公开(公告)号：TWI588905B

公开(公告)日：2017-06-21

申请号：TW101113900

申请日：2007-04-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  CHUANG, HARRY ,  梁孟松 ,  LIANG, MONG SONG ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  高榮輝 ,  KAO, JUNG HUI ,  鄭鈞隆 ,  CHENG, CHUNG LONG ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  郭文輝 ,  GUO, WEN HUEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7843

公开(公告)号：TWI396239B

公开(公告)日：2013-05-11

申请号：TW096115336

申请日：2007-04-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 莊學理 ,  HARRY CHUANG ,  梁孟松 ,  LIANG, MONG SONG ,  鄭光茗 ,  THEI, KONG BENG ,  高榮輝 ,  KAO, JUNG HUI ,  鄭鈞隆 ,  CHENG, CHUNG LONG ,  鍾昇鎮 ,  CHUNG, SHENG CHEN ,  郭文輝 ,  GUO, WEN HUEI

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7843

公开(公告)号：TW201241936A

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：TW101113900

申请日：2007-04-30

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 莊學理 ,  梁孟松 ,  鄭光茗 ,  高榮輝 ,  鄭鈞隆 ,  鍾昇鎮 ,  郭文輝

IPC: H01L

CPC classification number: H01L21/823807 ,  H01L21/823864 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7843

Abstract: 一種半導體結構,包括:一基底包括一第一區域和一第二區域;一第一MOS元件位於第一區域中;一被動元件位於第二區域中,其中第一MOS元件和被動元件包括第一導電型態摻雜物,第一MOS元件之第一導電型態摻雜物的第一濃度較被動元件件之第一導電型態摻雜物的第二濃度高。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体结构,包括:一基底包括一第一区域和一第二区域;一第一MOS组件位于第一区域中;一被动组件位于第二区域中,其中第一MOS组件和被动组件包括第一导电型态掺杂物,第一MOS组件之第一导电型态掺杂物的第一浓度较被动组件件之第一导电型态掺杂物的第二浓度高。