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公开(公告)号：TW201334167A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101132935
申请日：2012-09-10
Inventor： 張嵐芳 , CHANG, LAN FANG , 蘇慶煌 , SU, CHING HWANQ , 游偉明 , YOU, WEI MING , 鄭志成 , JENG, CHIH CHERNG , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 郭福升 , KUO, FU SHENG
IPC: H01L27/146 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/103 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/1464 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本發明提供一種半導體元件及其製法，包括：一隔離區域，其中隔離區域從一基板之一第一側延伸到基板之一第二側，且隔離區域具有一第一摻雜質之第一濃度相鄰於基板之第二側；以及一第一光感測二極體相鄰於隔離區域，其中第一光感測二極體具有一第二摻雜質之第二濃度相鄰於基板之第二側，且第一摻雜質之第一濃度大於第二摻雜質之第二濃度，且第一摻雜質之導電性不同於第一摻雜質。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体组件及其制法，包括：一隔离区域，其中隔离区域从一基板之一第一侧延伸到基板之一第二侧，且隔离区域具有一第一掺杂质之第一浓度相邻于基板之第二侧；以及一第一光传感二极管相邻于隔离区域，其中第一光传感二极管具有一第二掺杂质之第二浓度相邻于基板之第二侧，且第一掺杂质之第一浓度大于第二掺杂质之第二浓度，且第一掺杂质之导电性不同于第一掺杂质。
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公开(公告)号：TW201332090A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101129143
申请日：2012-08-13
Inventor： 鄭宗期 , JENG, JUNG CHI , 鄭志成 , JENG, CHIH CHERNG , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 蘇慶煌 , SU, CHING HWANQ , 林彥華 , LIN, YAN HUA , 施侑伸 , SHIH, YU SHEN
IPC: H01L27/146 , H01L21/265
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L27/1461 , H01L27/1464 , H01L27/14689 , H01L31/103 , Y02E10/547
Abstract: 本發明一實施例提供一種背照式(back-side illuminated)互補式金氧半(CMOS)影像感測器包括利用第一高能量離子植入製程在基板上形成延伸的光主動區，以及利用第二高能量離子植入製程在基板上形成隔離區。隔離區圍繞延伸的光主動區，並與延伸的光主動區具有相同的深度。延伸的光主動區有助於提升光子轉換為電子的數量，因而提升量子效率。
Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种背照式(back-side illuminated)互补式金氧半(CMOS)影像传感器包括利用第一高能量离子植入制程在基板上形成延伸的光主动区，以及利用第二高能量离子植入制程在基板上形成隔离区。隔离区围绕延伸的光主动区，并与延伸的光主动区具有相同的深度。延伸的光主动区有助于提升光子转换为电子的数量，因而提升量子效率。
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公开(公告)号：TWI536564B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW103146500
申请日：2014-12-31
Inventor： 蕭茹雄 , HSIAO, RU SHANG , 王琳松 , WANG, LING SUNG , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 蔣振劼 , CHIANG, CHEN CHIEH
IPC: H01L29/772
CPC classification number: H01L29/1054 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66492 , H01L29/665 , H01L29/66545 , H01L29/66636 , H01L29/66651 , H01L29/78 , H01L29/7833 , H01L29/7834
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公开(公告)号：TWI497720B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW102110603
申请日：2013-03-26
Inventor： 洪嘉陽 , HUNG, CHIA YANG , 陳柏仁 , CHEN, PO ZEN , 楊思宏 , YANG, SZU HUNG , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 鄭易沂 , CHENG, I I
IPC: H01L29/78 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L27/1463 , H01L27/14643
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公开(公告)号：TWI536583B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW102140632
申请日：2013-11-08
Inventor： 林哲民 , LIN, CHE MIN , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 蘇斌嘉 , SU, PIN CHIA , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU
IPC: H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L31/06
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L27/14629 , H01L31/0232 , H01L31/10 , H01L31/115 , H01L31/18
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201431052A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102146358
申请日：2013-12-16
