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公开(公告)号：TWI653355B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW103123796
申请日：2014-07-10
Applicant: 日商三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
Inventor： 櫻井晶 , SAKURAI, AKIRA , 谷雨 , GU, YU , 佐藤雄次 , SATO, YUJI , 熊谷訓 , KUMAGAI, SATOSHI
IPC: C23C14/34
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201542843A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104105832
申请日：2015-02-24
Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
Inventor： 大戶路暁 , OHTO, MICHIAKI , 熊谷訓 , KUMAGAI, SATOSHI , 櫻井晶 , SAKURAI, AKIRA
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/0036 , C23C14/087 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/342 , H01J37/3423 , H01L21/285
Abstract: 一種銅或銅合金所構成的圓筒型濺鍍靶用材料，在外周面的結晶組織中，利用依據EBSD法所測定之每單位面積1mm2的單位總粒邊界長度LN和每單位面積1mm2的單位總特殊粒邊界長度LσN來定義特殊粒邊界長度比率LσN/LN時，在軸線O方向的兩端部之外周面和中央部之外周面所測定的前述特殊粒邊界長度比率LσN/LN平均值為0.5以上，且測定值分別在前述特殊粒邊界長度比率LσN/LN平均值之±20%的範圍內，再者，雜質元素之Si、C的含量總計為10質量ppm以下，O含量為50質量ppm以下。
Abstract in simplified Chinese: 一种铜或铜合金所构成的圆筒型溅镀靶用材料，在外周面的结晶组织中，利用依据EBSD法所测定之每单位面积1mm2的单位总粒边界长度LN和每单位面积1mm2的单位总特殊粒边界长度LσN来定义特殊粒边界长度比率LσN/LN时，在轴线O方向的两端部之外周面和中央部之外周面所测定的前述特殊粒边界长度比率LσN/LN平均值为0.5以上，且测定值分别在前述特殊粒边界长度比率LσN/LN平均值之±20%的范围内，再者，杂质元素之Si、C的含量总计为10质量ppm以下，O含量为50质量ppm以下。
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公开(公告)号：TWI535867B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104105832
申请日：2015-02-24
Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
Inventor： 大戶路暁 , OHTO, MICHIAKI , 熊谷訓 , KUMAGAI, SATOSHI , 櫻井晶 , SAKURAI, AKIRA
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/0036 , C23C14/087 , C23C14/14 , C23C14/34 , C23C14/3414 , H01J37/342 , H01J37/3423 , H01L21/285
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公开(公告)号：TW201538758A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW104105829
申请日：2015-02-24
Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
Inventor： 櫻井晶 , SAKURAI, AKIRA , 熊谷訓 , KUMAGAI, SATOSHI , 園畠喬 , SONOHATA, TAKASHI , 大戶路暁 , OHTO, MICHIAKI
CPC classification number: C23C14/3414 , B22D11/004 , C21D8/10 , C21D9/0068 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3491
Abstract: 一種銅或銅合金所構成的圓筒型濺鍍靶用材料之製造方法，係具備連續鑄造步驟、冷加工步驟及熱處理步驟，在該連續鑄造步驟，是使用連續鑄造機或半連續鑄造機，鑄造出平均結晶粒徑為20mm以下的圓筒狀鑄塊；在該冷加工步驟及熱處理步驟，是對該圓筒狀鑄塊反覆實施冷加工和熱處理，藉此成形出：其外周面之平均結晶粒徑為10μm以上150μm以下、且平均結晶粒徑之2倍以上的結晶粒所占的面積比例未達總結晶面積的25%之前述圓筒型濺鍍靶用材料。
Abstract in simplified Chinese: 一种铜或铜合金所构成的圆筒型溅镀靶用材料之制造方法，系具备连续铸造步骤、冷加工步骤及热处理步骤，在该连续铸造步骤，是使用连续铸造机或半连续铸造机，铸造出平均结晶粒径为20mm以下的圆筒状铸块；在该冷加工步骤及热处理步骤，是对该圆筒状铸块反复实施冷加工和热处理，借此成形出：其外周面之平均结晶粒径为10μm以上150μm以下、且平均结晶粒径之2倍以上的结晶粒所占的面积比例未达总结晶面积的25%之前述圆筒型溅镀靶用材料。
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公开(公告)号：TWI534277B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW104105829
申请日：2015-02-24
Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
Inventor： 櫻井晶 , SAKURAI, AKIRA , 熊谷訓 , KUMAGAI, SATOSHI , 園畠喬 , SONOHATA, TAKASHI , 大戶路暁 , OHTO, MICHIAKI
CPC classification number: C23C14/3414 , B22D11/004 , C21D8/10 , C21D9/0068 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/05 , C22C9/06 , C22F1/00 , C22F1/08 , C23C14/3407 , H01J37/3423 , H01J37/3426 , H01J37/3491
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公开(公告)号：TW201510259A
公开(公告)日：2015-03-16
申请号：TW103123796
申请日：2014-07-10
Applicant: 三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
Inventor： 櫻井晶 , SAKURAI, AKIRA , 谷雨 , GU, YU , 佐藤雄次 , SATO, YUJI , 熊谷訓 , KUMAGAI, SATOSHI
IPC: C23C14/34
CPC classification number: H01J37/3426 , C22C9/00 , C23C14/3414 , C25C1/12 , H01J2237/081 , H01J2237/3323
Abstract: 本發明之高純度銅濺鍍靶用銅素材，其係去除了O、H、N、C之Cu的純度為99.999980mass%以上且99.999998mass%以下之範圍內，Al的含量為0.005massppm以下、Si的含量為0.05massppm以下。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之高纯度铜溅镀靶用铜素材，其系去除了O、H、N、C之Cu的纯度为99.999980mass%以上且99.999998mass%以下之范围内，Al的含量为0.005massppm以下、Si的含量为0.05massppm以下。
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