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公开(公告)号：TWI621212B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103138364
申请日：2014-11-05
Applicant: 迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
Inventor： 內田文雄 , UCHIDA, FUMIO , 堤義弘 , TSUTSUMI, YOSHIHIRO
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/364 , B23K2203/56 , B28D5/0011 , B28D5/0052 , H01L21/3043 , H01L21/311 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834
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公开(公告)号：TWI617385B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW101125253
申请日：2012-07-13
Applicant: M Solv有限公司 , M-SOLV LIMITED
Inventor： 布登 亞登 諾師 , BRUNTON, ADAM NORTH
IPC: B23K26/36 , B23K26/40 , H01L27/142
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/364 , B23K26/38 , B23K26/40 , B23K2203/50 , H01L27/3204 , H01L31/0463 , Y02E10/50
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公开(公告)号：TW201801156A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106109904
申请日：2017-03-24
Applicant: 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： 朴正來 , PARK, JUNGRAE , 類維生 , LEI, WEI-SHENG , 帕帕努 詹姆士S , PAPANU, JAMES S. , 伊頓 貝德 , EATON, BRAD , 庫默 亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC: H01L21/268 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/76 , H01L21/78
CPC classification number: B23K26/064 , B23K26/0006 , B23K26/0084 , B23K26/0087 , B23K26/0624 , B23K26/359 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K2201/40 , B23K2201/42 , H01L21/78
Abstract: 描述切粒半導體晶圓的方法，各晶圓具有複數個積體電路。在一實例中，一種切粒具有複數個積體電路之一半導體晶圓的方法涉及：在該半導體晶圓上方形成一遮罩，該遮罩由覆蓋及保護該等積體電路的一層組成。接著以一旋轉雷射射束雷射刻劃程序佈局該遮罩，以提供具有間隙的一經佈局遮罩，暴露該等積體電路間之該半導體晶圓的區域。接著透過該經佈局遮罩中的該等間隙電漿蝕刻該半導體晶圓以單粒化該等積體電路。
Abstract in simplified Chinese: 描述切粒半导体晶圆的方法，各晶圆具有复数个集成电路。在一实例中，一种切粒具有复数个集成电路之一半导体晶圆的方法涉及：在该半导体晶圆上方形成一遮罩，该遮罩由覆盖及保护该等集成电路的一层组成。接着以一旋转激光射束激光刻划进程布局该遮罩，以提供具有间隙的一经布局遮罩，暴露该等集成电路间之该半导体晶圆的区域。接着透过该经布局遮罩中的该等间隙等离子蚀刻该半导体晶圆以单粒化该等集成电路。
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公开(公告)号：TWI606608B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW106103861
申请日：2013-01-18
Applicant: 晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
Inventor： 劉志輝 , LIU,CHIH-HUI , 葉宗寶 , YEH,TSUNG-PAO , 張益逞 , CHANG,YI-CHENG , 廖椿民 , LIAO,CHUEN-MIN
CPC classification number: B23K26/16 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/50 , B28D5/0011 , H01L25/0753 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI605506B
公开(公告)日：2017-11-11
申请号：TW103102509
申请日：2014-01-23
Applicant: 應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
Inventor： 雷偉生 , LEI, WEI-SHENG , 伊爾亞帕爾納 , IYER, APARNA , 伊頓貝德 , EATON, BRAD , 亞拉曼奇里麥德哈瓦饒 , YALAMANCHILI, MADHAVA RAO , 庫默亞傑 , KUMAR, AJAY
IPC: H01L21/304 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/78 , B23K26/364 , B23K26/40 , B23K2203/172 , H01L21/0271 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/31105 , H01L21/31127 , H01L21/6836 , H01L2221/68327
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201737377A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105140457
申请日：2016-12-07
Applicant: 迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
Inventor： 陸昕 , LU, XIN , 田中誠 , TANAKA, MAKOTO
IPC: H01L21/66 , H01L21/67 , H01L21/78 , H01L23/544
CPC classification number: H01L22/26 , B23K26/032 , B23K26/364 , H01L21/67092 , H01L21/68 , H01L21/681 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68327 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453
