公开(公告)号：TWI376021B

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW096133903

申请日：2007-09-11

申请人： 奈培斯股份有限公司

发明人： 姜仁秀 ,  朴炳振

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1146

摘要： 本發明提供一種覆晶半導體封裝，其包括：一電極墊片，形成在一半導體基板上；一下金屬結合層，形成在電極墊片上；一上金屬結合層，形成在下金屬結合層上，且包括具有一預定高度之柱狀；以及一導電凸塊，形成在上金屬結合層上，且一銲錫凸塊覆蓋住至少部分的上金屬結合層之表面。用於電極之重新配置(reconfiguration)之一絕緣層係形成在基板上而圍繞電極墊片，且絕緣層具有一預定厚度以防止銲錫凸塊之α粒子的滲入。半導體封裝可更包括一設置在銲錫凸塊與上金屬結合層之間的氧化阻止層。根據本發明之覆晶半導體封裝，其可增加銲錫凸塊的黏結強度，且更增進微細間距之覆晶凸塊結構的可靠度。

简体摘要： 本发明提供一种覆晶半导体封装，其包括：一电极垫片，形成在一半导体基板上；一下金属结合层，形成在电极垫片上；一上金属结合层，形成在下金属结合层上，且包括具有一预定高度之柱状；以及一导电凸块，形成在上金属结合层上，且一焊锡凸块覆盖住至少部分的上金属结合层之表面。用于电极之重新配置(reconfiguration)之一绝缘层系形成在基板上而围绕电极垫片，且绝缘层具有一预定厚度以防止焊锡凸块之α粒子的渗入。半导体封装可更包括一设置在焊锡凸块与上金属结合层之间的氧化阻止层。根据本发明之覆晶半导体封装，其可增加焊锡凸块的黏结强度，且更增进微细间距之覆晶凸块结构的可靠度。