性优势，遂逐渐成为进入深次微米领域时最有可能性的金属材料，而在多重铜金属内连接制程中，则利用有机低介电系数(low k)介电层，例如：含氟硅玻璃 (FSG)来降低组件之电阻-电容延迟时间。但是，在经过化学机械研磨 (CMP)处理之后，所述含氟硅玻璃之吸湿性质易导致其表面产生气泡状突起，所述现象将减低与后续沉积层间之附着力，影响组件之可靠度与良率，故本发明揭露一种在CMP研磨完成后，利用高温处理及/或等离子处理来消弭所述含氟硅玻璃表面因吸湿而产生气泡状突起的情形，提高其层间附着力，减少组件缺陷的产生。

公开(公告)号：TW468227B

公开(公告)日：2001-12-11

申请号：TW089126044

申请日：2000-12-07

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 蔡肇杰 ,  王是琦 ,  張家龍

IPC: H01L

Abstract: 本發明提供一種高頻金氧半場效電晶體及其製造方法，此電晶體包括：一半導體基底﹔一閘極，形成於該半導體基底上方﹔源極/汲極，形成於該閘極之兩側之半導體基底表面﹔一導電結構，覆蓋於該閘極表面，並且該導電結構的尺寸大於該閘極的尺寸﹔一第一絕緣層，形成於該半導體基底表面，並且覆蓋該源極/汲極﹔以及一第二絕緣層，形成於該第一絕緣層的表面，並且覆蓋該導電結構。根據本發明，能夠提高元件fmax以確保高頻金氧半場效電晶體放大訊號的能力。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种高频金氧半场效应管及其制造方法，此晶体管包括：一半导体基底﹔一闸极，形成于该半导体基底上方﹔源极/汲极，形成于该闸极之两侧之半导体基底表面﹔一导电结构，覆盖于该闸极表面，并且该导电结构的尺寸大于该闸极的尺寸﹔一第一绝缘层，形成于该半导体基底表面，并且覆盖该源极/汲极﹔以及一第二绝缘层，形成于该第一绝缘层的表面，并且覆盖该导电结构。根据本发明，能够提高组件fmax以确保高频金氧半场效应管放大信号的能力。