半導體裝置及產生佈局的方法
    2.
    发明专利
    半導體裝置及產生佈局的方法 审中-公开
    半导体设备及产生布局的方法

    公开(公告)号:TW201834186A

    公开(公告)日:2018-09-16

    申请号:TW106141624

    申请日:2017-11-29

    摘要: 一種包括主動區域及結構的半導體裝置。主動區域在基底上被形成為預定形狀且以具有第一路徑及第二路徑的柵格為基準排列,第一路徑及第二路徑實質上平行於對應的第一方向與第二方向,第一方向正交於第二方向;主動區域被組織成具有第一導電性的第一列的實例及具有第二導電性的第二列的實例。第一列及第二列的每一實例包括對應的第一預定數目個及第二預定數目個第一路徑。結構具有至少兩個鄰接的列,包括:在第一方向上具有第一寬度的第一列的至少一個實例;以及在第一方向上具有第二寬度的第二列的至少一個實例。第二寬度不同於第一寬度。

    简体摘要: 一种包括主动区域及结构的半导体设备。主动区域在基底上被形成为预定形状且以具有第一路径及第二路径的栅格为基准排列,第一路径及第二路径实质上平行于对应的第一方向与第二方向,第一方向正交于第二方向;主动区域被组织成具有第一导电性的第一列的实例及具有第二导电性的第二列的实例。第一列及第二列的每一实例包括对应的第一预定数目个及第二预定数目个第一路径。结构具有至少两个邻接的列,包括:在第一方向上具有第一宽度的第一列的至少一个实例;以及在第一方向上具有第二宽度的第二列的至少一个实例。第二宽度不同于第一宽度。