Inventor： 鄭易沂 , CHENG, I I , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 蘇斌嘉 , SU, PINCHIA , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/82 , H01L23/585 , H01L27/14 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本發明提供一種半導體裝置，包括：一晶粒，包括：多個第一邊緣；以及一半導體基板在前述晶粒中，其中前述半導體基板包括：一第一部分，包括多個第二邊緣，其未對準相對應之前述多個第一邊緣；以及一第二部分，其係自前述多個第二邊緣之一延伸至前述晶粒之前述多個第一邊緣之一，其中前述第二部分包括一第一端連接至前述多個第二邊緣之一，以及一第二端，其具有一邊緣對準於前述晶粒之前述多個第一邊緣之一。本發明另提供一種半導體裝置的製造方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种半导体设备，包括：一晶粒，包括：多个第一边缘；以及一半导体基板在前述晶粒中，其中前述半导体基板包括：一第一部分，包括多个第二边缘，其未对准相对应之前述多个第一边缘；以及一第二部分，其系自前述多个第二边缘之一延伸至前述晶粒之前述多个第一边缘之一，其中前述第二部分包括一第一端连接至前述多个第二边缘之一，以及一第二端，其具有一边缘对准于前述晶粒之前述多个第一边缘之一。本发明另提供一种半导体设备的制造方法。
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公开(公告)号：TW201426839A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW102144773
申请日：2013-12-06
Inventor： 鄭枷彬 , CHENG, CHIA PIN , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 陳信吉 , CHEN, HSIN CHI , 王英郎 , WANG, YING LANG
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/78 , H01L22/32 , H01L23/562 , H01L23/585 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/00
Abstract: 半導體晶圓具有多個晶片晶粒區域以陣列方式排列於晶圓上，每一晶片晶粒區域包括封環區域，且封環區域具有一或多個第一組的多個多邊形結構。晶圓更包括多個切割線區域位於晶片晶粒區域之間。切割線區域包括一或多個第二組的多個多邊形結構。切割線區域與封環區域之間的相鄰之多邊形結構，在晶圓切割操作時平衡晶片晶粒區域之間的應力。
Abstract in simplified Chinese: 半导体晶圆具有多个芯片晶粒区域以数组方式排列于晶圆上，每一芯片晶粒区域包括封环区域，且封环区域具有一或多个第一组的多个多边形结构。晶圆更包括多个切割线区域位于芯片晶粒区域之间。切割线区域包括一或多个第二组的多个多边形结构。切割线区域与封环区域之间的相邻之多边形结构，在晶圆切割操作时平衡芯片晶粒区域之间的应力。
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公开(公告)号：TW201421709A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW102140632
申请日：2013-11-08
Inventor： 林哲民 , LIN, CHE MIN , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 蘇斌嘉 , SU, PIN CHIA , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU
IPC: H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L31/06
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L27/14629 , H01L31/0232 , H01L31/10 , H01L31/115 , H01L31/18
Abstract: 本發明提供一種感光二極體結構，包括：一感光二極體；以及一凹面反射板設置於前述感光二極體之下，其中前述凹面反射板係配置成將來自上方的入射光反射回前述感光二極體。本發明並另提供其製造方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种感光二极管结构，包括：一感光二极管；以及一凹面反射板设置于前述感光二极管之下，其中前述凹面反射板系配置成将来自上方的入射光反射回前述感光二极管。本发明并另提供其制造方法。
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公开(公告)号：TW201344917A
公开(公告)日：2013-11-01
申请号：TW102110603
申请日：2013-03-26
Inventor： 洪嘉陽 , HUNG, CHIA YANG , 陳柏仁 , CHEN, PO ZEN , 楊思宏 , YANG, SZU HUNG , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 鄭易沂 , CHENG, I I
IPC: H01L29/78 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/76229 , H01L27/1463 , H01L27/14643
Abstract: 本發明揭露一種半導體裝置，包括一半導體基板，具有第一、第二及第三半導體裝置設置於其上。一主動區及區隔主動區的一外圍區設置於半導體基板上，其中第一半導體裝置設置於主動區而第二半導體裝置設置於外圍區。一第一淺溝槽隔離溝槽界定出至少一部分的主動區，且一第二淺溝槽隔離溝槽界定出至少一部分的外圍區，其中第二淺溝槽隔離溝槽的深度大致上深於第一淺溝槽隔離溝槽的深度。本發明亦揭露一種半導體裝置的製造方法。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种半导体设备，包括一半导体基板，具有第一、第二及第三半导体设备设置于其上。一主动区及区隔主动区的一外围区设置于半导体基板上，其中第一半导体设备设置于主动区而第二半导体设备设置于外围区。一第一浅沟槽隔离沟槽界定出至少一部分的主动区，且一第二浅沟槽隔离沟槽界定出至少一部分的外围区，其中第二浅沟槽隔离沟槽的深度大致上深于第一浅沟槽隔离沟槽的深度。本发明亦揭露一种半导体设备的制造方法。
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公开(公告)号：TWI543343B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW102146358
申请日：2013-12-16
Inventor： 鄭易沂 , CHENG, I I , 趙志剛 , CHAO, CHIH KANG , 簡榮亮 , CHIEN, VOLUME , 鄭志成 , JENG, CHI CHERNG , 蘇斌嘉 , SU, PINCHIA , 黃智睦 , HUANG, CHIH MU
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L21/82 , H01L23/585 , H01L27/14 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14634 , H01L27/14636 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/1469 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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