半導體裝置及其製造方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号:TW201344917A

    公开(公告)日:2013-11-01

    申请号:TW102110603

    申请日:2013-03-26

    CPC classification number: H01L21/76229 H01L27/1463 H01L27/14643

    Abstract: 本發明揭露一種半導體裝置,包括一半導體基板,具有第一、第二及第三半導體裝置設置於其上。一主動區及區隔主動區的一外圍區設置於半導體基板上,其中第一半導體裝置設置於主動區而第二半導體裝置設置於外圍區。一第一淺溝槽隔離溝槽界定出至少一部分的主動區,且一第二淺溝槽隔離溝槽界定出至少一部分的外圍區,其中第二淺溝槽隔離溝槽的深度大致上深於第一淺溝槽隔離溝槽的深度。本發明亦揭露一種半導體裝置的製造方法。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种半导体设备,包括一半导体基板,具有第一、第二及第三半导体设备设置于其上。一主动区及区隔主动区的一外围区设置于半导体基板上,其中第一半导体设备设置于主动区而第二半导体设备设置于外围区。一第一浅沟槽隔离沟槽界定出至少一部分的主动区,且一第二浅沟槽隔离沟槽界定出至少一部分的外围区,其中第二浅沟槽隔离沟槽的深度大致上深于第一浅沟槽隔离沟槽的深度。本发明亦揭露一种半导体设备的制造方法。

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