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公开(公告)号：TWI694558B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW105129002
申请日：2016-09-07
发明人： 中子偉夫 , NAKAKO, HIDEO , 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO , 江尻芳則 , EJIRI, YOSHINORI , 石川大 , ISHIKAWA, DAI , 須鎌千絵 , SUGAMA, CHIE , 川名祐貴 , KAWANA, YUKI
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公开(公告)号：TWI628990B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW101137326
申请日：2012-10-09
发明人： 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO , 藤本大輔 , FUJIMOTO, DAISUKE , 山田薫平 , YAMADA, KUNPEI , 名越俊昌 , NAGOSHI, TOSHIMASA
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公开(公告)号：TW201819534A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW106132990
申请日：2017-09-26
发明人： 安部慎一郎 , ABE, SHINICHIRO , 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO , 峯岸知典 , MINEGISHI, TOMONORI , 満倉一行 , MITSUKURA, KAZUYUKI , 鳥羽正也 , TOBA, MASAYA
IPC分类号： C08L79/04 , C08G73/06 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01L23/522
摘要： 本發明的一側面為一種樹脂組成物，其含有硬化性樹脂與硬化劑，且用於形成與銅配線相接的配線層間絕緣層。
简体摘要： 本发明的一侧面为一种树脂组成物，其含有硬化性树脂与硬化剂，且用于形成与铜配线相接的配线层间绝缘层。
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公开(公告)号：TW201724449A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105126825
申请日：2016-08-23
发明人： 満倉一行 , MITSUKURA, KAZUYUKI , 鳥羽正也 , TOBA, MASAYA , 岩下健一 , IWASHITA, KENICHI , 浦島航介 , URASHIMA, KOHSUKE , 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO
IPC分类号： H01L23/538
CPC分类号： H01L23/12 , H01L2224/73204 , H05K3/10 , H05K3/46
摘要： 本發明提供一種可以良好的良率且低成本來製造晶片彼此的傳送優異的高密度的半導體裝置的製造方法。半導體裝置的製造方法包括：絕緣層形成步驟，於基板1上形成具有槽部4的絕緣層3；銅層形成步驟，於絕緣層3上以填埋槽部4的方式形成銅層5a；以及去除步驟，以保留槽部4內的銅層部分之方式利用飛切法將絕緣層3上的銅層5a去除。
简体摘要： 本发明提供一种可以良好的良率且低成本来制造芯片彼此的发送优异的高密度的半导体设备的制造方法。半导体设备的制造方法包括：绝缘层形成步骤，于基板1上形成具有槽部4的绝缘层3；铜层形成步骤，于绝缘层3上以填埋槽部4的方式形成铜层5a；以及去除步骤，以保留槽部4内的铜层部分之方式利用飞切法将绝缘层3上的铜层5a去除。
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公开(公告)号：TW201718441A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105129000
申请日：2016-09-07
发明人： 川名祐貴 , KAWANA, YUKI , 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO , 江尻芳則 , EJIRI, YOSHINORI , 中子偉夫 , NAKAKO, HIDEO , 須鎌千絵 , SUGAMA, CHIE , 石川大 , ISHIKAWA, DAI
