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    金屬氧化物半導體場效電晶體以及電力轉換電路
    3.
    发明专利
    金屬氧化物半導體場效電晶體以及電力轉換電路 审中-公开
    金属氧化物半导体场效应管以及电力转换电路

    公开(公告)号：TW201814907A

    公开(公告)日：2018-04-16

    申请号：TW106128441

    申请日：2017-08-22

    Applicant: 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 新井大輔 ,  ARAI, DAISUKE ,  久田茂 ,  HISADA, SHIGERU ,  北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA, TAKESHI

    IPC: H01L29/78 ,  H02M1/00

    CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/68 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7805 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872 ,  H02M1/32 ,  H02M3/00

    Abstract: 本發明的金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)100，用於具備：反應器；電源； MOSFET100；以及整流元件，的電力轉換電路中，其包括：半導體基體110，具有n型柱形區域114以及p型柱形區域116，並且由n型柱形區域114以及p型柱形區域116構成超級結結構，其中，n型柱形區域114以及p型柱形區域116被形成為：p型柱形區域116的摻雜物總量比n型柱形區域114的摻雜物總量更高，在開啟MOSFET後，運作為：從平面上看在n型柱形區域114的中央，出現電場強度比n型柱形區域114的中央以外的區域更低的低電場區域。根據本發明的MOSFET，在開啟MOSFET後，就能夠使MOSFET更難產生振盪，並且，更能夠降低整流元件的浪湧。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)100，用于具备：反应器；电源； MOSFET100；以及整流组件，的电力转换电路中，其包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114以及p型柱形区域116，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构，其中，n型柱形区域114以及p型柱形区域116被形成为：p型柱形区域116的掺杂物总量比n型柱形区域114的掺杂物总量更高，在打开MOSFET后，运作为：从平面上看在n型柱形区域114的中央，出现电场强度比n型柱形区域114的中央以外的区域更低的低电场区域。根据本发明的MOSFET，在打开MOSFET后，就能够使MOSFET更难产生振荡，并且，更能够降低整流组件的浪涌。

    半導體裝置以及半導體裝置的製造方法
    4.
    发明专利
    半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备以及半导体设备的制造方法

    公开(公告)号：TW201737499A

    公开(公告)日：2017-10-16

    申请号：TW106109822

    申请日：2017-03-23

    Applicant: 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA, TAKESHI ,  山口武司 ,  YAMAGUCHI, TAKESHI ,  鈴木教章 ,  SUZUKI, NORIAKI ,  新井大輔 ,  ARAI, DAISUKE

    IPC: H01L29/96 ,  H01L25/07

    CPC classification number: H01L29/868 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/417 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

    Abstract: 本發明係揭露一種功率半導體裝置（100），包括：半導體基體（110），在第一半導體層（112）上層積有第二半導體層（114），在第二半導體層（114）的表面形成有溝槽（118），在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）；第一電極（126）；層間絕緣膜（122），具有規定開口（128）；以及第二電極（124），其中，在開口（128）的內部填充有金屬，並且開口（128）位於避開第三半導體層（116）的中央部的位置上，第二電極（124）經由金屬與第三半導體層（116）相連接，第三半導體層（116）的中央部的表面被層間絕緣膜（122）所覆蓋。根據本發明的半導體裝置，其提供一種：具備在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）的，同時不易因穿通模式下的擊穿導致耐壓降低的半導體裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种功率半导体设备（100），包括：半导体基体（110），在第一半导体层（112）上层积有第二半导体层（114），在第二半导体层（114）的表面形成有沟槽（118），在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）；第一电极（126）；层间绝缘膜（122），具有规定开口（128）；以及第二电极（124），其中，在开口（128）的内部填充有金属，并且开口（128）位于避开第三半导体层（116）的中央部的位置上，第二电极（124）经由金属与第三半导体层（116）相连接，第三半导体层（116）的中央部的表面被层间绝缘膜（122）所覆盖。根据本发明的半导体设备，其提供一种：具备在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）的，同时不易因穿通模式下的击穿导致耐压降低的半导体设备。

    金氧半場效電晶體(MOSFET)以及電力轉換電路
    6.
    发明专利
    金氧半場效電晶體(MOSFET)以及電力轉換電路 审中-公开
    金氧半场效应管(MOSFET)以及电力转换电路

    公开(公告)号：TW201818550A

    公开(公告)日：2018-05-16

    申请号：TW106138640

    申请日：2017-11-08

    Applicant: 日商新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 新井大輔 ,  ARAI, DAISUKE ,  北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE

