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公开(公告)号：TWI578536B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW102118370
申请日：2013-05-24
发明人： 莊學理 , CHUANG, HARRY-HAK-LAY , 吳欣樺 , WU, SIN HUA , 費中豪 , FEI, CHUNG HAU , 朱鳴 , ZHU, MING , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU , 李彥儒 , LEE, YEN RU , 李啓弘 , LI, CHII HORNG , 李資良 , LEE, TZE LIANG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/205
CPC分类号： H01L27/1116 , H01L21/823807 , H01L21/823814
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公开(公告)号：TW201351652A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102118370
申请日：2013-05-24
发明人： 莊學理 , CHUANG, HARRY-HAK-LAY , 吳欣樺 , WU, SIN HUA , 費中豪 , FEI, CHUNG HAU , 朱鳴 , ZHU, MING , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU , 李彥儒 , LEE, YEN RU , 李啓弘 , LI, CHII HORNG , 李資良 , LEE, TZE LIANG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/205
CPC分类号： H01L27/1116 , H01L21/823807 , H01L21/823814
摘要： 一種半導體元件之製造方法，包括：形成一第一金氧半導體元件之一第一閘堆疊物於一半導體基板上；形成一第二金氧半導體元件之一第二閘堆疊物於該半導體基板上，其中該第一金氧半導體元件與該第二金氧半導體元件具有相反導電性；施行一第一磊晶製程，以形成用於該第二金氧半導體元件之一源極/汲極應力源，其中該源極/汲極應力源係鄰近該第二閘堆疊物；以及施行一第二磊晶製程，以同時形成一第一矽層與一第二矽層，其中該第一矽層係位於該半導體基板之一第一部上，且鄰近該第一閘堆疊物，且其中該第二矽層覆蓋了該源極/汲極應力源。
简体摘要： 一种半导体组件之制造方法，包括：形成一第一金属氧化物半导体组件之一第一闸堆栈物于一半导体基板上；形成一第二金属氧化物半导体组件之一第二闸堆栈物于该半导体基板上，其中该第一金属氧化物半导体组件与该第二金属氧化物半导体组件具有相反导电性；施行一第一磊晶制程，以形成用于该第二金属氧化物半导体组件之一源极/汲极应力源，其中该源极/汲极应力源系邻近该第二闸堆栈物；以及施行一第二磊晶制程，以同时形成一第一硅层与一第二硅层，其中该第一硅层系位于该半导体基板之一第一部上，且邻近该第一闸堆栈物，且其中该第二硅层覆盖了该源极/汲极应力源。
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公开(公告)号：TWI527103B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW102126415
申请日：2013-07-24
发明人： 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY , 吳欣樺 , WU, SIN HUA , 費中豪 , FEI, CHUNG HAU , 朱鳴 , ZHU, MING , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU
IPC分类号： H01L21/302 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L21/26593 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/0688 , H01L29/165 , H01L29/41758 , H01L29/6653 , H01L29/66553 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7843 , H01L29/7847 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TW201327724A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101148608
申请日：2012-12-20
发明人： 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 朱鳴 , ZHU, MING , 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU , 吳偉成 , WU, WEI CHENG , 梁家銘 , LIANG, CHIA MING , 吳欣樺 , WU, SIN HUA
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L29/7848
摘要： 一種金氧半導體裝置的製作方法，包括形成一p型金氧半導體裝置。此方法包括形成一閘極介電層於一半導體基板上之p型金氧半導體裝置區域內、形成一第一含金屬層於p型金氧半導體裝置區域內之上述閘極介電層上、使用一含氧製程氣體實施一處理於此p型金氧半導體裝置區域內之第一含金屬層、及形成一第二含金屬層於此p型金氧半導體裝置區域內之第一含金屬層上。上述第二含金屬層的功函數小於矽之中間能隙功函數。上述第一含金屬層及第二含金屬層形成上述p型金氧半導體裝置之閘極。
简体摘要： 一种金属氧化物半导体设备的制作方法，包括形成一p型金属氧化物半导体设备。此方法包括形成一闸极介电层于一半导体基板上之p型金属氧化物半导体设备区域内、形成一第一含金属层于p型金属氧化物半导体设备区域内之上述闸极介电层上、使用一含氧制程气体实施一处理于此p型金属氧化物半导体设备区域内之第一含金属层、及形成一第二含金属层于此p型金属氧化物半导体设备区域内之第一含金属层上。上述第二含金属层的功函数小于硅之中间能隙功函数。上述第一含金属层及第二含金属层形成上述p型金属氧化物半导体设备之闸极。
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公开(公告)号：TWI485809B
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：TW101148608
申请日：2012-12-20
发明人： 鍾昇鎮 , CHUNG, SHENG CHEN , 朱鳴 , ZHU, MING , 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU , 吳偉成 , WU, WEI CHENG , 梁家銘 , LIANG, CHIA MING , 吳欣樺 , WU, SIN HUA
IPC分类号： H01L21/8238 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/28088 , H01L21/823807 , H01L21/823842 , H01L21/823857 , H01L29/4966 , H01L29/513 , H01L29/517 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7843 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TW201407675A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102126415
申请日：2013-07-24
发明人： 莊學理 , CHUANG, HARRY HAK-LAY , 吳欣樺 , WU, SIN HUA , 費中豪 , FEI, CHUNG HAU , 朱鳴 , ZHU, MING , 楊寶如 , YOUNG, BAO RU
IPC分类号： H01L21/302 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/823814 , H01L21/26506 , H01L21/26586 , H01L21/26593 , H01L21/324 , H01L21/823807 , H01L27/092 , H01L29/0688 , H01L29/165 , H01L29/41758 , H01L29/6653 , H01L29/66553 , H01L29/66628 , H01L29/66636 , H01L29/7843 , H01L29/7847 , H01L29/7848
摘要： 一種半導體裝置的製造方法，包括：形成一閘疊於一基板上；形成一非晶區域於基板內，非晶區域相鄰於閘疊的一邊緣；形成一應力膜於基板上；進行一製程以形成帶有一夾止點(pinchoff point)的一錯位(dislocation)於基板中；移除至少一部分的錯位，以形成帶有一尖端的一凹槽於基板中；以及形成一源/汲元件於凹槽內。
简体摘要： 一种半导体设备的制造方法，包括：形成一闸叠于一基板上；形成一非晶区域于基板内，非晶区域相邻于闸叠的一边缘；形成一应力膜于基板上；进行一制程以形成带有一夹止点(pinchoff point)的一错位(dislocation)于基板中；移除至少一部分的错位，以形成带有一尖端的一凹槽于基板中；以及形成一源/汲组件于凹槽内。
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