利索-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

6 records (took 0.02 seconds)

    半導體裝置及其製造方法
    1.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201731023A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105134960

    申请日：2016-10-28

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 黃意君 ,  HUANG, YI JYUN ,  謝東衡 ,  HSIEH, TUNG HENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8232 ,  H01L27/088

    CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

    Abstract: 本發明實施例提供一種半導體裝置，包括鰭結構、第一閘極結構、第二閘極結構、源極/汲極區、源極/汲極接觸、分隔物和接觸源極/汲極接觸之介層孔插塞和接觸介層孔插塞之導線。鰭結構突出於隔絕絕緣層且以第一方向延伸。第一閘極結構和第二閘極結構，形成於鰭結構上方且以交叉於第一方向的第二方向延伸。源/汲極區設置於第一閘極結構和第二閘極結構之間。層間絕緣層設置於鰭結構、第一閘極結構、第二閘極結構和源/汲極區上方。源極/汲極接觸層，設置於源/汲極區上。分隔物設置相鄰於源極/汲極接觸。第一閘極結構的末端、第二閘極結構的末端和源極/汲極接觸的末端接觸分隔物的相同面。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体设备，包括鳍结构、第一闸极结构、第二闸极结构、源极/汲极区、源极/汲极接触、分隔物和接触源极/汲极接触之介层孔插塞和接触介层孔插塞之导线。鳍结构突出于隔绝绝缘层且以第一方向延伸。第一闸极结构和第二闸极结构，形成于鳍结构上方且以交叉于第一方向的第二方向延伸。源/汲极区设置于第一闸极结构和第二闸极结构之间。层间绝缘层设置于鳍结构、第一闸极结构、第二闸极结构和源/汲极区上方。源极/汲极接触层，设置于源/汲极区上。分隔物设置相邻于源极/汲极接触。第一闸极结构的末端、第二闸极结构的末端和源极/汲极接触的末端接触分隔物的相同面。

    半導體裝置及其製造方法
    6.
    发明专利
    半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201730919A

    公开(公告)日：2017-09-01

    申请号：TW105134961

    申请日：2016-10-28

    Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 黃意君 ,  HUANG, YI JYUN ,  謝東衡 ,  HSIEH, TUNG HENG ,  楊寶如 ,  YOUNG, BAO RU

    IPC: H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L29/40 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66

    CPC classification number: H01L29/41791 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/28247 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/66795

    Abstract: 本發明實施例提供一種半導體裝置，包括第一鰭結構、第一閘極結構、第二閘極結構、第一源極/汲極區、層間絕緣層、第一源極/汲極接觸層和分離絕緣層。第一鰭結構突出於隔絕絕緣層，設置於基板上方且以第一方向延伸。第一閘極結構和第二閘極結構，形成於第一鰭結構上方且以交叉於第一方向的第二方向延伸。第一源極/汲極區設置於第一閘極結構和第二閘極結構之間。層間絕緣層設置於第一鰭結構、第一閘極結構、第二閘極結構和第一源極/汲極區上方。第一源極/汲極接觸層，設置於第一源極/汲極區上。分離絕緣層，設置相鄰於第一源極/汲極接觸層。第一閘極結構的末端、第二閘極結構的末端和第一源極/汲極接觸層的末端接觸分離絕緣層的相同面。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体设备，包括第一鳍结构、第一闸极结构、第二闸极结构、第一源极/汲极区、层间绝缘层、第一源极/汲极接触层和分离绝缘层。第一鳍结构突出于隔绝绝缘层，设置于基板上方且以第一方向延伸。第一闸极结构和第二闸极结构，形成于第一鳍结构上方且以交叉于第一方向的第二方向延伸。第一源极/汲极区设置于第一闸极结构和第二闸极结构之间。层间绝缘层设置于第一鳍结构、第一闸极结构、第二闸极结构和第一源极/汲极区上方。第一源极/汲极接触层，设置于第一源极/汲极区上。分离绝缘层，设置相邻于第一源极/汲极接触层。第一闸极结构的末端、第二闸极结构的末端和第一源极/汲极接触层的末端接触分离绝缘层的相同面。

Patent Agency Ranking