公开(公告)号：TWI697034B

公开(公告)日：2020-06-21

申请号：TW108109485

申请日：2015-04-09

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 類維生 ,  LEI, WEI-SHENG ,  帕帕那 詹姆士S ,  PAPANU, JAMES S. ,  伊頓 貝德 ,  EATON, BRAD ,  庫默 亞傑 ,  KUMAR, AJAY

IPC分类号： H01L21/027

公开(公告)号：TWI639186B

公开(公告)日：2018-10-21

申请号：TW103141225

申请日：2014-11-27

申请人： 美商應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 庫瑪普拉罕 ,  KUMAR, PRABHAT ,  伊頓貝德 ,  EATON, BRAD ,  類維生 ,  LEI, WEI-SHENG ,  帕帕那詹姆士S ,  PAPANU, JAMES S. ,  庫默亞傑 ,  KUMAR, AJAY

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K10/00 ,  B23K26/38 ,  H01L21/78

公开(公告)号：TWI619165B

公开(公告)日：2018-03-21

申请号：TW103108409

申请日：2014-03-11

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 雷偉生 ,  LEI, WEI-SHENG ,  喬德亨瑞穆罕默德坎魯札曼 ,  CHOWDHURY, MOHAMMAD KAMRUZZAMAN ,  伊根陶德 ,  EGAN, TODD ,  伊頓貝德 ,  EATON, BRAD ,  亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 ,  YALAMANCHILI, MADHAVA RAO ,  庫默亞傑 ,  KUMAR, AJAY

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/3086 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2203/172 ,  B23K2203/50 ,  B23K2203/56 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3085 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67383 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82

公开(公告)号：TWI552215B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW101119983

申请日：2012-06-04

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 雷偉生 ,  LEI, WEI-SHENG ,  辛沙拉傑特 ,  SINGH, SARAVJEET ,  亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 ,  YALAMANCHILI, MADHAVA RAO ,  伊頓貝德 ,  EATON, BRAD ,  庫默亞傑 ,  KUMAR, AJAY

IPC分类号： H01L21/304

CPC分类号： B23K26/40 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K2203/172 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/78

公开(公告)号：TWI541881B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW103142626

申请日：2012-06-04

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 雷偉生 ,  LEI, WEI-SHENG ,  辛沙拉傑特 ,  SINGH, SARAVJEET ,  亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 ,  YALAMANCHILI, MADHAVA RAO ,  伊頓貝德 ,  EATON, BRAD ,  庫默亞傑 ,  KUMAR, AJAY

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  B23K26/364

CPC分类号： H01L21/67207 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/064 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/172 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327

公开(公告)号：TW201539640A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW104103253

申请日：2015-01-30

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 朴正來 ,  PARK, JUNGRAE ,  類維生 ,  LEI, WEI-SHENG ,  庫瑪普拉罕 ,  KUMAR, PRABHAT ,  帕帕那詹姆士S ,  PAPANU, JAMES S. ,  伊頓貝德 ,  EATON, BRAD ,  庫默亞傑 ,  KUMAR, AJAY

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02 ,  B05C11/08 ,  B05C13/02 ,  B05C5/00

CPC分类号： H01L21/02282 ,  B05B1/00 ,  B05B3/1014 ,  B05B3/1035 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327

摘要： 描述改善晶圓塗覆的處理、設備及系統。在一個實施例中，使用改善晶圓塗覆的處理及系統，使用雷射電漿切片處理而形成用於對半導體晶圓切片的遮罩。在一個實施例中，用於形成覆蓋半導體晶圓的薄膜之轉動塗覆設備包含：一可旋轉台座，該可旋轉台座經配置以支撐該半導體晶圓。該可旋轉台座具有位於超出該半導體晶圓的周圍的一向下斜坡區域。該設備包含一噴嘴，該噴嘴位於該可旋轉台座上方，且經配置以分配一液體覆蓋該半導體晶圓。該設備也包含一馬達，該馬達經配置以旋轉該可旋轉台座

简体摘要： 描述改善晶圆涂覆的处理、设备及系统。在一个实施例中，使用改善晶圆涂覆的处理及系统，使用激光等离子切片处理而形成用于对半导体晶圆切片的遮罩。在一个实施例中，用于形成覆盖半导体晶圆的薄膜之转动涂覆设备包含：一可旋转台座，该可旋转台座经配置以支撑该半导体晶圆。该可旋转台座具有位于超出该半导体晶圆的周围的一向下斜坡区域。该设备包含一喷嘴，该喷嘴位于该可旋转台座上方，且经配置以分配一液体覆盖该半导体晶圆。该设备也包含一马达，该马达经配置以旋转该可旋转台座

公开(公告)号：TW201535604A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：TW104102580