CPC分类号： B22F1/00 , B22F7/08 , C04B37/00 , H01L21/52 , H01L2224/33 , H01L2224/371 , H01L2224/40137 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 本發明的接合用銅糊含有金屬粒子、及分散媒，金屬粒子含有體積平均粒徑為0.12 μm以上且0.8 μm以下的次微米銅粒子、以及體積平均粒徑為2 μm以上且50 μm以下的微米銅粒子，以金屬粒子的總質量為基準，次微米銅粒子的含量及微米銅粒子的含量的合計為80質量%以上，以次微米銅粒子的質量及微米銅粒子的質量的合計為基準，次微米銅粒子的含量為30質量%以上且90質量%以下。
简体摘要： 本发明的接合用铜煳含有金属粒子、及分散媒，金属粒子含有体积平均粒径为0.12 μm以上且0.8 μm以下的次微米铜粒子、以及体积平均粒径为2 μm以上且50 μm以下的微米铜粒子，以金属粒子的总质量为基准，次微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量的合计为80质量%以上，以次微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量的合计为基准，次微米铜粒子的含量为30质量%以上且90质量%以下。
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公开(公告)号：TW201739927A
公开(公告)日：2017-11-16
申请号：TW106113833
申请日：2017-04-26
发明人： 川名祐貴 , KAWANA, YUKI , 中子偉夫 , NAKAKO, HIDEO , 石川大 , ISHIKAWA, DAI , 須鎌千絵 , SUGAMA, CHIE , 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO , 江尻芳則 , EJIRI, YOSHINORI
CPC分类号： B22F1/00 , B22F7/08 , B22F9/00 , H01L21/52 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 本發明的接合用銅糊包含銅粒子、含有銅以外的金屬元素的第二粒子及分散媒，銅粒子包含體積平均粒徑為0.12 μm以上且0.8 μm以下的次微米銅粒子與體積平均粒徑為2 μm以上且50 μm以下的微米銅粒子，以銅粒子及第二粒子的質量的合計為基準，次微米銅粒子的含量及微米銅粒子的含量的合計為80質量%以上，以次微米銅粒子的質量及微米銅粒子的質量的合計為基準，次微米銅粒子的含量為30質量%以上且90質量%以下，以銅粒子及第二粒子的質量的合計為基準，第二粒子的含量為0.01質量%以上且10質量%以下。
简体摘要： 本发明的接合用铜煳包含铜粒子、含有铜以外的金属元素的第二粒子及分散媒，铜粒子包含体积平均粒径为0.12 μm以上且0.8 μm以下的次微米铜粒子与体积平均粒径为2 μm以上且50 μm以下的微米铜粒子，以铜粒子及第二粒子的质量的合计为基准，次微米铜粒子的含量及微米铜粒子的含量的合计为80质量%以上，以次微米铜粒子的质量及微米铜粒子的质量的合计为基准，次微米铜粒子的含量为30质量%以上且90质量%以下，以铜粒子及第二粒子的质量的合计为基准，第二粒子的含量为0.01质量%以上且10质量%以下。
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公开(公告)号：TW201348873A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102114197
申请日：2013-04-22
发明人： 名越俊昌 , NAGOSHI, TOSHIMASA , 田中恵生 , TANAKA, SHIGEO , 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO
CPC分类号： C08L63/00 , G03F7/0047 , G03F7/027 , G03F7/031 , G03F7/038 , G03F7/0388 , H05K3/287 , H05K2201/0209 , C08L53/00 , C08L77/00
摘要： 本發明是一種感光性樹脂組成物，其含有：(A)具有乙烯性不飽和基與羧基的樹脂、(B)光聚合起始劑、(C)環氧樹脂、(D)無機填料、及(E)具有胺基的有機填料，且滿足下述條件(I)~條件(IV)：(I)(D)含有(d-1)第一無機填料及(d-2)第二無機填料；(II)(d-1)的平均粒徑為100nm~500nm、最大粒徑為2μm以下、折射率為1.5~1.8；(III)(d-2)的平均粒徑為5nm~200nm、折射率為1.2以上且小於1.5；(IV)(E)含有平均粒徑為500nm以下、最大粒徑為2μm以下的有機填料。
简体摘要： 本发明是一种感光性树脂组成物，其含有：(A)具有乙烯性不饱和基与羧基的树脂、(B)光聚合起始剂、(C)环氧树脂、(D)无机填料、及(E)具有胺基的有机填料，且满足下述条件(I)~条件(IV)：(I)(D)含有(d-1)第一无机填料及(d-2)第二无机填料；(II)(d-1)的平均粒径为100nm~500nm、最大粒径为2μm以下、折射率为1.5~1.8；(III)(d-2)的平均粒径为5nm~200nm、折射率为1.2以上且小于1.5；(IV)(E)含有平均粒径为500nm以下、最大粒径为2μm以下的有机填料。
