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公开(公告)号：TW202008508A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126278
申请日：2019-07-25
Inventor： 吳歷杰 , WU, LI-CHIEH , 陳科維 , CHEN, KEI-WEI , 魏國修 , WEI, KUO-HSIU , 張棠貴 , CHANG, TANG-KUEI , 李佳璇 , LEE, CHIA-HSUAN , 林建錡 , LIN, JIAN-CI
IPC: H01L21/76 , H01L21/306
Abstract: 提供半導體裝置的結構與形成方法。方法包括形成導電結構於半導體基板上，並形成介電層於導電結構上。方法亦包括形成開口於介電層中，以露出導電結構。方法更包括形成導電材料以超填開口。此外，方法包括採用化學機械研磨製程薄化導電材料。化學機械研磨製程所用的研磨液包括含鐵氧化劑，且含鐵氧化劑氧化導電材料的一部份。
Abstract in simplified Chinese: 提供半导体设备的结构与形成方法。方法包括形成导电结构于半导体基板上，并形成介电层于导电结构上。方法亦包括形成开口于介电层中，以露出导电结构。方法更包括形成导电材料以超填开口。此外，方法包括采用化学机械研磨制程薄化导电材料。化学机械研磨制程所用的研磨液包括含铁氧化剂，且含铁氧化剂氧化导电材料的一部份。
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公开(公告)号：TW202007477A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108126279
申请日：2019-07-25
Inventor： 陳彥廷 , CHEN, YEN-TING , 龔俊豪 , KUNG, CHUN-HAO , 陳東楷 , CHEN, TUNG-KAI , 黃惠琪 , HUANG, HUI-CHI , 陳科維 , CHEN, KEI-WEI
IPC: B24B37/14
Abstract: 本揭露提供一種化學機械研磨系統，包括一頭部、一研磨墊以及一磁系統。化學機械研磨製程中所使用的漿料含有可磁化的磨料。藉由磁系統施加以及控制一磁場，允許精準控制漿料中的可磁化的磨料可如何被拉朝向晶圓或被拉朝向研磨墊。
Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种化学机械研磨系统，包括一头部、一研磨垫以及一磁系统。化学机械研磨制程中所使用的浆料含有可磁化的磨料。借由磁系统施加以及控制一磁场，允许精准控制浆料中的可磁化的磨料可如何被拉朝向晶圆或被拉朝向研磨垫。
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公开(公告)号：TWI613733B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW104142729
申请日：2015-12-18
Inventor： 蔡俊雄 , TSAI, CHUN HSIUNG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI
IPC: H01L21/336 , H01L29/772
CPC classification number: H01L29/66636 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TW201731104A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105122095
申请日：2016-07-13
Inventor： 蔡俊雄 , TSAI, CHUN HSIUNG , 游國豐 , YU, KUO FENG , 詹前泰 , CHAN, CHIEN TAI , 方子韋 , FANG, ZIWEI , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 楊懷德 , YANG, HUAI TEI
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L29/66492 , H01L29/66545 , H01L29/7833 , H01L29/785
Abstract: 本發明提供一種閘極結構、半導體裝置、及形成半導體裝置之方法。在許多實施例中，閘極結構包含閘極堆疊及覆於閘極堆疊之側壁上的經摻雜間隔墊片。閘極堆疊包含經摻雜功函數金屬(WFM)堆疊以及覆於經摻雜功函數金屬堆疊之上的金屬閘極電極。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种闸极结构、半导体设备、及形成半导体设备之方法。在许多实施例中，闸极结构包含闸极堆栈及覆于闸极堆栈之侧壁上的经掺杂间隔垫片。闸极堆栈包含经掺杂功函数金属(WFM)堆栈以及覆于经掺杂功函数金属堆栈之上的金属闸极电极。
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公开(公告)号：TW201727908A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105138501
申请日：2016-11-23
Inventor： 蔡俊雄 , TSAI, CHUN-HSIUNG , 詹前泰 , CHAN, CHIEN-TAI , 楊懷德 , YANG, HUAI-TEI , 陳科維 , CHEN, KEI-WEI , 方 子韋 , FANG, ZI-WEI
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7848 , H01L21/2236 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L29/66492 , H01L29/665 , H01L29/7834 , H01L29/785
Abstract: 本發明實施例揭露鰭式場效電晶體元件及其形成方法。根據一些實施例，鰭式場效電晶體元件包括具有至少一個鰭片的基底、橫跨至少一個鰭片的閘堆疊、在閘堆疊側邊的應變層以及在應變層上方的矽化物層。應變層在自應變層的表面算起約0 nm至5 nm的深度範圍內具有大於約2E20原子/cm3的硼表面濃度。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例揭露鳍式场效应管组件及其形成方法。根据一些实施例，鳍式场效应管组件包括具有至少一个鳍片的基底、横跨至少一个鳍片的闸堆栈、在闸堆栈侧边的应变层以及在应变层上方的硅化物层。应变层在自应变层的表面算起约0 nm至5 nm的深度范围内具有大于约2E20原子/cm3的硼表面浓度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201639166A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104126493