申请日：2015-01-26

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 類維生 ,  LEI, WEI-SHENG ,  帕帕那詹姆士S ,  PAPANU, JAMES S. ,  庫瑪普拉罕 ,  KUMAR, PRABHAT ,  伊頓貝德 ,  EATON, BRAD ,  庫默亞傑 ,  KUMAR, AJAY

IPC分类号： H01L21/78

CPC分类号： H01L21/82 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/561 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/743 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/27001 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明描述用於切割含有複數個積體電路(IC)之半導體晶圓的方法與系統。在一實施例中，方法包括將膠帶貼附於水溶性乾薄膜。該方法包括將貼附於膠帶上的水溶性乾薄膜貼在半導體晶圓的表面上。該方法包括去除該水溶性乾薄膜上的該膠帶。使用雷射劃線製程對該水溶性乾薄膜進行圖案化，而曝露出介在該等積體電路之間的半導體晶圓區域。該方法包括透過已圖案化之水溶性乾薄膜中的縫隙來蝕刻該半導體晶圓，及去除該水溶性乾薄膜。

简体摘要： 本发明描述用于切割含有复数个集成电路(IC)之半导体晶圆的方法与系统。在一实施例中，方法包括将胶带贴附于水溶性干薄膜。该方法包括将贴附于胶带上的水溶性干薄膜贴在半导体晶圆的表面上。该方法包括去除该水溶性干薄膜上的该胶带。使用激光划线制程对该水溶性干薄膜进行图案化，而曝露出介在该等集成电路之间的半导体晶圆区域。该方法包括透过已图案化之水溶性干薄膜中的缝隙来蚀刻该半导体晶圆，及去除该水溶性干薄膜。

公开(公告)号：TW201528352A

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：TW103141225

申请日：2014-11-27

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 庫瑪普拉罕 ,  KUMAR, PRABHAT ,  伊頓貝德 ,  EATON, BRAD ,  類維生 ,  LEI, WEI-SHENG ,  帕帕那詹姆士S ,  PAPANU, JAMES S. ,  庫默亞傑 ,  KUMAR, AJAY

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K10/00 ,  B23K26/38 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/364 ,  B41F15/08 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67207

摘要： 敘述使用網狀印刷遮罩來用於使用雷射劃線與電漿蝕刻之混合式晶圓切割的方法。在一範例中，一種切割一半導體晶圓(該半導體晶圓具有複數個積體電路係由切割道所分隔)的方法包括：網狀印刷該半導體晶圓之上的一圖案化遮罩，該圖案化遮罩覆蓋該等積體電路並且曝露該半導體晶圓的該等切割道。該方法也包括：利用一雷射劃線處理來雷射燒蝕該等切割道，以曝露該等積體電路之間的該半導體晶圓的區域。該方法也包括：電漿蝕刻該半導體晶圓通過該半導體晶圓的該等曝露區域，以單分該等積體電路。該圖案化遮罩在該電漿蝕刻期間保護該等積體電路。

简体摘要： 叙述使用网状印刷遮罩来用于使用激光划线与等离子蚀刻之混合式晶圆切割的方法。在一范例中，一种切割一半导体晶圆(该半导体晶圆具有复数个集成电路系由切割道所分隔)的方法包括：网状印刷该半导体晶圆之上的一图案化遮罩，该图案化遮罩覆盖该等集成电路并且曝露该半导体晶圆的该等切割道。该方法也包括：利用一激光划线处理来激光烧蚀该等切割道，以曝露该等集成电路之间的该半导体晶圆的区域。该方法也包括：等离子蚀刻该半导体晶圆通过该半导体晶圆的该等曝露区域，以单分该等集成电路。该图案化遮罩在该等离子蚀刻期间保护该等集成电路。

公开(公告)号：TWI489521B

公开(公告)日：2015-06-21

申请号：TW101114962

申请日：2012-04-26

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 吳半秋 ,  WU, BANQIU ,  庫默亞傑 ,  KUMAR, AJAY ,  拉馬斯瓦米卡提克 ,  RAMASWAMY, KARTIK ,  那拉馬蘇歐卡藍 ,  NALAMASU, OMKARAM

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3065

CPC分类号： G03F7/36 ,  G03F7/40

公开(公告)号：TWI479558B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW101119338

申请日：2012-05-30

申请人： 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： 雷偉生 ,  LEI, WEI-SHENG ,  伊頓貝德 ,  EATON, BRAD ,  亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 ,  YALAMANCHILI, MADHAVA RAO ,  辛沙拉傑特 ,  SINGH, SARAVJEET ,  庫默亞傑 ,  KUMAR, AJAY ,  霍登詹姆士M ,  HOLDEN, JAMES M.

IPC分类号： H01L21/304 ,  B23K26/38

CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/0624 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2203/172 ,  B23K2203/42 ,  B23K2203/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/67207