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公开(公告)号：TW201827612A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106103081
申请日：2017-01-26
发明人： 中子偉夫 , NAKAKO, HIDEO , 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO , 江尻芳則 , EJIRI, YOSHINORI , 石川大 , ISHIKAWA, DAI , 須鎌千絵 , SUGAMA, CHIE , 川名祐貴 , KAWANA, YUKI
摘要： 本發明的無加壓接合用銅糊包含金屬粒子及分散介質，且金屬粒子包含體積平均粒徑為0.01 μm以上且0.8 μm以下的亞微米銅粒子及體積平均粒徑為2.0 μm以上且50 μm以下的微米銅粒子，分散介質包含具有300℃以上的沸點的溶媒，以無加壓接合用銅糊的總質量為基準，具有300℃以上的沸點的溶媒的含量為2質量%以上。
简体摘要： 本发明的无加压接合用铜煳包含金属粒子及分散介质，且金属粒子包含体积平均粒径为0.01 μm以上且0.8 μm以下的亚微米铜粒子及体积平均粒径为2.0 μm以上且50 μm以下的微米铜粒子，分散介质包含具有300℃以上的沸点的溶媒，以无加压接合用铜煳的总质量为基准，具有300℃以上的沸点的溶媒的含量为2质量%以上。
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公开(公告)号：TW201801258A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106106306
申请日：2017-02-24
发明人： 満倉一行 , MITSUKURA, KAZUYUKI , 鳥羽正也 , TOBA, MASAYA , 江尻芳則 , EJIRI, YOSHINORI , 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO
摘要： 本發明提供一種可提高絕緣可靠性的有機中介層及其製造方法。有機中介層10具備含有多個有機絕緣層而成的有機絕緣積層體12、及排列於有機絕緣積層體12內的多條配線13，並且藉由阻障金屬膜14將配線13與有機絕緣層隔開。有機絕緣積層體12包含第一有機絕緣層21及第二有機絕緣層22，所述第一有機絕緣層21具有配置有配線13的多個凹槽部21a，所述第二有機絕緣層22以嵌埋配線13的方式積層於第一有機絕緣層21上。
简体摘要： 本发明提供一种可提高绝缘可靠性的有机中介层及其制造方法。有机中介层10具备含有多个有机绝缘层而成的有机绝缘积层体12、及排列于有机绝缘积层体12内的多条配线13，并且借由阻障金属膜14将配线13与有机绝缘层隔开。有机绝缘积层体12包含第一有机绝缘层21及第二有机绝缘层22，所述第一有机绝缘层21具有配置有配线13的多个凹槽部21a，所述第二有机绝缘层22以嵌埋配线13的方式积层于第一有机绝缘层21上。
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公开(公告)号：TW201718442A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105128996
申请日：2016-09-07
发明人： 石川大 , ISHIKAWA, DAI , 川名祐貴 , KAWANA, YUKI , 須鎌千絵 , SUGAMA, CHIE , 中子偉夫 , NAKAKO, HIDEO , 江尻芳則 , EJIRI, YOSHINORI , 蔵渕和彦 , KURAFUCHI, KAZUHIKO
CPC分类号： B22F1/00 , B22F7/08 , C04B37/02 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01L21/52 , H01L2224/32225 , H01L2224/33 , H01L2224/371 , H01L2224/40095 , H01L2224/40137 , H01L2224/40225 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本發明的接合用銅糊含有金屬粒子及分散媒，金屬粒子含有體積平均粒徑為0.12 μm以上且0.8 μm以下的次微米銅粒子，以及最大直徑為1 μm以上且20 μm以下、縱橫比為4以上的片狀微米銅粒子，並且，以片狀微米銅粒子總量為基準，金屬粒子中所含的最大直徑為1 μm以上且20 μm以下、縱橫比小於2的微米銅粒子的含量為50質量%以下。
简体摘要： 本发明的接合用铜煳含有金属粒子及分散媒，金属粒子含有体积平均粒径为0.12 μm以上且0.8 μm以下的次微米铜粒子，以及最大直径为1 μm以上且20 μm以下、纵横比为4以上的片状微米铜粒子，并且，以片状微米铜粒子总量为基准，金属粒子中所含的最大直径为1 μm以上且20 μm以下、纵横比小于2的微米铜粒子的含量为50质量%以下。
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