公开(公告)号：TW201434135A

公开(公告)日：2014-09-01

申请号：TW102149400

申请日：2013-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED

Inventor： 洪照俊 ,  HORNG, JAW JUINN ,  葉人豪 ,  YEH, JEN HAO ,  楊富智 ,  YANG, FU CHIH ,  陳重輝 ,  CHEN, CHUNG HUI

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L29/02 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/7816

Abstract: 提供了一種用於半導體結構的保護結構。該保護結構包括第一保護環、第二保護環以及第三保護環。該第一保護環具有第一導電性類型。該第二保護環具有第二導電性類型，並圍繞該第一保護環。該第三保護環具有該第一導電性類型，並圍繞該第二保護環，其中該第一、第二以及第三保護環接地。也提供了一種形成用於半導體佈局圖案的保護佈局圖案的方法。

Abstract in simplified Chinese: 提供了一种用于半导体结构的保护结构。该保护结构包括第一保护环、第二保护环以及第三保护环。该第一保护环具有第一导电性类型。该第二保护环具有第二导电性类型，并围绕该第一保护环。该第三保护环具有该第一导电性类型，并围绕该第二保护环，其中该第一、第二以及第三保护环接地。也提供了一种形成用于半导体布局图案的保护布局图案的方法。

公开(公告)号：TWI559496B

公开(公告)日：2016-11-21

申请号：TW102149400

申请日：2013-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LIMITED

Inventor： 洪照俊 ,  HORNG, JAW JUINN ,  葉人豪 ,  YEH, JEN HAO ,  楊富智 ,  YANG, FU CHIH ,  陳重輝 ,  CHEN, CHUNG HUI

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76 ,  H01L21/761 ,  H01L29/02 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/7816

公开(公告)号：TWI613757B

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW104115618

申请日：2015-05-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳重輝 ,  CHEN, CHUNGHUI

IPC: H01L21/768

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F17/5077 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L2027/11875 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI575709B

公开(公告)日：2017-03-21

申请号：TW104112172

申请日：2015-04-16

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 陳重輝 ,  CHEN, CHUNG HUI

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/42392 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827

公开(公告)号：TW201606936A

公开(公告)日：2016-02-16

申请号：TW104115618

申请日：2015-05-15

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 陳重輝 ,  CHEN, CHUNGHUI

IPC: H01L21/768

CPC classification number: G06F17/50 ,  G06F17/5077 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76838 ,  H01L23/528 ,  H01L27/0207 ,  H01L2027/11875 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種方法中，形成電路的導線。將複數個訊號軌跡之訊號軌跡分組為複數個第一訊號軌跡之第一群組或複數個第二訊號軌跡之第二群組。利用第一光罩形成用於第一群組之第一訊號軌跡的第一導線。利用第二光罩形成用於第二群組之第二訊號軌跡第二導線。第一訊號軌跡每一者具有第一寬度。第二訊號軌跡具有相異於第一寬度之第二寬度。分組步驟基於以下條件至少一者：流經該複數個訊號軌跡之該些訊號軌跡之訊號軌跡的電流、訊號軌跡之長度、訊號軌跡之電阻率或訊號軌跡之電阻率電容常數。

Abstract in simplified Chinese: 一种方法中，形成电路的导线。将复数个信号轨迹之信号轨迹分组为复数个第一信号轨迹之第一群组或复数个第二信号轨迹之第二群组。利用第一光罩形成用于第一群组之第一信号轨迹的第一导线。利用第二光罩形成用于第二群组之第二信号轨迹第二导线。第一信号轨迹每一者具有第一宽度。第二信号轨迹具有相异于第一宽度之第二宽度。分组步骤基于以下条件至少一者：流经该复数个信号轨迹之该些信号轨迹之信号轨迹的电流、信号轨迹之长度、信号轨迹之电阻率或信号轨迹之电阻率电容常数。

公开(公告)号：TW201820587A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW106124893

申请日：2017-07-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 陳萬得 ,  CHEN, WAN-TE ,  陳重輝 ,  CHEN, CHUNG-HUI ,  陳啟平 ,  CHEN, CHII-PING ,  林忠億 ,  LIN, CHUNG-YI ,  黃文社 ,  HUANG, WEN-SHEH

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/088

Abstract: 本揭露實施例揭露一種半導體裝置。該半導體裝置包含：一第一組導電層，其與一主動裝置耦合；一第二組導電層，其用於連接至一外部裝置；一組中間導電層，其介於該第一組導電層與該第二組導電層之間；及一電阻層，其放置於該組中間導電層中。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露实施例揭露一种半导体设备。该半导体设备包含：一第一组导电层，其与一主动设备耦合；一第二组导电层，其用于连接至一外部设备；一组中间导电层，其介于该第一组导电层与该第二组导电层之间；及一电阻层，其放置于该组中间导电层中。

