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公开(公告)号：TW201717315A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW104139108
申请日：2015-11-25
发明人： 蔡喻丞 , TSAI, YU CHENG , 莊俊傑 , CHUANG, CHUN CHIEH , 王俊智 , WANG, CHING CHUN , 楊敦年 , YAUNG, DUN NIAN , 洪豐基 , HUNG, FENG CHI , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 盧彥池 , LU, YAN CHIH , 陳如曦 , CHEN, JU SHI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02 , H01L23/00 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L25/00 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/31111 , H01L21/3212 , H01L21/76807 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76871 , H01L21/76877 , H01L21/76883 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L23/53238 , H01L24/80 , H01L24/89 , H01L25/50 , H01L2224/05025 , H01L2224/05147 , H01L2224/08145 , H01L2224/215 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0104 , H01L2924/01072 , H01L2224/80
摘要： 提供使用基於混合鍵的銅合金的積體電路(IC)。積體電路包括一對垂直堆疊於彼此之上的半導體結構。半導體結構包含對應的介電層及佈置在介電層中的對應的金屬特徵。金屬特徵包含銅合金，其具有銅和次要金屬。積體電路另包括混合鍵，該混合鍵佈置在半導體結構之間的界面。混合鍵包含將介電層接合在一起的第一鍵及將金屬特徵接合在一起的第二鍵。第二鍵包含佈置於金屬特徵的銅晶粒之間的空隙且該空隙被次要金屬填充。本揭露還提供了使用基於混合鍵的銅合金將一對半導體結構接合在一起的方法。
简体摘要： 提供使用基于混合键的铜合金的集成电路(IC)。集成电路包括一对垂直堆栈于彼此之上的半导体结构。半导体结构包含对应的介电层及布置在介电层中的对应的金属特征。金属特征包含铜合金，其具有铜和次要金属。集成电路另包括混合键，该混合键布置在半导体结构之间的界面。混合键包含将介电层接合在一起的第一键及将金属特征接合在一起的第二键。第二键包含布置于金属特征的铜晶粒之间的空隙且该空隙被次要金属填充。本揭露还提供了使用基于混合键的铜合金将一对半导体结构接合在一起的方法。
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公开(公告)号：TW201716633A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105123371
申请日：2016-07-25
发明人： 林軍 , LIN, JUN , 竹谷考司 , TAKEYA, KOJI , 立花光博 , TACHIBANA, MITSUHIRO , 八尾章史 , YAO, AKIFUMI , 山內邦裕 , YAMAUCHI, KUNIHIRO , 宮崎達夫 , MIYAZAKI, TATSUO
IPC分类号： C23F4/00 , H01L21/3213 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/67069 , C23F1/12 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32135 , H01L21/32136 , H01L23/53209 , H01L2924/01027 , H05K3/02 , H05K2203/0315
摘要： 提供一種技術，係使用氧化鈷膜的氧化氣體與由β-二酮所構成之蝕刻氣體，在蝕刻被處理體表面之鈷膜時，可防止在被處理體形成碳膜。 將被處理體加熱至250℃以下的溫度，並將由β-二酮所構成之蝕刻氣體及用以氧化該鈷膜之氧化氣體以該氧化氣體流量相對於該蝕刻氣體流量之比例為0.5%~50%來供給至該被處理體。藉此，便可抑制碳膜的形成，並蝕刻該鈷膜。
简体摘要： 提供一种技术，系使用氧化钴膜的氧化气体与由β-二酮所构成之蚀刻气体，在蚀刻被处理体表面之钴膜时，可防止在被处理体形成碳膜。 将被处理体加热至250℃以下的温度，并将由β-二酮所构成之蚀刻气体及用以氧化该钴膜之氧化气体以该氧化气体流量相对于该蚀刻气体流量之比例为0.5%~50%来供给至该被处理体。借此，便可抑制碳膜的形成，并蚀刻该钴膜。
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公开(公告)号：TWI578474B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW104134343
申请日：2010-03-23
发明人： 本間琢朗 , HOMMA, TAKURO , 堀田勝彥 , HOTTA, KATSUHIKO , 森山卓史 , MORIYAMA, TAKASHI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/50 , H01L22/32 , H01L23/3192 , H01L23/4827 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/02166 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2224/48624 , H01L2224/73265 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/10253 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TW201709217A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105133324
申请日：2015-07-24
申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人： 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 小田大造 , ODA, DAIZO , 榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 大石良 , OISHI, RYO , 齋藤和之 , SAITO, KAZUYUKI , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO
CPC分类号： B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2201/40 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013
摘要： 本發明係於具有Cu合金芯材與形成於其表面之Pd被覆層之半導體裝置用接合導線，謀求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、與耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之併存。 藉由於導線中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1種以上總計0.03~2質量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，進而藉由於對於接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面測定結晶方位之結果中，將導線長度方向之結晶方位中、相對於導線長度方向而角度差為15度以下的結晶方位 之方位比率設為50%以上，且將接合導線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面中之平均結晶粒徑設為0.9~1.3μm，而使耐力比為1.6以下。
