公开(公告)号：TW201921701A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW108102075

申请日：2016-01-22

Applicant: 日商半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU ,  岡崎豊 ,  OKAZAKI, YUTAKA ,  岡本悟 ,  OKAMOTO, SATORU ,  笹川慎也 ,  SASAGAWA, SHINYA

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L21/365 ,  H01L21/477 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146

Abstract: 一種半導體裝置，包括：第一絕緣層上的第一氧化物絕緣層；第一氧化物絕緣層上的氧化物半導體層；氧化物半導體層上的源極電極層及汲極電極層；源極電極層及汲極電極層上的第二絕緣層；氧化物半導體層上的第二氧化物絕緣層；第二氧化物絕緣層上的閘極絕緣層；閘極絕緣層上的閘極電極層；以及第二絕緣層、第二氧化物絕緣層、閘極絕緣層、閘極電極層上的第三絕緣層，第二絕緣層在第二絕緣層的側面部與第二氧化物絕緣層接觸，閘極電極層包括具有互不相同的寬度的第一區域、第二區域，第一區域具有比第二區域大的寬度。

Abstract in simplified Chinese: 一种半导体设备，包括：第一绝缘层上的第一氧化物绝缘层；第一氧化物绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源极电极层及汲极电极层；源极电极层及汲极电极层上的第二绝缘层；氧化物半导体层上的第二氧化物绝缘层；第二氧化物绝缘层上的闸极绝缘层；闸极绝缘层上的闸极电极层；以及第二绝缘层、第二氧化物绝缘层、闸极绝缘层、闸极电极层上的第三绝缘层，第二绝缘层在第二绝缘层的侧面部与第二氧化物绝缘层接触，闸极电极层包括具有互不相同的宽度的第一区域、第二区域，第一区域具有比第二区域大的宽度。

公开(公告)号：TWI421981B

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：TW096118218

申请日：2007-05-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 掛端哲彌 ,  KAKEHATA, TETSUYA ,  田中哲弘 ,  TANAKA, TETSUHIRO ,  淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU

IPC: H01L21/8247 ,  H01L21/31 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/31637 ,  H01L21/31645 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7881

公开(公告)号：TWI385789B

公开(公告)日：2013-02-11

申请号：TW095104243

申请日：2006-02-08

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 湯川幹央 ,  YUKAWA, MIKIO ,  高野圭惠 ,  TAKANO, TAMAE ,  淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  佐藤岳尚 ,  SATO, TAKEHISA

IPC: H01L27/10

CPC classification number: H01L27/112 ,  G11C17/146 ,  G11C17/16

公开(公告)号：TWI479665B

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：TW098116216

申请日：2009-05-15

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7881 ,  G11C16/0441 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66825

公开(公告)号：TWI416738B

公开(公告)日：2013-11-21

申请号：TW096108773

申请日：2007-03-14

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI ,  淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU ,  高野圭惠 ,  TAKANO, TAMAE ,  古野誠 ,  FURUNO, MAKOTO

IPC: H01L29/788 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L27/115 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/7881

公开(公告)号：TWI411095B

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：TW095135203

申请日：2006-09-22

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/1255 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1288

公开(公告)号：TWI395321B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：TW095107976

申请日：2006-03-09

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 湯川幹央 ,  YUKAWA, MIKIO ,  淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU ,  野村亮二 ,  NOMURA, RYOJI

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/00

CPC classification number: G11C13/0011 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/285 ,  Y10S257/928

公开(公告)号：TWI482269B

公开(公告)日：2015-04-21

申请号：TW098114870

申请日：2009-05-05

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7881

公开(公告)号：TWI467702B

公开(公告)日：2015-01-01

申请号：TW095110562

申请日：2006-03-27

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU ,  高野圭惠 ,  TAKANO, TAMAE ,  坂倉真之 ,  SAKAKURA, MASAYUKI ,  野村亮二 ,  NOMURA, RYOJI ,  山崎舜平 ,  YAMAZAKI, SHUNPEI

IPC: H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/1082 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/34 ,  G11C13/0014 ,  G11C2213/79 ,  H01L23/4828 ,  H01L27/105 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/28 ,  H01L29/458 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI411113B

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：TW096109752

申请日：2007-03-21

Applicant: 半導體能源研究所股份有限公司 ,  SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.

Inventor： 山崎舜平 ,  YAMASAKI, SHUNPEI ,  淺見良信 ,  ASAMI, YOSHINOBU ,  高野圭惠 ,  TAKANO, TAMAE ,  古野誠 ,  FURUNO, MAKOTO

IPC: H01L29/788

CPC classification number: H01L29/42324 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/7883