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    金屬氧化物半導體場效電晶體以及電力轉換電路
    1.
    发明专利
    金屬氧化物半導體場效電晶體以及電力轉換電路 审中-公开
    金属氧化物半导体场效应管以及电力转换电路

    公开(公告)号：TW201814907A

    公开(公告)日：2018-04-16

    申请号：TW106128441

    申请日：2017-08-22

    Applicant: 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 新井大輔 ,  ARAI, DAISUKE ,  久田茂 ,  HISADA, SHIGERU ,  北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA, TAKESHI

    IPC: H01L29/78 ,  H02M1/00

    CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/68 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H02M1/32 ,  H02M3/00

    Abstract: 本發明的金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)100，用於具備：反應器；電源； MOSFET100；以及整流元件，的電力轉換電路中，其包括：半導體基體110，具有n型柱形區域114以及p型柱形區域116，並且由n型柱形區域114以及p型柱形區域116構成超級結結構，其中，n型柱形區域114以及p型柱形區域116被形成為：p型柱形區域116的摻雜物總量比n型柱形區域114的摻雜物總量更高，在開啟MOSFET後，運作為：從平面上看在n型柱形區域114的中央，出現電場強度比n型柱形區域114的中央以外的區域更低的低電場區域。根據本發明的MOSFET，在開啟MOSFET後，就能夠使MOSFET更難產生振盪，並且，更能夠降低整流元件的浪湧。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)100，用于具备：反应器；电源； MOSFET100；以及整流组件，的电力转换电路中，其包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114以及p型柱形区域116，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构，其中，n型柱形区域114以及p型柱形区域116被形成为：p型柱形区域116的掺杂物总量比n型柱形区域114的掺杂物总量更高，在打开MOSFET后，运作为：从平面上看在n型柱形区域114的中央，出现电场强度比n型柱形区域114的中央以外的区域更低的低电场区域。根据本发明的MOSFET，在打开MOSFET后，就能够使MOSFET更难产生振荡，并且，更能够降低整流组件的浪涌。

    半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
    2.
    发明专利
    半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备以及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201737499A

    公开(公告)日：2017-10-16

    申请号：TW106109822

    申请日：2017-03-23

    Applicant: 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA, TAKESHI ,  山口武司 ,  YAMAGUCHI, TAKESHI ,  鈴木教章 ,  SUZUKI, NORIAKI ,  新井大輔 ,  ARAI, DAISUKE

    IPC: H01L29/96 ,  H01L25/07

    CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

    Abstract: 本發明係揭露一種功率半導體裝置（100），包括：半導體基體（110），在第一半導體層（112）上層積有第二半導體層（114），在第二半導體層（114）的表面形成有溝槽（118），在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）；第一電極（126）；層間絕緣膜（122），具有規定開口（128）；以及第二電極（124），其中，在開口（128）的內部填充有金屬，並且開口（128）位於避開第三半導體層（116）的中央部的位置上，第二電極（124）經由金屬與第三半導體層（116）相連接，第三半導體層（116）的中央部的表面被層間絕緣膜（122）所覆蓋。根據本發明的半導體裝置，其提供一種：具備在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）的，同時不易因穿通模式下的擊穿導致耐壓降低的半導體裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种功率半导体设备（100），包括：半导体基体（110），在第一半导体层（112）上层积有第二半导体层（114），在第二半导体层（114）的表面形成有沟槽（118），在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）；第一电极（126）；层间绝缘膜（122），具有规定开口（128）；以及第二电极（124），其中，在开口（128）的内部填充有金属，并且开口（128）位于避开第三半导体层（116）的中央部的位置上，第二电极（124）经由金属与第三半导体层（116）相连接，第三半导体层（116）的中央部的表面被层间绝缘膜（122）所覆盖。根据本发明的半导体设备，其提供一种：具备在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）的，同时不易因穿通模式下的击穿导致耐压降低的半导体设备。

    半導體裝置
    5.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201541639A

    公开(公告)日：2015-11-01

    申请号：TW104110138

    申请日：2015-03-27

    Applicant: 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 淺田毅 ,  ASADA, TAKESHI ,  北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE ,  山口武司 ,  YAMAGUCHI, TAKESHI ,  鈴木教章 ,  SUZUKI, NORIAKI

    IPC: H01L29/772 ,  H01L27/085

    CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811

    Abstract: 課題 降低由於電容的充放電導致的柵極電極的電壓上升從而引起誤動作的可能性。解決方法 半導體裝置包括：第一導電型漂移層20；與源極電極90相連接，且被安裝在漂移層20上的第二導電型基極層30；以及與源極電極90相連接，貫穿基極層30從而延伸到漂移層20的第二導電型陣列層50。半導體裝置包括：被安裝在被設在陣列層50的上端兩側的一對第一溝槽63的內部，且被第一絕緣層62包圍的一對第一柵極電極61；被設置在基極層30上，在第一絕緣層62中與陣列層50一側反向的一側部與該第一絕緣層62相鄰接，且與源極電極90相連接的第一導電型源極區域31。

