公开(公告)号：TW201349420A

公开(公告)日：2013-12-01

申请号：TW102119062

申请日：2013-05-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 莊曜群 ,  CHUANG, YAO CHUN ,  莊其達 ,  CHUANG, CHITA ,  劉浩君 ,  LIU, HAO JUIN ,  郭正錚 ,  KUO, CHEN CHENG ,  陳承先 ,  CHEN, CHEN SHIEN

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552

摘要： 本發明提供一種系統及方法，以防止鈍化保護層中的裂縫發生。在一實施例中，一接觸墊具有第一直徑，穿透鈍化保護層之一開口具有第二直徑，其中第一直徑比第二直徑大上一第一距離，其約為10微米。在另一實施例中，一凸塊底層金屬層穿過上述開口且具有一第三直徑，其中第三直徑比第一直徑大上一第二距離，其為5微米。在又一實施例中，第一距離及第二距離的總和大於15微米。

简体摘要： 本发明提供一种系统及方法，以防止钝化保护层中的裂缝发生。在一实施例中，一接触垫具有第一直径，穿透钝化保护层之一开口具有第二直径，其中第一直径比第二直径大上一第一距离，其约为10微米。在另一实施例中，一凸块底层金属层穿过上述开口且具有一第三直径，其中第三直径比第一直径大上一第二距离，其为5微米。在又一实施例中，第一距离及第二距离的总和大于15微米。

公开(公告)号：TW200824069A

公开(公告)日：2008-06-01

申请号：TW096133903

申请日：2007-09-11

申请人： 奈培斯股份有限公司 NEPES CORPORATION

发明人： 姜仁秀 KANG, IN SOO ,  朴炳振 PARK, BYUNG JIN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1146

摘要： 本發明提供一種覆晶半導體封裝,其包括:一電極墊片,形成在一半導體基板上;一下金屬結合層,形成在電極墊片上;一上金屬結合層,形成在下金屬結合層上,且包括具有一預定高度之柱狀;以及一導電凸塊,形成在上金屬結合層上,且一銲錫凸塊覆蓋住至少部分的上金屬結合層之表面。用於電極之重新配置(reconfiguration)之一絕緣層係形成在基板上而圍繞電極墊片,且絕緣層具有一預定厚度以防止銲錫凸塊之�粒子的滲入。半導體封裝可更包括一設置在銲錫凸塊與上金屬結合層之間的氧化阻止層。根據本發明之覆晶半導體封裝,其可增加銲錫凸塊的黏結强度,且更增進微細間距之覆晶凸塊結構的可靠度。

简体摘要： 本发明提供一种覆晶半导体封装,其包括:一电极垫片,形成在一半导体基板上;一下金属结合层,形成在电极垫片上;一上金属结合层,形成在下金属结合层上,且包括具有一预定高度之柱状;以及一导电凸块,形成在上金属结合层上,且一焊锡凸块覆盖住至少部分的上金属结合层之表面。用于电极之重新配置(reconfiguration)之一绝缘层系形成在基板上而围绕电极垫片,且绝缘层具有一预定厚度以防止焊锡凸块之�粒子的渗入。半导体封装可更包括一设置在焊锡凸块与上金属结合层之间的氧化阻止层。根据本发明之覆晶半导体封装,其可增加焊锡凸块的黏结强度,且更增进微细间距之覆晶凸块结构的可靠度。

公开(公告)号：TWI464848B

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：TW099113812

申请日：2010-04-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

发明人： 余振華 ,  YU, CHEN HUA ,  黃宏麟 ,  HUANG, HON LIN ,  許國經 ,  HSU, KUO CHING ,  陳承先 ,  CHEN, CHEN SHIEN

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/525 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552

公开(公告)号：TWI376021B

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW096133903

申请日：2007-09-11

申请人： 奈培斯股份有限公司

发明人： 姜仁秀 ,  朴炳振

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/12 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/1146

摘要： 本發明提供一種覆晶半導體封裝，其包括：一電極墊片，形成在一半導體基板上；一下金屬結合層，形成在電極墊片上；一上金屬結合層，形成在下金屬結合層上，且包括具有一預定高度之柱狀；以及一導電凸塊，形成在上金屬結合層上，且一銲錫凸塊覆蓋住至少部分的上金屬結合層之表面。用於電極之重新配置(reconfiguration)之一絕緣層係形成在基板上而圍繞電極墊片，且絕緣層具有一預定厚度以防止銲錫凸塊之α粒子的滲入。半導體封裝可更包括一設置在銲錫凸塊與上金屬結合層之間的氧化阻止層。根據本發明之覆晶半導體封裝，其可增加銲錫凸塊的黏結強度，且更增進微細間距之覆晶凸塊結構的可靠度。

