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公开(公告)号：TWI691002B
公开(公告)日：2020-04-11
申请号：TW104136617
申请日：2015-11-06
发明人： 楊柏峰 , YOUNG, BO FENG , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林木滄 , LIN, MU TSANG , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 張哲豪 , ZHANG, ZHE HAO
IPC分类号： H01L21/441 , H01L29/06 , H01L29/772
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公开(公告)号：TWI623980B
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：TW105140877
申请日：2016-12-09
发明人： 羅威揚 , LO, WEI YANG , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 詹佳玲 , CHAN, CHIA LING , 林木滄 , LIN, MU TSANG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
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公开(公告)号：TW201711108A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105129952
申请日：2016-09-14
发明人： 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 游承諺 , YU, CHENG YEN , 楊柏峰 , YOUNG, BO FENG , 林木滄 , LIN, MU TSANG , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L29/7848 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/7854
摘要： 本揭露關於半導體裝置，藉由形成介電材料於凹陷中並與通道區相鄰，可控制凹陷中磊晶源極/汲極區的應變誘導材料之體積與形狀，進而控制通道區上的應力。在一些實施例中，半導體裝置具有磊晶源極/汲極區佈置於凹陷中，且凹陷位於通道區之相對兩側上的半導體主體之上表面中。閘極結構佈置於通道區上，且介電材料橫向地佈置於磊晶源極/汲極區與通道區之間。介電材料會消耗凹陷的部份體積，以降低形成於凹陷中的磊晶源極/汲極區中的應變誘導材料其體積。
简体摘要： 本揭露关于半导体设备，借由形成介电材料于凹陷中并与信道区相邻，可控制凹陷中磊晶源极/汲极区的应变诱导材料之体积与形状，进而控制信道区上的应力。在一些实施例中，半导体设备具有磊晶源极/汲极区布置于凹陷中，且凹陷位于信道区之相对两侧上的半导体主体之上表面中。闸极结构布置于信道区上，且介电材料横向地布置于磊晶源极/汲极区与信道区之间。介电材料会消耗凹陷的部份体积，以降低形成于凹陷中的磊晶源极/汲极区中的应变诱导材料其体积。
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公开(公告)号：TW201624576A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104136617
申请日：2015-11-06
发明人： 楊柏峰 , YOUNG, BO FENG , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 林木滄 , LIN, MU TSANG , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 張哲豪 , ZHANG, ZHE HAO
IPC分类号： H01L21/441 , H01L29/06 , H01L29/772
CPC分类号： H01L29/66545 , H01L29/4966 , H01L29/4983 , H01L29/6653 , H01L29/6656 , H01L29/66636 , H01L29/78
摘要： 提供了半導體元件之結構與形成方法。半導體元件結構包括了半導體基底與半導體基底上之閘極電極。半導體元件結構亦包括鄰近閘極電極之一源極/汲極結構。半導體元件結構更包括於該閘極電極之一側壁上之一間隔物元件，而間隔物元件包括具有一第一外表面之一上部以及具有一第二外表面之一下部。介於第一外表面與閘極電極之側壁之間的數個橫向距離為大體相同。介於第二外表面與閘極電極之側壁之間的數個橫向距離則沿自下部之一頂部朝向半導體基底增加。
简体摘要： 提供了半导体组件之结构与形成方法。半导体组件结构包括了半导体基底与半导体基底上之闸极电极。半导体组件结构亦包括邻近闸极电极之一源极/汲极结构。半导体组件结构更包括于该闸极电极之一侧壁上之一间隔物组件，而间隔物组件包括具有一第一外表面之一上部以及具有一第二外表面之一下部。介于第一外表面与闸极电极之侧壁之间的数个横向距离为大体相同。介于第二外表面与闸极电极之侧壁之间的数个横向距离则沿自下部之一顶部朝向半导体基底增加。
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公开(公告)号：TW201911573A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107126490
申请日：2018-07-31
发明人： 羅威揚 , LO, WEI YANG , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN
IPC分类号： H01L29/41
摘要： 半導體裝置包括：鰭狀結構，沿著第一軸延伸；第一源極/汲極結構，位於鰭狀結構的第一末端部份；以及約束層，位於鰭狀結構的第一末端部份的第一側，其中第一源極/汲極結構包括第一部份位於第一側，且第一部份包括沿著第二軸的較短延伸寬度；以及第二部份位於與第一側反向的第二側，且第二部份包括沿著第二軸的較長延伸寬度。
