公开(公告)号：TW201920758A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW108105787

申请日：2017-08-29

申请人： 美商慧盛材料美國責任有限公司 ,  VERSUM MATERIALS US, LLC

发明人： 李建恒 ,  LI,JIANHENG ,  孟提雷蒙尼克勞斯 ,  VRTIS,RAYMOND NICHOLAS ,  瑞吉威羅伯特戈登 ,  RIDGEWAY,ROBERT GORDON ,  蕭滿超 ,  XIAO,MANCHAO ,  雷新建 ,  LEI,XINJIAN

IPC分类号： C23C16/458 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  C23C16/50 ,  C23C16/42 ,  C07F7/02 ,  H01L21/316

摘要： 一種用以沈積含矽膜的方法，該方法包括：將一包含至少一種表面特徵的基材放進溫度在約-20℃至約400℃下之流動CVD反應器中；將至少一種具有至少一個醯氧基的含矽化合物引進該反應器中，讓該至少一種含矽化合物至少部分進行反應而形成一可流動的液體寡聚物，其中該可流動的液體寡聚物會在該基材上形成一氧化矽塗層及至少部分填充該至少一種表面特徵的至少一部分。一旦硬化，該氧化矽塗層具有低k及優良的機械性質。

简体摘要： 一种用以沉积含硅膜的方法，该方法包括：将一包含至少一种表面特征的基材放进温度在约-20℃至约400℃下之流动CVD反应器中；将至少一种具有至少一个酰氧基的含硅化合物引进该反应器中，让该至少一种含硅化合物至少部分进行反应而形成一可流动的液体寡聚物，其中该可流动的液体寡聚物会在该基材上形成一氧化硅涂层及至少部分填充该至少一种表面特征的至少一部分。一旦硬化，该氧化硅涂层具有低k及优良的机械性质。

公开(公告)号：TWI614261B

公开(公告)日：2018-02-11

申请号：TW103121781

申请日：2014-06-24

申请人： 慧盛材料美國責任有限公司 ,  VERSUM MATERIALS US, LLC

发明人： 蕭滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷新建 ,  LEI, XINJIAN ,  史賓西 丹尼爾 P ,  SPENCE, DANIEL P.

IPC分类号： C07F7/10 ,  C07F7/21 ,  H01L21/283 ,  H01L21/31

CPC分类号： C07F7/21 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C23C16/24 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/0262

公开(公告)号：TW202018116A

公开(公告)日：2020-05-16

申请号：TW107120415

申请日：2017-01-19

申请人： 美商慧盛材料美國責任有限公司 ,  VERSUM MATERIALS US, LLC

发明人： 王美良 ,  WANG,MEILIANG ,  雷新建 ,  LEI,XINJIAN ,  馬里卡裘南艾紐帕馬 ,  MALLIKARJUNAN,ANUPAMA ,  錢德拉哈里賓 ,  CHANDRA,HARIPIN ,  韓冰 ,  HAN,BING

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

摘要： 本發提供一種以原子層沉積製程於650°C或更高的一或更多溫度下沉積氧化矽膜的方法及組合物。於一態樣中，提供一種沉積氧化矽膜或材料的方法，其包含以下步驟：將基材提供於反應器中；將選自由本文所述的具有式I及II的化合物之群組中的至少一鹵基矽氧烷前驅物引進該反應器；以洗淨氣體洗淨該反應器；將氧來源引進該反應器；及以洗淨氣體洗淨該反應器；而且其中將該等步驟重複至沉積預期厚度的氧化矽為止而且該製程係於介於約650至1000°C的一或更多溫度下進行。

简体摘要： 本发提供一种以原子层沉积制程于650°C或更高的一或更多温度下沉积氧化硅膜的方法及组合物。于一态样中，提供一种沉积氧化硅膜或材料的方法，其包含以下步骤：将基材提供于反应器中；将选自由本文所述的具有式I及II的化合物之群组中的至少一卤基硅氧烷前驱物引进该反应器；以洗净气体洗净该反应器；将氧来源引进该反应器；及以洗净气体洗净该反应器；而且其中将该等步骤重复至沉积预期厚度的氧化硅为止而且该制程系于介于约650至1000°C的一或更多温度下进行。

公开(公告)号：TWI630200B

公开(公告)日：2018-07-21

申请号：TW105105739

申请日：2014-07-22

申请人： 慧盛材料美國責任有限公司 ,  VERSUM MATERIALS US, LLC

发明人： 伊瓦諾夫 塞基 烏拉底米諾維奇 ,  IVANOV, SERGEI VLADIMIROVICH ,  雷新建 ,  LEI, XINJIAN ,  諾門 約翰 安東尼 湯馬士 ,  NORMAN, JOHN ANTHONY THOMAS

IPC分类号： C07D241/06 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52