简体摘要： 本发明提供一种覆晶半导体封装，其包括：一电极垫片，形成在一半导体基板上；一下金属结合层，形成在电极垫片上；一上金属结合层，形成在下金属结合层上，且包括具有一预定高度之柱状；以及一导电凸块，形成在上金属结合层上，且一焊锡凸块覆盖住至少部分的上金属结合层之表面。用于电极之重新配置(reconfiguration)之一绝缘层系形成在基板上而围绕电极垫片，且绝缘层具有一预定厚度以防止焊锡凸块之α粒子的渗入。半导体封装可更包括一设置在焊锡凸块与上金属结合层之间的氧化阻止层。根据本发明之覆晶半导体封装，其可增加焊锡凸块的黏结强度，且更增进微细间距之覆晶凸块结构的可靠度。

公开(公告)号：TW201544225A

公开(公告)日：2015-12-01

申请号：TW104103150

申请日：2015-01-30

申请人： 千住金屬工業股份有限公司 ,  SENJU METAL INDUSTRY CO., LTD.

发明人： 川浩由 ,  KAWASAKI, HIROYOSHI ,  六本木貴弘 ,  ROPPONGI, TAKAHIRO ,  相馬大輔 ,  SOMA, DAISUKE ,  佐藤勇 ,  SATO, ISAMU

IPC分类号： B23K31/12 ,  H01L23/488

CPC分类号： B23K35/0244 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0048 ,  B22F1/025 ,  B22F9/08 ,  B22F9/082 ,  B22F9/14 ,  B22F2009/0848 ,  B22F2301/10 ,  B22F2301/15 ,  B22F2998/10 ,  B22F2999/00 ,  B23K1/0016 ,  B23K1/008 ,  B23K3/0623 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  B23K2201/42 ,  C22C9/00 ,  C22C19/03 ,  C22F1/08 ,  C22F1/10 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/556 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13016 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13117 ,  H01L2224/13118 ,  H01L2224/1312 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13149 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/1316 ,  H01L2224/13163 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13169 ,  H01L2224/1317 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13173 ,  H01L2224/13176 ,  H01L2224/13178 ,  H01L2224/13179 ,  H01L2224/1318 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/13183 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/132 ,  H01L2224/13211 ,  H01L2224/13294 ,  H01L2224/133 ,  H01L2224/13305 ,  H01L2224/13309 ,  H01L2224/13317 ,  H01L2224/13318 ,  H01L2224/1332 ,  H01L2224/13323 ,  H01L2224/13324 ,  H01L2224/13338 ,  H01L2224/13339 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13349 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13357 ,  H01L2224/1336 ,  H01L2224/13363 ,  H01L2224/13364 ,  H01L2224/13366 ,  H01L2224/13369 ,  H01L2224/1337 ,  H01L2224/13371 ,  H01L2224/13372 ,  H01L2224/13373 ,  H01L2224/13376 ,  H01L2224/13378 ,  H01L2224/13379 ,  H01L2224/1338 ,  H01L2224/13381 ,  H01L2224/13383 ,  H01L2224/13384 ,  H01L2224/1339 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13657 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/81011 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/3841 ,  H05K3/3436 ,  H05K3/3463 ,  H05K2203/041 ,  B22F2202/13 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01092 ,  H01L2924/0109 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01204 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01048 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01069 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01067 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01064 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01043 ,  H01L2924/01004

摘要： 製造經抑制被放射的α射線量之金屬球。 製造該金屬球係包含以下的步驟：將純金屬在比作為除去對象的不純物之沸點更高、比純金屬的熔點更高且比純金屬的沸點更低的溫度，進行加熱而使純金屬熔融之步驟；及將熔融後的純金屬造球成為球狀之步驟；其中該純金屬，係具有比在純金屬所含有的不純物之中，作為除去對象的不純物之按照氣壓的沸點更高的沸點，U的含量為5ppb以下，Th的含量為5ppb以下，純度為99.9%以上且99.995%以下，而且Pb或Bi的任一者的含量、或Pb及Bi的合計含量為1ppm以上。

简体摘要： 制造经抑制被放射的α射线量之金属球。 制造该金属球系包含以下的步骤：将纯金属在比作为除去对象的不纯物之沸点更高、比纯金属的熔点更高且比纯金属的沸点更低的温度，进行加热而使纯金属熔融之步骤；及将熔融后的纯金属造球成为球状之步骤；其中该纯金属，系具有比在纯金属所含有的不纯物之中，作为除去对象的不纯物之按照气压的沸点更高的沸点，U的含量为5ppb以下，Th的含量为5ppb以下，纯度为99.9%以上且99.995%以下，而且Pb或Bi的任一者的含量、或Pb及Bi的合计含量为1ppm以上。

公开(公告)号：TW201508848A

公开(公告)日：2015-03-01

申请号：TW102130157

申请日：2013-08-23

申请人： 南茂科技股份有限公司 ,  CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.