Abstract: 本發明係一種封裝晶圓之加工方法，其課題為提供提高保持加工的精確度之同時，可縮短對於加工所需之時間的封裝晶圓之加工方法。解決手段為加工步驟係作成包含：以特定的時間而攝影檢出該加工溝(25)，和對應於加工溝之分割預定線(15)之最靠近之露出鍵圖案，將自加工溝至露出鍵圖案為止之距離，和自對應於在登錄步驟所登錄之加工溝的分割預定線至最靠近之鍵圖案(19)為止之距離的差，做為偏移量而測定之偏移量測定步驟，和因應偏移量而補正指標輸送機構之輸送量的補正步驟，和以在補正步驟所補正之輸送量而相對性地指標輸送保持平台(34)與雷射光線照射單元(38)之指標輸送步驟的構成。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种封装晶圆之加工方法，其课题为提供提高保持加工的精确度之同时，可缩短对于加工所需之时间的封装晶圆之加工方法。解决手段为加工步骤系作成包含：以特定的时间而摄影检出该加工沟(25)，和对应于加工沟之分割预定线(15)之最靠近之露出键图案，将自加工沟至露出键图案为止之距离，和自对应于在登录步骤所登录之加工沟的分割预定线至最靠近之键图案(19)为止之距离的差，做为偏移量而测定之偏移量测定步骤，和因应偏移量而补正指针输送机构之输送量的补正步骤，和以在补正步骤所补正之输送量而相对性地指针输送保持平台(34)与激光光线照射单元(38)之指针输送步骤的构成。
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公开(公告)号：TW201732983A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105140461
申请日：2016-12-07
Applicant: 迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
Inventor： 田中誠 , TANAKA, MAKOTO , 陸昕 , LU, XIN
IPC: H01L21/67
CPC classification number: H01L22/20 , B23K26/032 , B23K26/0853 , B23K26/364 , B23K2201/40 , H01L21/67051 , H01L21/67092 , H01L21/68764 , H01L21/78 , H01L22/12 , H01L2223/5446
Abstract: 本發明係一種封裝晶圓的加工方法，其課題為提供：對於在加工所露出之鍵圖案少之封裝晶圓時，亦可適當地補正對於分割預定線而言之雷射光線照射單元的位置之封裝晶圓的加工方法。解決手段為封裝晶圓(11)的加工方法，包含：反覆經由該雷射光線照射單元(38)之分割預定線(15)之加工，與以對應於分割預定線之間隔之指標輸送量a之指標輸送，將沿著分割預定線之加工溝(25)，形成於封裝晶圓之加工步驟，和在該加工步驟之途中，攝影形成在外周部所露出之加工溝之前的分割預定線與加工溝而求取分割預定線與加工溝距離b，使用相當於指標輸送量a與距離b的差a-b之偏移量而算出補正用之指標輸送量c的補正步驟。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种封装晶圆的加工方法，其课题为提供：对于在加工所露出之键图案少之封装晶圆时，亦可适当地补正对于分割预定线而言之激光光线照射单元的位置之封装晶圆的加工方法。解决手段为封装晶圆(11)的加工方法，包含：反复经由该激光光线照射单元(38)之分割预定线(15)之加工，与以对应于分割预定线之间隔之指针输送量a之指针输送，将沿着分割预定线之加工沟(25)，形成于封装晶圆之加工步骤，和在该加工步骤之途中，摄影形成在外周部所露出之加工沟之前的分割预定线与加工沟而求取分割预定线与加工沟距离b，使用相当于指针输送量a与距离b的差a-b之偏移量而算出补正用之指针输送量c的补正步骤。
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公开(公告)号：TW201730946A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW106101031
申请日：2017-01-12
Applicant: 迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
Inventor： 芳野知輝 , YOSHINO, TOMOKI
IPC: H01L21/301 , B23K26/00 , B23K26/046 , H01S3/00
CPC classification number: H01L21/6836 , B23K26/364 , B23K26/402 , B23K26/53 , H01L21/268 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/78 , H01L23/544 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68386 , H01L2223/5446
Abstract: 本發明的課題是在於提供一種即使在晶圓的表面側有遮蔽雷射光線的遮蔽物，也不會有使犧牲後工程的加工效率的情形，效率佳有效地形成潛盾隧道之晶圓的加工方法。其解決手段，晶圓的加工方法包含：框架支撐工程，其係將該晶圓定位於具有收容晶圓的開口部之框架的該開口部，以黏著膠帶來一體地貼著該晶圓的背面及該框架，而以該框架支撐該晶圓；及潛盾隧道形成工程，其係以夾盤台來保持該晶圓的表面側，對於該晶圓及該黏著膠帶，將具有透過性之波長的雷射光線通過該黏著膠帶來照射至對應於分割預定線之晶圓的背面，沿著該分割預定線來形成由細孔及圍繞該細孔的非晶質所成的潛盾隧道。
Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题是在于提供一种即使在晶圆的表面侧有屏蔽激光光线的屏蔽物，也不会有使牺牲后工程的加工效率的情形，效率佳有效地形成潜盾隧道之晶圆的加工方法。其解决手段，晶圆的加工方法包含：框架支撑工程，其系将该晶圆定位于具有收容晶圆的开口部之框架的该开口部，以黏着胶带来一体地贴着该晶圆的背面及该框架，而以该框架支撑该晶圆；及潜盾隧道形成工程，其系以夹盘台来保持该晶圆的表面侧，对于该晶圆及该黏着胶带，将具有透过性之波长的激光光线通过该黏着胶带来照射至对应于分割预定线之晶圆的背面，沿着该分割预定线来形成由细孔及围绕该细孔的非晶质所成的潜盾隧道。
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公开(公告)号：TWI587958B
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：TW102116199
申请日：2013-05-07
Applicant: 迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
Inventor： 能丸圭司 , NOMARU, KEIJI
IPC: B23K26/06 , B23K26/067
CPC classification number: B23K26/02 , B23K26/042 , B23K26/0676 , B23K26/0853 , B23K26/0869 , B23K26/364 , B23K26/38
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公开(公告)号：TWI584900B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW102118037
申请日：2013-05-22
Applicant: 迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
Inventor： 森數洋司 , MORIKAZU, HIROSHI
IPC: B23K26/03
CPC classification number: B23K26/02 , B23K26/042 , B23K26/0624 , B23K26/0673 , B23K26/0853 , B23K26/0869 , B23K26/359 , B23K26/364 , H01L21/30
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