半導體裝置的製造方法
    8.
    发明专利
    半導體裝置的製造方法 审中-公开
    半导体设备的制造方法

    公开(公告)号:TW201826413A

    公开(公告)日:2018-07-16

    申请号:TW106143131

    申请日:2017-12-08

    IPC分类号: H01L21/56 H01L21/60

    摘要: 本發明的半導體裝置的製造方法,其具備下述步驟:步驟(I),其以使熱硬化性樹脂薄膜與半導體元件的主動面相接的方式,將1個以上的具有主動面之半導體元件配置在包含了熱硬化性樹脂組成物之熱硬化性樹脂薄膜上;步驟(II),其將已配置在熱硬化性樹脂薄膜上的半導體元件,利用半導體密封用構件進行密封;步驟(III),其在步驟(II)之後,將開口設置在熱硬化性樹脂薄膜或其硬化物上,該開口到達半導體元件的主動面為止;及,步驟(IV),其將導體填充至開口中或將導體層形成在開口的內側。

    简体摘要: 本发明的半导体设备的制造方法,其具备下述步骤:步骤(I),其以使热硬化性树脂薄膜与半导体组件的主动面相接的方式,将1个以上的具有主动面之半导体组件配置在包含了热硬化性树脂组成物之热硬化性树脂薄膜上;步骤(II),其将已配置在热硬化性树脂薄膜上的半导体组件,利用半导体密封用构件进行密封;步骤(III),其在步骤(II)之后,将开口设置在热硬化性树脂薄膜或其硬化物上,该开口到达半导体组件的主动面为止;及,步骤(IV),其将导体填充至开口中或将导体层形成在开口的内侧。