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公开(公告)号：TWI695432B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107137387
申请日：2018-10-23
Inventor： 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 高金福 , KAO, CHIN-FU , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 胡憲斌 , HU, HSIEN-PIN , 郭立中 , KUO, LI-CHUNG , 黃松輝 , HUANG, SUNG-HUI , 魏文信 , WEI, WEN-HSIN , 施應慶 , SHIH, YING-CHING , 洪志杰 , HUNG, CHIH-CHIEH , 夏興國 , HSIA, HSING-KUO , 黃賀昌 , HUANG, HEH-CHANG , 黃冠育 , HUANG, KUAN-YU , 林于順 , LIN, YU-SHUN
IPC: H01L21/31
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公开(公告)号：TWI670778B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW106135867
申请日：2017-10-19
Inventor： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 胡憲斌 , HU, HSIEN-PIN , 林俊成 , LIN, CHUN-CHENG , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 魏文信 , WEI, WEN-HSIN , 施應慶 , SHIH, YING-CHING , 吳集錫 , WU, CHI-HSI
IPC: H01L21/56 , H01L25/065
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公开(公告)号：TWI689982B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW107136332
申请日：2018-10-16
Inventor： 魏文信 , WEI, WEN-HSIN , 陳俊哲 , CHEN, CHUN-CHE , 莊文榮 , CHUANG, WEN-JUNG , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 胡憲斌 , HU, HSIEN-PIN , 張俊華 , CHANG, CHUN-HUA , 黃詩雯 , HUANG, SHIH-WEN , 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 林志明 , LIN, JHIH-MING , 謝宗揚 , HSIEH, TSUNG-YANG , 林志清 , LIN, CHIH-CHING
IPC: H01L21/302 , H01L23/522
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公开(公告)号：TW201947711A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108112627
申请日：2019-04-11
Inventor： 黃冠育 , HUANG, KUAN-YU , 黃松輝 , HUANG, SUNG-HUI , 許書嘉 , HSU, SHU CHIA , 陳律任 , CHEN, LEU-JEN , 劉亦瑋 , LIU, YI-WEI , 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 賴瑞協 , LAI, JUI-HSIEH , 陳琮瑜 , CHEN, TSUNG-YU , 黃建元 , HUANG, CHIEN-YUAN , 陳又維 , CHEN, YU-WEI
Abstract: 提供晶片封裝結構，其包含的基板具有第一表面和與第一表面相反的第二表面，在第一表面上的第一晶片結構和第二晶片結構，在第一表面上並且圍繞第一晶片結構和第二晶片結構的保護層，保護層的一部分位於第一晶片結構和第二晶片結構之間，以及在第二表面上並且延伸穿過保護層的上述部分的第一抗翹曲凸塊。晶片封裝結構還包含在第二表面上並且電連接到第一晶片結構或第二晶片結構的導電凸塊，第一抗翹曲凸塊比導電凸塊寬。
Abstract in simplified Chinese: 提供芯片封装结构，其包含的基板具有第一表面和与第一表面相反的第二表面，在第一表面上的第一芯片结构和第二芯片结构，在第一表面上并且围绕第一芯片结构和第二芯片结构的保护层，保护层的一部分位于第一芯片结构和第二芯片结构之间，以及在第二表面上并且延伸穿过保护层的上述部分的第一抗翘曲凸块。芯片封装结构还包含在第二表面上并且电连接到第一芯片结构或第二芯片结构的导电凸块，第一抗翘曲凸块比导电凸块宽。
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公开(公告)号：TWI665742B
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：TW107101756
申请日：2018-01-17
Inventor： 丁國強 , TING, KUO-CHIANG , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 俞篤豪 , YU, TU-HAO , 許家豪 , HSU, CHIA-HAO , 葉庭聿 , YEH, TING-YU
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L23/538 , H01L25/03
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201834086A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106135867
申请日：2017-10-19
Inventor： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 胡憲斌 , HU, HSIEN-PIN , 林俊成 , LIN, CHUN-CHENG , 盧思維 , LU, SZU-WEI , 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 魏文信 , WEI, WEN-HSIN , 施應慶 , SHIH, YING-CHING , 吳集錫 , WU, CHI-HSI
IPC: H01L21/56 , H01L25/065
Abstract: 實施例是一種方法，所述方法包括：使用第一電性連接件將第一晶粒貼合至第一組件的第一側；使用第二電性連接件將第二晶粒的第一側貼合至所述第一組件的所述第一側；將虛擬晶粒在所述第一組件的切割道區中貼合至所述第一組件的所述第一側；將蓋體結構黏著至所述第二晶粒的第二側；以及將所述第一組件及所述虛擬晶粒單體化，以形成封裝結構。
Abstract in simplified Chinese: 实施例是一种方法，所述方法包括：使用第一电性连接件将第一晶粒贴合至第一组件的第一侧；使用第二电性连接件将第二晶粒的第一侧贴合至所述第一组件的所述第一侧；将虚拟晶粒在所述第一组件的切割道区中贴合至所述第一组件的所述第一侧；将盖体结构黏着至所述第二晶粒的第二侧；以及将所述第一组件及所述虚拟晶粒单体化，以形成封装结构。
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公开(公告)号：TW201826403A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106117530
