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    半導體裝置
    1.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201541639A

    公开(公告)日：2015-11-01

    申请号：TW104110138

    申请日：2015-03-27

    Applicant: 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 淺田毅 ,  ASADA, TAKESHI ,  北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE ,  山口武司 ,  YAMAGUCHI, TAKESHI ,  鈴木教章 ,  SUZUKI, NORIAKI

    IPC: H01L29/772 ,  H01L27/085

    CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0865 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811

    Abstract: 課題 降低由於電容的充放電導致的柵極電極的電壓上升從而引起誤動作的可能性。解決方法 半導體裝置包括：第一導電型漂移層20；與源極電極90相連接，且被安裝在漂移層20上的第二導電型基極層30；以及與源極電極90相連接，貫穿基極層30從而延伸到漂移層20的第二導電型陣列層50。半導體裝置包括：被安裝在被設在陣列層50的上端兩側的一對第一溝槽63的內部，且被第一絕緣層62包圍的一對第一柵極電極61；被設置在基極層30上，在第一絕緣層62中與陣列層50一側反向的一側部與該第一絕緣層62相鄰接，且與源極電極90相連接的第一導電型源極區域31。

    Abstract in simplified Chinese: 课题 降低由于电容的充放电导致的栅极电极的电压上升从而引起误动作的可能性。解决方法 半导体设备包括：第一导电型漂移层20；与源极电极90相连接，且被安装在漂移层20上的第二导电型基极层30；以及与源极电极90相连接，贯穿基极层30从而延伸到漂移层20的第二导电型数组层50。半导体设备包括：被安装在被设在数组层50的上端两侧的一对第一沟槽63的内部，且被第一绝缘层62包围的一对第一栅极电极61；被设置在基极层30上，在第一绝缘层62中与数组层50一侧反向的一侧部与该第一绝缘层62相邻接，且与源极电极90相连接的第一导电型源极区域31。

    半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
    3.
    发明专利
    半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备以及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201737499A

    公开(公告)日：2017-10-16

    申请号：TW106109822

    申请日：2017-03-23

    Applicant: 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA, TAKESHI ,  山口武司 ,  YAMAGUCHI, TAKESHI ,  鈴木教章 ,  SUZUKI, NORIAKI ,  新井大輔 ,  ARAI, DAISUKE

    IPC: H01L29/96 ,  H01L25/07

    CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

    Abstract: 本發明係揭露一種功率半導體裝置（100），包括：半導體基體（110），在第一半導體層（112）上層積有第二半導體層（114），在第二半導體層（114）的表面形成有溝槽（118），在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）；第一電極（126）；層間絕緣膜（122），具有規定開口（128）；以及第二電極（124），其中，在開口（128）的內部填充有金屬，並且開口（128）位於避開第三半導體層（116）的中央部的位置上，第二電極（124）經由金屬與第三半導體層（116）相連接，第三半導體層（116）的中央部的表面被層間絕緣膜（122）所覆蓋。根據本發明的半導體裝置，其提供一種：具備在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）的，同時不易因穿通模式下的擊穿導致耐壓降低的半導體裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种功率半导体设备（100），包括：半导体基体（110），在第一半导体层（112）上层积有第二半导体层（114），在第二半导体层（114）的表面形成有沟槽（118），在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）；第一电极（126）；层间绝缘膜（122），具有规定开口（128）；以及第二电极（124），其中，在开口（128）的内部填充有金属，并且开口（128）位于避开第三半导体层（116）的中央部的位置上，第二电极（124）经由金属与第三半导体层（116）相连接，第三半导体层（116）的中央部的表面被层间绝缘膜（122）所覆盖。根据本发明的半导体设备，其提供一种：具备在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）的，同时不易因穿通模式下的击穿导致耐压降低的半导体设备。

    半導體裝置
    5.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201818457A

    公开(公告)日：2018-05-16

    申请号：TW107102599

    申请日：2017-03-23

    Applicant: 日商新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 北田瑞枝 ,  KITADA,MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA,TAKESHI ,  山口武司 ,  YAMAGUCHI,TAKESHI ,  鈴木教章 ,  SUZUKI,NORIAKI ,  新井大輔 ,  ARAI,DAISUKE

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60

    Abstract: 本發明係揭露一種功率半導體裝置（100），包括：半導體基體（110），在第一半導體層（112）上層積有第二半導體層（114），在第二半導體層（114）的表面形成有溝槽（118），在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）；第一電極（126）；層間絕緣膜（122），具有規定開口（128）；以及第二電極（124），其中，在開口（128）的內部填充有金屬，並且開口（128）位於避開第三半導體層（116）的中央部的位置上，第二電極（124）經由金屬與第三半導體層（116）相連接，第三半導體層（116）的中央部的表面被層間絕緣膜（122）所覆蓋。根據本發明的半導體裝置，其提供一種：具備在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）的，同時不易因穿通模式下的擊穿導致耐壓降低的半導體裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种功率半导体设备（100），包括：半导体基体（110），在第一半导体层（112）上层积有第二半导体层（114），在第二半导体层（114）的表面形成有沟槽（118），在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）；第一电极（126）；层间绝缘膜（122），具有规定开口（128）；以及第二电极（124），其中，在开口（128）的内部填充有金属，并且开口（128）位于避开第三半导体层（116）的中央部的位置上，第二电极（124）经由金属与第三半导体层（116）相连接，第三半导体层（116）的中央部的表面被层间绝缘膜（122）所覆盖。根据本发明的半导体设备，其提供一种：具备在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）的，同时不易因穿通模式下的击穿导致耐压降低的半导体设备。

    功率半導體裝置及其製造方法
    7.
    发明专利
    功率半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    功率半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201803126A

    公开(公告)日：2018-01-16

    申请号：TW106110994

    申请日：2017-03-31

    Applicant: 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 新井大輔 ,  ARAI, DAISUKE ,  北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA, TAKESHI ,  山口武司 ,  YAMAGUCHI, TAKESHI ,  鈴木教章 ,  SUZUKI, NORIAKI

    IPC: H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

    Abstract: 本發明的功率半導體裝置，具有超級結結構，包括：低電阻半導體層、n-型柱形區域、p-型柱形區域、基極區域、溝槽、閘極絕緣膜、閘電極、源極區域、層間絕緣膜、接觸孔、金屬塞、p+型擴散區域、源電極、以及閘極焊盤電極，並且，主動元件部，在距離閘極焊盤部最近的規定的p-型柱形區域，與與溝槽接觸的n-型柱形區域中距離閘極焊盤部最近的規定的n-型柱形區域之間，具備n-型柱形區域。本發明的功率半導體裝置，是一種符合低成本化以及小型化要求的，並且能夠在維持高耐壓的同時降低導通電阻的，具有高擊穿耐量的功率半導體裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的功率半导体设备，具有超级结结构，包括：低电阻半导体层、n-型柱形区域、p-型柱形区域、基极区域、沟槽、闸极绝缘膜、闸电极、源极区域、层间绝缘膜、接触孔、金属塞、p+型扩散区域、源电极、以及闸极焊盘电极，并且，主动组件部，在距离闸极焊盘部最近的规定的p-型柱形区域，与与沟槽接触的n-型柱形区域中距离闸极焊盘部最近的规定的n-型柱形区域之间，具备n-型柱形区域。本发明的功率半导体设备，是一种符合低成本化以及小型化要求的，并且能够在维持高耐压的同时降低导通电阻的，具有高击穿耐量的功率半导体设备。

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