发明人： 廖宗仁 ,  LIAO, TSUNG JEN

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： B23K1/20 ,  B23K1/0016 ,  B23K3/0638 ,  B23K2201/40 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11003 ,  H01L2224/111 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13172 ,  Y10T428/24331 ,  H01L2224/1141 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

摘要： 本揭露提供一種植球裝置及其植球方法，植球裝置包含一基板、一介電層以及一錫膏。該基板包含一表面。該介電層設置於該表面上，其中該介電層包含複數個孔洞。該錫膏填充於該些孔洞，其中該錫膏之一頂面與該介電層之一暴露面齊平。

简体摘要： 本揭露提供一种植球设备及其植球方法，植球设备包含一基板、一介电层以及一锡膏。该基板包含一表面。该介电层设置于该表面上，其中该介电层包含复数个孔洞。该锡膏填充于该些孔洞，其中该锡膏之一顶面与该介电层之一暴露面齐平。

公开(公告)号：TW201039423A

公开(公告)日：2010-11-01

申请号：TW099113812

申请日：2010-04-30

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 余振華 ,  黃宏麟 ,  許國經 ,  陳承先

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/525 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/13583 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05552

摘要： 一種積體電路結構,包括一半導體基板其具有一正面與一背面,與一導孔(conductive via)其貫穿該半導體基板。該導孔包括一後端延伸至該半導體基板的背面。一重新分佈線(redistribution line,RDL)於該半導體基板的背面上且電性連接至該導孔的後端。一保護層於該重新分佈線上,伴隨著一開口於該保護層中,其中該重新分佈線的一部份經由該開口被露出。一銅柱(copper pillar)具有一部份於該開口中且電性連接至該重新分佈線。

简体摘要： 一种集成电路结构,包括一半导体基板其具有一正面与一背面,与一导孔(conductive via)其贯穿该半导体基板。该导孔包括一后端延伸至该半导体基板的背面。一重新分布线(redistribution line,RDL)于该半导体基板的背面上且电性连接至该导孔的后端。一保护层于该重新分布在线,伴随着一开口于该保护层中,其中该重新分布线的一部份经由该开口被露出。一铜柱(copper pillar)具有一部份于该开口中且电性连接至该重新分布线。

公开(公告)号：TW200845251A

公开(公告)日：2008-11-16

申请号：TW097106117

申请日：2008-02-21

申请人： 奈培斯股份有限公司 NEPES CORPORATION

发明人： 朴炳振 PARK, BYUNG JIN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/10 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13123 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13171 ,  H01L2224/13172 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： 提供半導體元件之凸塊結構,其包括第一金屬層與第二金屬層,第二金屬層電性連接至第一金屬層以便與第一金屬層一體形成,且第二金屬層電性連接至半導體元件之電極襯墊,其中第二金屬層係由一或多個金屬或合金所構成,該金屬或合金之熔點係高於第一金屬層之熔點或者高於當第一金屬層與另一物質之表面進行融合反應時該第一金屬層與另一物質的共熔溫度。第二金屬層之厚度較佳係大於第一金屬層之厚度。凸塊結構可更包括防止擴散層介於第一金屬層與第二金屬層之間。根據本發明包括二或更多層之多層凸塊結構中,藉由使構成凸塊結構各層之傳導物質的物理或化學性質有所差異,好讓凸塊結構最外層之熔化所造成的擴散現象達到最小。再者,改善凸塊結構之機械與/或物理穩定性。因此,該凸塊結構適合用來實現具有微細間距之半導體封裝並藉由以其他便宜材料替換昂貴的凸塊材料來減少其製造成本。

简体摘要： 提供半导体组件之凸块结构,其包括第一金属层与第二金属层,第二金属层电性连接至第一金属层以便与第一金属层一体形成,且第二金属层电性连接至半导体组件之电极衬垫,其中第二金属层系由一或多个金属或合金所构成,该金属或合金之熔点系高于第一金属层之熔点或者高于当第一金属层与另一物质之表面进行融合反应时该第一金属层与另一物质的共熔温度。第二金属层之厚度较佳系大于第一金属层之厚度。凸块结构可更包括防止扩散层介于第一金属层与第二金属层之间。根据本发明包括二或更多层之多层凸块结构中,借由使构成凸块结构各层之传导物质的物理或化学性质有所差异,好让凸块结构最外层之熔化所造成的扩散现象达到最小。再者,改善凸块结构之机械与/或物理稳定性。因此,该凸块结构适合用来实现具有微细间距之半导体封装并借由以其他便宜材料替换昂贵的凸块材料来减少其制造成本。