公开(公告)号：TWI500075B

公开(公告)日：2015-09-11

申请号：TW102118581

申请日：2013-05-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 胡嘉欣 ,  HU, CHIA HSIN ,  張勝傑 ,  CHANG, SUN JAY ,  洪照俊 ,  HORNG, JAW JUINN ,  陳重輝 ,  CHEN, CHUNG HUI

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8248

CPC classification number: H01L27/0623 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0635 ,  H01L27/0664 ,  H01L27/0814 ,  H01L29/861

公开(公告)号：TWI472942B

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：TW101144432

申请日：2012-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭永州 ,  PENG, YUNG CHOW ,  陳重輝 ,  CHEN, CHUNG HUI ,  陳建宏 ,  CHEN, CHIEN HUNG ,  康伯堅 ,  KANG, PO ZENG

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70

公开(公告)号：TW201331776A

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW101144432

申请日：2012-11-28

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭永州 ,  PENG, YUNG CHOW ,  陳重輝 ,  CHEN, CHUNG HUI ,  陳建宏 ,  CHEN, CHIEN HUNG ,  康伯堅 ,  KANG, PO ZENG

IPC: G06F17/50

CPC classification number: G06F17/5081 ,  G03F1/36 ,  G03F1/70

Abstract: 一種驗證方法，用以驗證半導體裝置佈局的元件特性密度變化及偏差。將一佈局設計切分成複數視窗。測量判斷每一視窗的元件特性密度。佈局設計具有許多元件區。比較一元件區與圍繞區域或是其它區域間的元件特性密度平均值，用以得知元件特性密度變化。從一特定區域到圍繞區域的元件特性密度變化亦被監測。驗證方法係儲存於一電腦可讀取儲存媒體中，並由一處理器所執行。

Abstract in simplified Chinese: 一种验证方法，用以验证半导体设备布局的组件特性密度变化及偏差。将一布局设计切分成复数窗口。测量判断每一窗口的组件特性密度。布局设计具有许多组件区。比较一组件区与围绕区域或是其它区域间的组件特性密度平均值，用以得知组件特性密度变化。从一特定区域到围绕区域的组件特性密度变化亦被监测。验证方法系存储于一电脑可读取存储媒体中，并由一处理器所运行。

公开(公告)号：TW533548B

公开(公告)日：2003-05-21

申请号：TW090102411

申请日：2001-02-05

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司

Inventor： 王文泰 ,  陳重輝

IPC: H01L

Abstract: 應用於超深次微米互補金氧半場效電晶體之位準偏移裝置發明摘要:
本發明包含電流補償器，所述之電流補償器連接於位準偏移器，在位準偏移器由輸入端輸入訊號電位轉換時，以補償位準偏移器之輸出端電流用以降低偏移位準器在切換時之漏電流，以增進其操作速度，其中上述之電流補償器包含第一電晶體，其閘極連接於位準偏移器之訊號輸出端反相，第一電晶體之汲極與源極分別連接於位準偏移器之訊號輸入端友訊號輸出端，及第二電晶體，其閘極連接於位準偏移器之訊號輸出端，第二電晶體之汲極與源極分別連接於位準偏移器之訊號輸出端反相及訊號輸入端反相，本發明之等電位器與位準偏移器連接，所述之等電位器包含一電晶體，其汲極與源極分別連接於位準偏移器之訊號輸出端以及訊號輸出端反相，一反互斥或閘之兩輸入端連接於位準偏移器之訊號輸入端以及訊號輸入端反相電晶體之閘極連接於反互斥或閘之輸出端。

Abstract in simplified Chinese: 应用于超深次微米互补金氧半场效应管之位准偏移设备发明摘要: 本发明包含电流补偿器，所述之电流补偿器连接于位准偏移器，在位准偏移器由输入端输入信号电位转换时，以补偿位准偏移器之输出端电流用以降低偏移位准器在切换时之漏电流，以增进其操作速度，其中上述之电流补偿器包含第一晶体管，其闸极连接于位准偏移器之信号输出端反相，第一晶体管之汲极与源极分别连接于位准偏移器之信号输入端友信号输出端，及第二晶体管，其闸极连接于位准偏移器之信号输出端，第二晶体管之汲极与源极分别连接于位准偏移器之信号输出端反相及信号输入端反相，本发明之等电位器与位准偏移器连接，所述之等电位器包含一晶体管，其汲极与源极分别连接于位准偏移器之信号输出端以及信号输出端反相，一反互斥或闸之两输入端连接于位准偏移器之信号输入端以及信号输入端反相晶体管之闸极连接于反互斥或闸之输出端。