简体摘要： 本发明系于具有Cu合金芯材与形成于其表面之Pd被覆层之半导体设备用接合导线，谋求175℃~200℃之HTS中之球接合部之接合可靠性提高、与耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6之并存。 借由于导线中含有Ni、Zn、Rh、In、Ir、Pt之1种以上总计0.03~2质量%，而提高HTS中之球接合部之接合可靠性，进而借由于对于接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面测定结晶方位之结果中，将导线长度方向之结晶方位中、相对于导线长度方向而角度差为15度以下的结晶方位<100>之方位比率设为50%以上，且将接合导线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面中之平均结晶粒径设为0.9~1.3μm，而使耐力比为1.6以下。
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公开(公告)号：TW201708553A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105137924
申请日：2016-05-26
申请人： 日鐵住金新材料股份有限公司 , NIPPON MICROMETAL CORPORATION , 新日鐵住金高新材料股份有限公司 , NIPPON STEEL & SUMIKIN MATERIALS CO., LTD.
发明人： 山田隆 , YAMADA, TAKASHI , 小田大造 , ODA, DAIZO , 榛原照男 , HAIBARA, TERUO , 大石良 , OISHI, RYO , 齋藤和之 , SAITO, KAZUYUKI , 宇野智裕 , UNO, TOMOHIRO
CPC分类号： B23K35/0227 , B23K35/3013 , B23K35/302 , B23K2201/40 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/04 , C22C9/06 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2224/05624 , H01L2224/43 , H01L2224/4312 , H01L2224/43125 , H01L2224/4321 , H01L2224/4382 , H01L2224/43848 , H01L2224/43986 , H01L2224/45 , H01L2224/45005 , H01L2224/45015 , H01L2224/45105 , H01L2224/45109 , H01L2224/45111 , H01L2224/45113 , H01L2224/45118 , H01L2224/4512 , H01L2224/45147 , H01L2224/45155 , H01L2224/45169 , H01L2224/45173 , H01L2224/45178 , H01L2224/45541 , H01L2224/45565 , H01L2224/45572 , H01L2224/45644 , H01L2224/45664 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/4845 , H01L2224/48463 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78251 , H01L2224/85 , H01L2224/85065 , H01L2224/85075 , H01L2224/85203 , H01L2224/85444 , H01L2224/85464 , H01L2924/01005 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/0102 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01034 , H01L2924/01052 , H01L2924/01057 , H01L2924/0665 , H01L2924/0705 , H01L2924/10253 , H01L2924/186 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01045 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01031 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01083 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/01029 , H01L2924/01202 , H01L2924/01203 , H01L2924/01204 , H01L2924/00015 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/20111 , H01L2924/20752 , H01L2924/00014 , H01L2924/01014 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/20105 , H01L2924/01001 , H01L2924/01007 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/01027 , H01L2924/01047 , H01L2924/01013
摘要： 本發明之半導體裝置用接合線具有Cu合金芯材、及形成於其表面之Pd被覆層，可同時實現高溫下之球接合部之接合可靠性提高、及耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6。 藉由使導線中包含賦予高溫環境下之連接可靠性之元素而提高高溫下之球接合部之接合可靠性，進而，藉由於對接合線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面測定結晶方位之結果中，將導線長度方向之結晶方位中相對於導線長度方向之角度差為15度以下之結晶方位 之方位比率設為30%以上，且將接合線之垂直於導線軸之方向之芯材剖面中之平均結晶粒徑設為0.9~1.5μm，而將耐力比設為1.6以下。
简体摘要： 本发明之半导体设备用接合线具有Cu合金芯材、及形成于其表面之Pd被覆层，可同时实现高温下之球接合部之接合可靠性提高、及耐力比(=最大耐力/0.2%耐力)：1.1~1.6。 借由使导线中包含赋予高温环境下之连接可靠性之元素而提高高温下之球接合部之接合可靠性，进而，借由于对接合线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面测定结晶方位之结果中，将导线长度方向之结晶方位中相对于导线长度方向之角度差为15度以下之结晶方位<100>之方位比率设为30%以上，且将接合线之垂直于导线轴之方向之芯材剖面中之平均结晶粒径设为0.9~1.5μm，而将耐力比设为1.6以下。
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公开(公告)号：TWI566650B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW104128958
申请日：2015-09-02
发明人： 川浩由 , KAWASAKI, HIROYOSHI , 六本木貴弘 , ROPPONGI, TAKAHIRO , 相馬大輔 , SOMA, DAISUKE , 佐藤勇 , SATO, ISAMU , 川又勇司 , KAWAMATA, YUJI