    Abstract in simplified Chinese: 课题 降低由于电容的充放电导致的栅极电极的电压上升从而引起误动作的可能性。解决方法 半导体设备包括：第一导电型漂移层20；与源极电极90相连接，且被安装在漂移层20上的第二导电型基极层30；以及与源极电极90相连接，贯穿基极层30从而延伸到漂移层20的第二导电型数组层50。半导体设备包括：被安装在被设在数组层50的上端两侧的一对第一沟槽63的内部，且被第一绝缘层62包围的一对第一栅极电极61；被设置在基极层30上，在第一绝缘层62中与数组层50一侧反向的一侧部与该第一绝缘层62相邻接，且与源极电极90相连接的第一导电型源极区域31。

    金屬氧化物半導體場效電晶體以及電力轉換電路
    8.
    发明专利
    金屬氧化物半導體場效電晶體以及電力轉換電路 审中-公开
    金属氧化物半导体场效应管以及电力转换电路

    公开(公告)号：TW201826528A

    公开(公告)日：2018-07-16

    申请号：TW106128442

    申请日：2017-08-22

    Applicant: 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 新井大輔 ,  ARAI, DAISUKE ,  久田茂 ,  HISADA, SHIGERU ,  北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA, TAKESHI

    IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H02M1/00

    Abstract: 本發明的金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)，用於具備：反應器；電源；MOSFET；以及整流元件的電力轉換電路中，其具備：具有由所述n型柱形區域以及所述p型柱形區域構成超級結結構的半導體基體，其中，所述n型柱形區域以及所述p型柱形區域被形成為：使所述n型柱形區域的摻雜物總量比所述p型柱形區域的摻雜物總量更高，在關斷所述MOSFET後，運作為：在從汲極電流開始減少直到汲極電流最初變為零的期間內，依次出現所述汲極電流減少的第一期間、所述汲極電流增加的第二期間、以及所述汲極電流再次減少的第三期間。根據本發明的MOSFET，由於能夠在關斷MOSFET後，將MOSFET的浪湧電壓減小至比以往更小的程度，因此就能夠使其適用於各種電力轉換電路。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)，用于具备：反应器；电源；MOSFET；以及整流组件的电力转换电路中，其具备：具有由所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域构成超级结结构的半导体基体，其中，所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域被形成为：使所述n型柱形区域的掺杂物总量比所述p型柱形区域的掺杂物总量更高，在关断所述MOSFET后，运作为：在从汲极电流开始减少直到汲极电流最初变为零的期间内，依次出现所述汲极电流减少的第一期间、所述汲极电流增加的第二期间、以及所述汲极电流再次减少的第三期间。根据本发明的MOSFET，由于能够在关断MOSFET后，将MOSFET的浪涌电压减小至比以往更小的程度，因此就能够使其适用于各种电力转换电路。

    金氧半場效電晶體(MOSFET)以及電力轉換電路
    9.
    发明专利
    金氧半場效電晶體(MOSFET)以及電力轉換電路 审中-公开
    金氧半场效应管(MOSFET)以及电力转换电路

    公开(公告)号：TW201818549A

    公开(公告)日：2018-05-16

    申请号：TW106138637

    申请日：2017-11-08

    Applicant: 日商新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 新井大輔 ,  ARAI, DAISUKE ,  北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE

    IPC: H01L29/78 ,  H02M1/00

    Abstract: 本發明的金氧半場效電晶體，包括，具有超級接面結構的半導體基體；以及經由閘極絕緣膜後被形成在半導體基體的第一主面側上的閘極電極，其中：在以超級接面結構中選定深度位置的深度x爲橫軸，以超級接面結構中選定深度位置上的平均正電荷密度ρ(x)爲縱軸時，將金氧半場效電晶體關斷後超級接面結構空乏時，超級接面結構中選定深度位置上的平均正電荷密度ρ(x)展現爲上凸的向右上揚的曲線。根據本發明的金氧半場效電晶體，即便閘極周圍的電荷平衡存在變動，也能將關斷後的開關特性的變動减小至比以往更小的水平。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的金氧半场效应管，包括，具有超级接面结构的半导体基体；以及经由闸极绝缘膜后被形成在半导体基体的第一主面侧上的闸极电极，其中：在以超级接面结构中选定深度位置的深度x为横轴，以超级接面结构中选定深度位置上的平均正电荷密度ρ(x)为纵轴时，将金氧半场效应管关断后超级接面结构空乏时，超级接面结构中选定深度位置上的平均正电荷密度ρ(x)展现为上凸的向右上扬的曲线。根据本发明的金氧半场效应管，即便闸极周围的电荷平衡存在变动，也能将关断后的开关特性的变动减小至比以往更小的水平。

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