申请日：2015-08-14
Inventor： 蔡俊雄 , TSAI, CHUN HSIUNG , 楊懷德 , YANG, HUAI TEI , 游國豐 , YU, KUO FENG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI
IPC: H01L29/772 , H01L29/12 , H01L29/26 , H01L21/18
CPC classification number: H01L21/26 , H01L21/324 , H01L29/0847 , H01L29/16 , H01L29/165 , H01L29/30 , H01L29/36 , H01L29/66636 , H01L29/78 , H01L29/785
Abstract: 半導體結構包括基板與源極/汲極(S/D)接面。S/D接面與基板相連，且包含半導體材料。此半導體材料包含鍺，且鍺的組成含量介於約50%至約95%之間。
Abstract in simplified Chinese: 半导体结构包括基板与源极/汲极(S/D)接面。S/D接面与基板相连，且包含半导体材料。此半导体材料包含锗，且锗的组成含量介于约50%至约95%之间。
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公开(公告)号：TW201639153A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104142518
申请日：2015-12-17
Inventor： 蔡俊雄 , TSAI, CHUN HSIUNG , 游國豐 , YU, KUO FENG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI
CPC classification number: H01L29/7834 , H01L21/2236 , H01L21/2254 , H01L21/31155 , H01L21/324 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/66492 , H01L29/66803
Abstract: 半導體結構包含基材、第一半導體鰭片、第二半導體鰭片和第一輕摻雜汲極(lightly-doped drain；LDD)區域。在基材上設置第一半導體鰭片。第一半導體鰭片具有頂表面和側壁。在基材上設置第二半導體鰭片。第一半導體鰭片與第二半導體鰭片互相分離奈米級之距離。在至少一第一半導體鰭片之頂表面和側壁中設置第一輕摻雜汲極區域。
Abstract in simplified Chinese: 半导体结构包含基材、第一半导体鳍片、第二半导体鳍片和第一轻掺杂汲极(lightly-doped drain；LDD)区域。在基材上设置第一半导体鳍片。第一半导体鳍片具有顶表面和侧壁。在基材上设置第二半导体鳍片。第一半导体鳍片与第二半导体鳍片互相分离奈米级之距离。在至少一第一半导体鳍片之顶表面和侧壁中设置第一轻掺杂汲极区域。
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公开(公告)号：TW201635541A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104138928
申请日：2015-11-24
Inventor： 洪奇成 , HUNG, CHI CHENG , 王喻生 , WANG, YU SHENG , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L29/772 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/4966 , H01L21/28088 , H01L29/0847 , H01L29/517 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/78
Abstract: 一種半導體裝置包含：基板，第一和第二源極/汲極區和閘極堆疊件。第一和第二源極/汲極區設置在基板上。閘極堆疊件設置在基板上方以覆蓋第一和第二S/D區之間的通道區。閘極堆疊件包含：設置在基板上方的閘極介電層；以及設置在閘極介電層上並且配置為做為閘極堆疊件中的填充層的金屬合金；其中，金屬合金具有對應於蝕刻劑的第一腐蝕阻抗，蝕刻劑設計為用於去除含碳聚合物。
Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备包含：基板，第一和第二源极/汲极区和闸极堆栈件。第一和第二源极/汲极区设置在基板上。闸极堆栈件设置在基板上方以覆盖第一和第二S/D区之间的信道区。闸极堆栈件包含：设置在基板上方的闸极介电层；以及设置在闸极介电层上并且配置为做为闸极堆栈件中的填充层的金属合金；其中，金属合金具有对应于蚀刻剂的第一腐蚀阻抗，蚀刻剂设计为用于去除含碳聚合物。
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公开(公告)号：TWI521688B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW102121470
申请日：2013-06-18
Inventor： 郭俊廷 , KUO, CHUN TING , 陳科維 , CHEN, KEI WEI , 王英郎 , WANG, YING LANG , 魏國修 , WEI, KUO HSIU
IPC: H01L27/146 , H01L23/52
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L27/14687
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公开(公告)号：TW201430928A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102139344
申请日：2013-10-30
Inventor： 張棠貴 , CHANG, TANGKUEI , 魏國修 , WEI, KUOHSIU , 陳科維 , CHEN, KEIWEI , 羅唯仁 , LO, WEIJEN , 王英郎 , WANG, YINGLANG
IPC: H01L21/304
CPC classification number: B24B9/065 , B24B21/004 , B24B21/04
Abstract: 一種晶圓研磨機台之實施例包含研磨帶、研磨頭夾持研磨帶以及旋轉模組。旋轉模組係配置以在一晶圓研磨製程中轉動一晶圓，且研磨頭係配置以在晶圓研磨製程中對研磨帶施以朝向晶圓之第一表面的壓力。
Abstract in simplified Chinese: 一种晶圆研磨机台之实施例包含研磨带、研磨头夹持研磨带以及旋转模块。旋转模块系配置以在一晶圆研磨制程中转动一晶圆，且研磨头系配置以在晶圆研磨制程中对研磨带施以朝向晶圆之第一表面的压力。
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