CPC分类号： H01L24/13 , B22F1/00 , B23K35/0227 , B23K35/26 , B23K35/262 , B23K35/30 , B23K35/302 , B23K35/3615 , B32B15/01 , B32B15/20 , B32B2255/06 , B32B2255/205 , C22C9/00 , C22C13/00 , C25D5/10 , C25D5/12 , C25D7/00 , H01B1/026 , H01L21/2885 , H01L21/76885 , H01L23/481 , H01L23/50 , H01L23/522 , H01L24/11 , H01L2224/11825 , H01L2224/13005 , H01L2224/13147 , H01L2224/1357 , H01L2224/1358 , H01L2224/13582 , H01L2224/13655 , H01L2224/13657 , H01L2224/1366 , H01L2224/1369 , H01L2924/0002 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01048 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/0109 , H01L2924/01092 , H01L2924/35 , H05K3/4015 , H05K2201/10242
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公开(公告)号：TWI564980B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW104130921
申请日：2008-09-12
申请人： 斯莫勒科技公司 , SMOLTEK AB
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/498 , H05K3/32 , B82Y10/00
CPC分类号： B32B37/12 , B32B37/06 , B32B37/10 , B32B37/16 , B32B38/0008 , B32B2037/1253 , B32B2307/202 , B32B2307/302 , B32B2307/706 , B32B2309/02 , B32B2309/12 , B32B2310/0831 , B32B2313/04 , B32B2457/00 , B82Y10/00 , C09J9/02 , H01L23/49811 , H01L23/49877 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05016 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/29006 , H01L2224/2929 , H01L2224/29393 , H01L2224/29499 , H01L2224/32145 , H01L2224/83855 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0781 , H01L2924/07811 , H01L2924/10329 , H01L2924/10336 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/1433 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , Y10T428/24174 , H01L2224/29101 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI562280B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104108369
申请日：2006-08-11
申请人： 增普拓尼克斯公司 , ZIPTRONIX, INC.
发明人： 恩奎斯特 保羅M , ENQUIST, PAUL M. , 方登 蓋亞斯G 二世 , FOUNTAIN, GAIUS G., JR. , 董勤毅 , TONG, QIN-YI
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/76838 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/0401 , H01L2224/81121 , H01L2224/81201 , H01L2224/8123 , H01L2224/81801 , H01L2224/81894 , H01L2224/81931 , H01L2224/83894 , H01L2224/9202 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01055 , H01L2924/01059 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2224/81
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公开(公告)号：TWI535866B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW101105602
申请日：2012-02-21
发明人： 加納學 , KANOU, GAKU
CPC分类号： B23K35/302 , C22C9/00 , C22C9/08 , C25C1/12 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L2224/43 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/00 , H01L2924/01204 , H01L2924/01005 , H01L2924/01056 , H01L2924/01004 , H01L2924/01083 , H01L2924/0102 , H01L2924/01058 , H01L2924/01027 , H01L2924/01024 , H01L2924/01066 , H01L2924/01063 , H01L2924/01064 , H01L2924/01032 , H01L2924/01049 , H01L2924/01077 , H01L2924/01057 , H01L2924/01012 , H01L2924/01042 , H01L2924/0106 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01045 , H01L2924/01044 , H01L2924/01051 , H01L2924/0105 , H01L2924/01038 , H01L2924/01039 , H01L2924/01022 , H01L2924/0107 , H01L2924/0103 , H01L2924/0104 , H01L2924/01092 , H01L2924/20752 , H01L2924/013 , H01L2224/48
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公开(公告)号：TWI535518B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW102122957
申请日：2013-06-27
发明人： 山中芳恵 , YAMANAKA, YOSHIE , 立花賢 , TACHIBANA, KEN , 吉川俊策 , YOSHIKAWA, SHUNSAKU , 野村光 , NOMURA, HIKARU
IPC分类号： B23K35/24
CPC分类号： H01L24/13 , B23K1/0016 , B23K35/0222 , B23K35/0261 , B23K35/26 , B23K35/262 , C22C13/00 , C22C13/02 , H01B1/02 , H01L24/11 , H01L2224/1301 , H01L2224/13147 , H01L2924/01015 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/15321 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/2076 , H05K3/3457 , H05K2203/041 , H01L2924/00
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