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公开(公告)号：TW201824548A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106127977
申请日：2017-08-17
Inventor： 魏嘉余 , WEI, CHIA YU , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI , 高境鴻 , KAO, CHING HUNG , 鄭枷彬 , CHENG, CHIA PIN , 李國政 , LEE, KUO CHENG , 黃薰瑩 , HUANG, HSUN YING , 林彥良 , LIN, YEN LIANG
IPC: H01L29/41
Abstract: 一種閘極結構包含閘極以及具有頂表面和底表面之第一隔離結構。閘極包含鄰近第一隔離結構的第一側壁、第二側壁、鄰近第一側壁之底部邊緣和第二側壁之底部邊緣的第一水平面。第一水平面位於第一隔離結構之頂表面與第一隔離結構之底表面之間。閘極亦包含鄰近第二側壁之頂部邊緣的第二水平面。由閘極結構界定出的有效通道寬度包含第二側壁之高度和第二水平面之寬度。
Abstract in simplified Chinese: 一种闸极结构包含闸极以及具有顶表面和底表面之第一隔离结构。闸极包含邻近第一隔离结构的第一侧壁、第二侧壁、邻近第一侧壁之底部边缘和第二侧壁之底部边缘的第一水平面。第一水平面位于第一隔离结构之顶表面与第一隔离结构之底表面之间。闸极亦包含邻近第二侧壁之顶部边缘的第二水平面。由闸极结构界定出的有效信道宽度包含第二侧壁之高度和第二水平面之宽度。
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公开(公告)号：TW201426839A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102144773
申请日：2013-12-06
Inventor： 鄭枷彬 , CHENG, CHIA PIN , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/78 , H01L22/32 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/00
Abstract: 半導體晶圓具有多個晶片晶粒區域以陣列方式排列於晶圓上，每一晶片晶粒區域包括封環區域，且封環區域具有一或多個第一組的多個多邊形結構。晶圓更包括多個切割線區域位於晶片晶粒區域之間。切割線區域包括一或多個第二組的多個多邊形結構。切割線區域與封環區域之間的相鄰之多邊形結構，在晶圓切割操作時平衡晶片晶粒區域之間的應力。
Abstract in simplified Chinese: 半导体晶圆具有多个芯片晶粒区域以数组方式排列于晶圆上，每一芯片晶粒区域包括封环区域，且封环区域具有一或多个第一组的多个多边形结构。晶圆更包括多个切割线区域位于芯片晶粒区域之间。切割线区域包括一或多个第二组的多个多边形结构。切割线区域与封环区域之间的相邻之多边形结构，在晶圆切割操作时平衡芯片晶粒区域之间的应力。
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公开(公告)号：TWI528440B
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW102144773
申请日：2013-12-06
Inventor： 鄭枷彬 , CHENG, CHIA PIN , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/78 , H01L22/32 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/00
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