公开(公告)号：TWI476911B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：TW101129143

申请日：2012-08-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭宗期 ,  JENG, JUNG CHI ,  鄭志成 ,  JENG, CHIH CHERNG ,  趙志剛 ,  CHAO, CHIH KANG ,  蘇慶煌 ,  SU, CHING HWANQ ,  林彥華 ,  LIN, YAN HUA ,  施侑伸 ,  SHIH, YU SHEN

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/547

公开(公告)号：TW201919100A

公开(公告)日：2019-05-16

申请号：TW107117734

申请日：2018-05-24

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭志成 ,  JENG, CHI CHERNG ,  程世偉 ,  CHENG, SHYH WEI ,  張澐 ,  CHANG, YUN ,  蔣振劼 ,  CHIANG, CHEN CHIEH ,  鄭宗期 ,  JENG, JUNG CHI

IPC: H01L21/027

Abstract: 提供半導體裝置結構的形成方法，此方法包含在介電層上方形成第一遮罩層，第一遮罩層具有溝槽，溝槽具有內壁和底表面。此方法包含在第一溝槽中形成第二遮罩層。此方法包含移除覆蓋底表面的第二遮罩層，以在第二遮罩層中形成第二溝槽，第二溝槽暴露出底表面且在介電層的第一部分上方，留下的第二遮罩層覆蓋內壁。此方法包含移除第一部分、第一遮罩層和第二遮罩層，以在介電層中形成第三溝槽。此方法包含在第三溝槽中形成導電結構。

Abstract in simplified Chinese: 提供半导体设备结构的形成方法，此方法包含在介电层上方形成第一遮罩层，第一遮罩层具有沟槽，沟槽具有内壁和底表面。此方法包含在第一沟槽中形成第二遮罩层。此方法包含移除覆盖底表面的第二遮罩层，以在第二遮罩层中形成第二沟槽，第二沟槽暴露出底表面且在介电层的第一部分上方，留下的第二遮罩层覆盖内壁。此方法包含移除第一部分、第一遮罩层和第二遮罩层，以在介电层中形成第三沟槽。此方法包含在第三沟槽中形成导电结构。

公开(公告)号：TWI473219B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：TW101148606

申请日：2012-12-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡宗翰 ,  TSAI, TSUNG HAN ,  鄭宗期 ,  JENG, JUNG CHI ,  張岳青 ,  CHANG, YUEH CHING ,  簡榮亮 ,  CHIEN, VOLUME ,  黃宏達 ,  HUANG, HUNG TA ,  鄭志成 ,  JENG, CHI CHERNG

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05087 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

公开(公告)号：TW201340266A

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：TW101148606

申请日：2012-12-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 蔡宗翰 ,  TSAI, TSUNG HAN ,  鄭宗期 ,  JENG, JUNG CHI ,  張岳青 ,  CHANG, YUEH CHING ,  簡榮亮 ,  CHIEN, VOLUME ,  黃宏達 ,  HUANG, HUNG TA ,  鄭志成 ,  JENG, CHI CHERNG

IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05087 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

Abstract: 本發明一實施例提供一種接合墊結構及其形成方法。接合墊結構包括：基板；第一導電島，形成於第一介電層中並設置於基板上；第一通孔陣列，具有多個通孔形成於第二介電層中，並設置於第一導電島上；第二導電島，形成於第三介電層中，且設置於第一通孔陣列上；以及接合墊，設置於第二導電島上，其中第一導電島、第一通孔陣列、及第二導電島電性連接至該接合墊，該第一通孔陣列除了連接至該第一導電島之外沒有連接至第一介電層中的其他導電島，且除了第二導電島之外在第三介電層中沒有其他導電島連接至第一通孔陣列。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种接合垫结构及其形成方法。接合垫结构包括：基板；第一导电岛，形成于第一介电层中并设置于基板上；第一通孔数组，具有多个通孔形成于第二介电层中，并设置于第一导电岛上；第二导电岛，形成于第三介电层中，且设置于第一通孔数组上；以及接合垫，设置于第二导电岛上，其中第一导电岛、第一通孔数组、及第二导电岛电性连接至该接合垫，该第一通孔数组除了连接至该第一导电岛之外没有连接至第一介电层中的其他导电岛，且除了第二导电岛之外在第三介电层中没有其他导电岛连接至第一通孔数组。

公开(公告)号：TW201332090A

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW101129143

申请日：2012-08-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 鄭宗期 ,  JENG, JUNG CHI ,  鄭志成 ,  JENG, CHIH CHERNG ,  趙志剛 ,  CHAO, CHIH KANG ,  蘇慶煌 ,  SU, CHING HWANQ ,  林彥華 ,  LIN, YAN HUA ,  施侑伸 ,  SHIH, YU SHEN

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L27/1461 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14689 ,  H01L31/103 ,  Y02E10/547

Abstract: 本發明一實施例提供一種背照式(back-side illuminated)互補式金氧半(CMOS)影像感測器包括利用第一高能量離子植入製程在基板上形成延伸的光主動區，以及利用第二高能量離子植入製程在基板上形成隔離區。隔離區圍繞延伸的光主動區，並與延伸的光主動區具有相同的深度。延伸的光主動區有助於提升光子轉換為電子的數量，因而提升量子效率。

Abstract in simplified Chinese: 本发明一实施例提供一种背照式(back-side illuminated)互补式金氧半(CMOS)影像传感器包括利用第一高能量离子植入制程在基板上形成延伸的光主动区，以及利用第二高能量离子植入制程在基板上形成隔离区。隔离区围绕延伸的光主动区，并与延伸的光主动区具有相同的深度。延伸的光主动区有助于提升光子转换为电子的数量，因而提升量子效率。