    IPC: H01L29/78 ,  H02M1/00

    Abstract: 本發明的金氧半場效電晶體的，其包括：半導體基體，其具有n型柱形區域、p型柱形區域、基極區域、以及源極區域，且由n型柱形區域與p型柱形區域構成超級接面結構；溝槽，具有側壁與底部；閘極電極，藉由閘極絕緣膜形成在溝槽內；載流子補償電極，位於閘極電極與溝槽的底部之間；絕緣區域，將載流子補償電極與側壁以及底部分離；以及源極電極，在與源極區域電氣連接的同時也與載流子補償電極電氣連接。 根據本發明的金氧半場效電晶體，即便閘極周圍的電荷平衡存在變動，也能將關斷金氧半場效電晶體後的開關特性的變動减小至比以往更小的水平。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的金氧半场效应管的，其包括：半导体基体，其具有n型柱形区域、p型柱形区域、基极区域、以及源极区域，且由n型柱形区域与p型柱形区域构成超级接面结构；沟槽，具有侧壁与底部；闸极电极，借由闸极绝缘膜形成在沟槽内；载流子补偿电极，位于闸极电极与沟槽的底部之间；绝缘区域，将载流子补偿电极与侧壁以及底部分离；以及源极电极，在与源极区域电气连接的同时也与载流子补偿电极电气连接。 根据本发明的金氧半场效应管，即便闸极周围的电荷平衡存在变动，也能将关断金氧半场效应管后的开关特性的变动减小至比以往更小的水平。

    半導體裝置
    7.
    发明专利
    半導體裝置 审中-公开
    半导体设备

    公开(公告)号：TW201818457A

    公开(公告)日：2018-05-16

    申请号：TW107102599

    申请日：2017-03-23

    Applicant: 日商新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 北田瑞枝 ,  KITADA,MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA,TAKESHI ,  山口武司 ,  YAMAGUCHI,TAKESHI ,  鈴木教章 ,  SUZUKI,NORIAKI ,  新井大輔 ,  ARAI,DAISUKE

    IPC: H01L21/28 ,  H01L21/60

    Abstract: 本發明係揭露一種功率半導體裝置（100），包括：半導體基體（110），在第一半導體層（112）上層積有第二半導體層（114），在第二半導體層（114）的表面形成有溝槽（118），在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）；第一電極（126）；層間絕緣膜（122），具有規定開口（128）；以及第二電極（124），其中，在開口（128）的內部填充有金屬，並且開口（128）位於避開第三半導體層（116）的中央部的位置上，第二電極（124）經由金屬與第三半導體層（116）相連接，第三半導體層（116）的中央部的表面被層間絕緣膜（122）所覆蓋。根據本發明的半導體裝置，其提供一種：具備在溝槽（118）內形成有由外延層構成的第三半導體層（116）的，同時不易因穿通模式下的擊穿導致耐壓降低的半導體裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明系揭露一种功率半导体设备（100），包括：半导体基体（110），在第一半导体层（112）上层积有第二半导体层（114），在第二半导体层（114）的表面形成有沟槽（118），在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）；第一电极（126）；层间绝缘膜（122），具有规定开口（128）；以及第二电极（124），其中，在开口（128）的内部填充有金属，并且开口（128）位于避开第三半导体层（116）的中央部的位置上，第二电极（124）经由金属与第三半导体层（116）相连接，第三半导体层（116）的中央部的表面被层间绝缘膜（122）所覆盖。根据本发明的半导体设备，其提供一种：具备在沟槽（118）内形成有由外延层构成的第三半导体层（116）的，同时不易因穿通模式下的击穿导致耐压降低的半导体设备。

    功率半導體裝置及其製造方法
    9.
    发明专利
    功率半導體裝置及其製造方法 审中-公开
    功率半导体设备及其制造方法

    公开(公告)号：TW201803126A

    公开(公告)日：2018-01-16

    申请号：TW106110994

    申请日：2017-03-31

    Applicant: 新電元工業股份有限公司 ,  SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.

    Inventor： 新井大輔 ,  ARAI, DAISUKE ,  北田瑞枝 ,  KITADA, MIZUE ,  淺田毅 ,  ASADA, TAKESHI ,  山口武司 ,  YAMAGUCHI, TAKESHI ,  鈴木教章 ,  SUZUKI, NORIAKI

    IPC: H01L29/78

    CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

    Abstract: 本發明的功率半導體裝置，具有超級結結構，包括：低電阻半導體層、n-型柱形區域、p-型柱形區域、基極區域、溝槽、閘極絕緣膜、閘電極、源極區域、層間絕緣膜、接觸孔、金屬塞、p+型擴散區域、源電極、以及閘極焊盤電極，並且，主動元件部，在距離閘極焊盤部最近的規定的p-型柱形區域，與與溝槽接觸的n-型柱形區域中距離閘極焊盤部最近的規定的n-型柱形區域之間，具備n-型柱形區域。本發明的功率半導體裝置，是一種符合低成本化以及小型化要求的，並且能夠在維持高耐壓的同時降低導通電阻的，具有高擊穿耐量的功率半導體裝置。

    Abstract in simplified Chinese: 本发明的功率半导体设备，具有超级结结构，包括：低电阻半导体层、n-型柱形区域、p-型柱形区域、基极区域、沟槽、闸极绝缘膜、闸电极、源极区域、层间绝缘膜、接触孔、金属塞、p+型扩散区域、源电极、以及闸极焊盘电极，并且，主动组件部，在距离闸极焊盘部最近的规定的p-型柱形区域，与与沟槽接触的n-型柱形区域中距离闸极焊盘部最近的规定的n-型柱形区域之间，具备n-型柱形区域。本发明的功率半导体设备，是一种符合低成本化以及小型化要求的，并且能够在维持高耐压的同时降低导通电阻的，具有高击穿耐量的功率半导体设备。

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