公开(公告)号：TWI683398B

公开(公告)日：2020-01-21

申请号：TW107138950

申请日：2018-11-02

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 黃育智 ,  HUANG, YU-CHIH ,  余振華 ,  YU, CHEN-HUA ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG-SHI ,  王垂堂 ,  WANG, CHUEI-TANG ,  蔡豪益 ,  TSAI, HAO-YI ,  劉家宏 ,  LIU, CHIA-HUNG ,  郭婷婷 ,  KUO, TING-TING ,  戴志軒 ,  TAI, CHIH-HSUAN ,  吳邦立 ,  WU, BAN-LI ,  曾英誠 ,  TSENG, YING-CHENG ,  賴季暉 ,  LAI, CHI-HUI

IPC分类号： H01L23/10 ,  H01L23/528 ,  H01L23/31

公开(公告)号：TW201838124A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106136205

申请日：2017-10-20

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 戴志軒 ,  TAI, CHIH HSUAN ,  郭婷婷 ,  KUO, TING TING ,  黃育智 ,  HUANG, YU CHIH ,  陳志華 ,  CHEN, CHIH HUA ,  蔡豪益 ,  TSAI, HAO YI ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI ,  余振華 ,  YU, CHEN HUA

IPC分类号： H01L23/52

摘要： 一種封裝結構包含半導體裝置、第一塑模化合物、通孔、第一介電層、第一重分佈線，和第二塑模化合物。第一塑模化合物與半導體裝置的側壁接觸。通孔位於第一塑模化合物，並電性連接到半導體裝置。第一介電層在半導體裝置上。第一重分佈線在第一介電層中並且電性連接到半導體裝置和通孔。第二塑模化合物與第一介電層的側壁接觸。

简体摘要： 一种封装结构包含半导体设备、第一塑模化合物、通孔、第一介电层、第一重分布线，和第二塑模化合物。第一塑模化合物与半导体设备的侧壁接触。通孔位于第一塑模化合物，并电性连接到半导体设备。第一介电层在半导体设备上。第一重分布线在第一介电层中并且电性连接到半导体设备和通孔。第二塑模化合物与第一介电层的侧壁接触。

公开(公告)号：TW201838048A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：TW106140609

申请日：2017-11-22

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 戴志軒 ,  TAI, CHIH HSUAN ,  郭婷婷 ,  KUO, TING TING ,  黃育智 ,  HUANG, YU CHIH ,  林志偉 ,  LIN, CHIH WEI ,  林修任 ,  LIN, HSIU JEN ,  陳志華 ,  CHEN, CHIH HUA ,  鄭明達 ,  CHENG, MING DA ,  謝靜華 ,  HSIEH, CHING HUA ,  蔡豪益 ,  TSAI, HAO YI ,  劉重希 ,  LIU, CHUNG SHI

IPC分类号： H01L21/60

摘要： 一種形成封裝結構之方法包含設置半導體裝置在第一介電層上方，其中第一重分佈線在第一介電層中，形成模製化合物在第一介電層上方並與半導體裝置之側壁接觸，形成第二介電層在模製化合物及半導體裝置上方，形成第一開口在第二介電層、模製化合物及第一介電層中以暴露第一重分佈線，以及形成第一導體在第一開口中，其中第一導體經電連接至第一重分佈線。

简体摘要： 一种形成封装结构之方法包含设置半导体设备在第一介电层上方，其中第一重分布线在第一介电层中，形成模制化合物在第一介电层上方并与半导体设备之侧壁接触，形成第二介电层在模制化合物及半导体设备上方，形成第一开口在第二介电层、模制化合物及第一介电层中以暴露第一重分布线，以及形成第一导体在第一开口中，其中第一导体经电连接至第一重分布线。