申请日：2017-05-26
Inventor： 陳偉銘 , CHEN, WEI-MING , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 丁國強 , TING, KUO-CHIANG , 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 俞篤豪 , YU, TU-HAO
IPC: H01L21/48
Abstract: 提供一種基底晶圓上晶片結構及其形成方法。所述方法包括將第一晶粒及第二晶粒貼合至中介層。所述方法還包括將第一基底貼合至所述第一晶粒的第一表面及所述第二晶粒的第一表面。所述第一基底包含矽。所述第一晶粒的所述第一表面與所述第一晶粒的貼合至所述中介層的表面相對，且所述第二晶粒的所述第一表面與所述第二晶粒的貼合至所述中介層的表面相對。所述方法包括將所述中介層結合至第二基底。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种基底晶圆上芯片结构及其形成方法。所述方法包括将第一晶粒及第二晶粒贴合至中介层。所述方法还包括将第一基底贴合至所述第一晶粒的第一表面及所述第二晶粒的第一表面。所述第一基底包含硅。所述第一晶粒的所述第一表面与所述第一晶粒的贴合至所述中介层的表面相对，且所述第二晶粒的所述第一表面与所述第二晶粒的贴合至所述中介层的表面相对。所述方法包括将所述中介层结合至第二基底。
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公开(公告)号：TW202018896A
公开(公告)日：2020-05-16
申请号：TW108122325
申请日：2019-06-26
Inventor： 余振華 , YU, CHEN-HUA , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 丁國強 , TING, KUO-CHIANG , 黃松輝 , HUANG, SUNG-HUI , 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 夏興國 , HSIA, HSING-KUO , 黃冠育 , HUANG, KUAN-YU
Abstract: 一種結構，包含光子積體電路晶粒、電積體電路晶粒、半導體障壁以及絕緣包封體。光子積體電路晶粒包含光輸入/輸出部分及鄰近於光輸入/輸出部分定位的凹槽，其中凹槽適用於側向插入至少一個光纖。電積體電路晶粒安置於光子積體電路晶粒上方且電性連接至光子積體電路晶粒。半導體障壁安置於光子積體電路晶粒上方。絕緣包封體安置於光子積體電路晶粒上方且側向地包封電積體電路晶粒及半導體障壁。
Abstract in simplified Chinese: 一种结构，包含光子集成电路晶粒、电集成电路晶粒、半导体障壁以及绝缘包封体。光子集成电路晶粒包含光输入/输出部分及邻近于光输入/输出部分定位的凹槽，其中凹槽适用于侧向插入至少一个光纤。电集成电路晶粒安置于光子集成电路晶粒上方且电性连接至光子集成电路晶粒。半导体障壁安置于光子集成电路晶粒上方。绝缘包封体安置于光子集成电路晶粒上方且侧向地包封电集成电路晶粒及半导体障壁。
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公开(公告)号：TW201919123A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107136332
申请日：2018-10-16
Inventor： 魏文信 , WEI, WEN-HSIN , 陳俊哲 , CHEN, CHUN-CHE , 莊文榮 , CHUANG, WEN-JUNG , 吳集錫 , WU, CHI-HSI , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 胡憲斌 , HU, HSIEN-PIN , 張俊華 , CHANG, CHUN-HUA , 黃詩雯 , HUANG, SHIH-WEN , 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 林志明 , LIN, JHIH-MING , 謝宗揚 , HSIEH, TSUNG-YANG , 林志清 , LIN, CHIH-CHING
IPC: H01L21/302 , H01L23/522
Abstract: 一種插入式基底在鄰近區域之間製有切割道。在實施例中，單獨曝光罩用以圖案化切割道。圖案化切割道的曝光罩將產生曝光區域，所述曝光區域與用以形成鄰近區域的曝光區域重疊且懸突。
Abstract in simplified Chinese: 一种插入式基底在邻近区域之间制有切割道。在实施例中，单独曝光罩用以图案化切割道。图案化切割道的曝光罩将产生曝光区域，所述曝光区域与用以形成邻近区域的曝光区域重叠且悬突。
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公开(公告)号：TW201715676A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105134977
申请日：2016-10-28
Inventor： 陳偉銘 , CHEN, WEI-MING , 胡憲斌 , HU, HSIEN-PIN , 侯上勇 , HOU, SHANG-YUN , 魏文信 , WEI, WEN-HSIN
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L25/0655 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3142 , H01L23/49811 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/92 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/04105 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/11424 , H01L2224/11464 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/73209 , H01L2224/73259 , H01L2224/81005 , H01L2224/81815 , H01L2224/92124 , H01L2224/92224 , H01L2224/97 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051
Abstract: 提供一種半導體裝置以及一種形成所述裝置的方法。所述半導體裝置包含具有第一多個接觸接墊的第一晶粒以及具有第二多個接觸接墊的第二晶粒。基板以與所述第一晶粒以及所述第二晶粒呈面對面定向的方式接合至所述第一多個接觸接墊中的第一接觸接墊以及所述第二多個接觸接墊中的第一接觸接墊。第一穿孔延伸穿過所述基板。模製材料插入於所述第一晶粒、所述第二晶粒與所述基板之間，所述模製材料沿著所述第一晶粒、所述第二晶粒以及所述基板的側壁延伸。第二穿孔定位於第一多個接觸接墊中的第二接觸接墊上方，所述第二穿孔延伸穿過模製材料。
Abstract in simplified Chinese: 提供一种半导体设备以及一种形成所述设备的方法。所述半导体设备包含具有第一多个接触接垫的第一晶粒以及具有第二多个接触接垫的第二晶粒。基板以与所述第一晶粒以及所述第二晶粒呈面对面定向的方式接合至所述第一多个接触接垫中的第一接触接垫以及所述第二多个接触接垫中的第一接触接垫。第一穿孔延伸穿过所述基板。模制材料插入于所述第一晶粒、所述第二晶粒与所述基板之间，所述模制材料沿着所述第一晶粒、所述第二晶粒以及所述基板的侧壁延伸。第二穿孔定位于第一多个接触接垫中的第二接触接垫上方，所述第二穿孔延伸穿过模制材料。
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