公开(公告)号：TW202018866A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW108105879

申请日：2019-02-21

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔣昕志 ,  CHIANG, HSIN-CHIH

IPC: H01L21/77

Abstract: 在一些實施例中，本公開關於一種半導體裝置，其包括位於塊狀氧化物之上的半導體區，塊狀氧化物位於半導體基底之上。在塊狀氧化物上方有下部源極區，下部源極區通過半導體區的下部部分而在橫向上與下部汲極區間隔開。上部源極區通過半導體區的上部部分而在橫向上與上部汲極區間隔開且在垂直方向上與下部源極區及下部汲極區間隔開。上部源極區耦合到下部源極區，且上部汲極區耦合到下部汲極區。耦合到半導體基底且位於閘極氧化物之上的閘極電極位於半導體區的上部部分上方。半導體區的下部部分及上部部分分別包括第一通道區及第二通道區。

Abstract in simplified Chinese: 在一些实施例中，本公开关于一种半导体设备，其包括位于块状氧化物之上的半导体区，块状氧化物位于半导体基底之上。在块状氧化物上方有下部源极区，下部源极区通过半导体区的下部部分而在横向上与下部汲极区间隔开。上部源极区通过半导体区的上部部分而在横向上与上部汲极区间隔开且在垂直方向上与下部源极区及下部汲极区间隔开。上部源极区耦合到下部源极区，且上部汲极区耦合到下部汲极区。耦合到半导体基底且位于闸极氧化物之上的闸极电极位于半导体区的上部部分上方。半导体区的下部部分及上部部分分别包括第一信道区及第二信道区。

公开(公告)号：TWI616982B

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW104122488

申请日：2015-07-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 霍克孝 ,  HUO, KER HSIAO ,  蔣昕志 ,  CHIANG, HSIN CHIH ,  陳奕寰 ,  CHEN, YI HUAN ,  蔡俊琳 ,  TSAI, CHUN LIN ,  陳益民 ,  CHEN, YI MIN

IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/76202 ,  H01L28/20 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

公开(公告)号：TW201633460A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104122488

申请日：2015-07-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 霍克孝 ,  HUO, KER HSIAO ,  蔣昕志 ,  CHIANG, HSIN CHIH ,  陳奕寰 ,  CHEN, YI HUAN ,  蔡俊琳 ,  TSAI, CHUN LIN ,  陳益民 ,  CHEN, YI MIN

IPC: H01L21/8232 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/76202 ,  H01L28/20 ,  H01L29/063 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0882 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/405 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816

Abstract: 高電壓半導體裝置包括：具有第一導電型態的源極與汲極位於基板中；第一介電構件位於源極與汲極之間的基板表面上；漂移區位於基板中，其中漂移區具有第一導電型態；第一掺雜區具有第二導電型態且位於介電構件下的漂移區中，且第二導電型態與第一導電型態相反；具有第二導電型態的第二掺雜區位於漂移區中，其中第二掺雜區至少圍繞源極與汲極中的一者；電阻直接位於介電構件上；以及閘極直接位於介電構件上，其中閘極直接電性耦接至電阻。

Abstract in simplified Chinese: 高电压半导体设备包括：具有第一导电型态的源极与汲极位于基板中；第一介电构件位于源极与汲极之间的基板表面上；漂移区位于基板中，其中漂移区具有第一导电型态；第一掺杂区具有第二导电型态且位于介电构件下的漂移区中，且第二导电型态与第一导电型态相反；具有第二导电型态的第二掺杂区位于漂移区中，其中第二掺杂区至少围绕源极与汲极中的一者；电阻直接位于介电构件上；以及闸极直接位于介电构件上，其中闸极直接电性耦接至电阻。

公开(公告)号：TW201724362A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW105132404

申请日：2016-10-06

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 雷明達 ,  LEI, MING-TA ,  朱家驊 ,  CHU, CHIA-HUA ,  蔣昕志 ,  CHIANG, HSIN-CHIH ,  陳東村 ,  CHEN, TUNG-TSUN ,  鄭鈞文 ,  CHENG, CHUN-WEN

IPC: H01L21/77 ,  G01N27/407

CPC classification number: C23F4/00 ,  G01N27/128 ,  G01N33/0075 ,  H01L21/28

Abstract: 本揭露之一些實施例提供一種在一物聯網(IOT)中之氣體感測器。該氣體感測器包含一基板、經放置於該基板上方之一導體，及經放置於該導體上方之一感測膜。該導體具有：一俯視圖圖案，其包含複數個開口，該開口之一最小尺寸小於約4微米；及一周邊，其密封該開口。本揭露之一些實施例提供一種製造一氣體感測器之方法。該方法包含：接收一基板；於該基板上方形成一導體；圖案化該導體以藉由一蝕刻操作於該導體中形成複數個開口；及於該導體上方形成一氣體感測膜。該等開口係以一重複圖案配置，且該開口之一最小尺寸係約4微米。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露之一些实施例提供一种在一物联网(IOT)中之气体传感器。该气体传感器包含一基板、经放置于该基板上方之一导体，及经放置于该导体上方之一传感膜。该导体具有：一俯视图图案，其包含复数个开口，该开口之一最小尺寸小于约4微米；及一周边，其密封该开口。本揭露之一些实施例提供一种制造一气体传感器之方法。该方法包含：接收一基板；于该基板上方形成一导体；图案化该导体以借由一蚀刻操作于该导体中形成复数个开口；及于该导体上方形成一气体传感膜。该等开口系以一重复图案配置，且该开口之一最小尺寸系约4微米。