简体摘要： 半导体设备包括：鳍状结构，沿着第一轴延伸；第一源极/汲极结构，位于鳍状结构的第一末端部份；以及约束层，位于鳍状结构的第一末端部份的第一侧，其中第一源极/汲极结构包括第一部份位于第一侧，且第一部份包括沿着第二轴的较短延伸宽度；以及第二部份位于与第一侧反向的第二侧，且第二部份包括沿着第二轴的较长延伸宽度。
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公开(公告)号：TW201806155A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106111867
申请日：2017-04-10
发明人： 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 羅威揚 , LO, WEI YANG , 陳志山 , CHEN, CHIH SHAN
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/30604 , H01L21/823431 , H01L29/0649 , H01L29/0847 , H01L29/1054 , H01L29/167
摘要： 本揭露之實施例的結構包含第一鰭位於基底上方，第二鰭位於基底上方，第二鰭與第一鰭相鄰。隔離區圍繞第一鰭和第二鰭，隔離區的第一部分位於第一鰭與第二鰭之間。閘極結構沿著第一鰭和第二鰭的側壁和上表面上方設置，閘極結構定義第一鰭和第二鰭中的通道區。閘極密封間隙壁位於閘極結構的側壁上，閘極密封間隙壁的第一部分位於隔離區的第一部分上且位於第一鰭與第二鰭之間，以及源極/汲極區位於第一鰭和第二鰭上且與閘極結構相鄰。
简体摘要： 本揭露之实施例的结构包含第一鳍位于基底上方，第二鳍位于基底上方，第二鳍与第一鳍相邻。隔离区围绕第一鳍和第二鳍，隔离区的第一部分位于第一鳍与第二鳍之间。闸极结构沿着第一鳍和第二鳍的侧壁和上表面上方设置，闸极结构定义第一鳍和第二鳍中的信道区。闸极密封间隙壁位于闸极结构的侧壁上，闸极密封间隙壁的第一部分位于隔离区的第一部分上且位于第一鳍与第二鳍之间，以及源极/汲极区位于第一鳍和第二鳍上且与闸极结构相邻。
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公开(公告)号：TWI582989B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104123514
申请日：2015-07-21
发明人： 張哲豪 , ZHANG, ZHE HAO , 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 張哲誠 , CHANG, CHE CHENG , 張永融 , CHANG, YUNG JUNG
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/085 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7851 , H01L21/30604 , H01L21/31116 , H01L21/76224 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/6653 , H01L29/66795 , H01L29/7848
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公开(公告)号：TWI575601B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW104109025
申请日：2015-03-20
发明人： 陳建穎 , CHEN, CHANGYIN , 程潼文 , CHENG, TUNGWEN , 張哲誠 , CHANG, CHECHENG , 林志忠 , LIN, JRJUNG , 林志翰 , LIN, CHIHHAN
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/67
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L21/823481
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公开(公告)号：TWI641148B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW105139536
申请日：2016-11-30
发明人： 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 陳志山 , CHEN, CHIH SHAN , 林木滄 , LIN, MU TSANG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
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公开(公告)号：TW201724523A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105139536
申请日：2016-11-30
发明人： 程潼文 , CHENG, TUNG WEN , 陳志山 , CHEN, CHIH SHAN , 林木滄 , LIN, MU TSANG
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823475 , H01L23/528 , H01L29/0657 , H01L29/41791 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
摘要： 一種半導體元件包含半導體基材、複數半導體鰭片、閘極堆疊與磊晶結構。半導體鰭片係位於半導體基材上。半導體鰭片分別包含凹陷於其中。閘極堆疊係位於半導體鰭片之部分上，且此部分係鄰近凹陷。磊晶結構係橫跨半導體鰭片之凹陷。磊晶結構包含複數轉角與至少一凹槽，凹槽係位於於轉角之間，且凹槽具有一曲率半徑，此曲率半徑係大於轉角之至少一者的曲率半徑。
简体摘要： 一种半导体组件包含半导体基材、复数半导体鳍片、闸极堆栈与磊晶结构。半导体鳍片系位于半导体基材上。半导体鳍片分别包含凹陷于其中。闸极堆栈系位于半导体鳍片之部分上，且此部分系邻近凹陷。磊晶结构系横跨半导体鳍片之凹陷。磊晶结构包含复数转角与至少一凹槽，凹槽系位于于转角之间，且凹槽具有一曲率半径，此曲率半径系大于转角之至少一者的曲率半径。
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