公开(公告)号：TWI646644B

公开(公告)日：2019-01-01

申请号：TW106121861

申请日：2010-04-20

Applicant: 日商瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Inventor： 安村文次 ,  YASUMURA,BUNJI ,  土屋文男 ,  TSUCHIYA,FUMIO ,  伊東久範 ,  ITO,HISANORI ,  井手琢二 ,  IDE,TAKUJI ,  川邊直樹 ,  KAWANABE,NAOKI ,  佐藤齊尚 ,  SATO,MASANAO

IPC: H01L23/488

公开(公告)号：TW201830258A

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：TW106141750

申请日：2017-11-30

Applicant: 日商瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Inventor： 竹內幹 ,  TAKEUCHI, KAN ,  土屋文男 ,  TSUCHIYA, FUMIO ,  小西信也 ,  KONISHI, SHINYA

IPC: G06F12/16 ,  G11C16/02

Abstract: 本發明之課題為提供可基於半導體裝置所接受的電源電壓或環境溫度的劣化應力累積値而精確預測磨損故障的半導體裝置。 解決手段為：半導體裝置具備：第1電路，其保持第1累積劣化應力計數値；第2電路，其保持第2累積劣化應力計數値；第3電路，其保持累積動作時間的計數値或相應的値；第4電路或演算手段，其接收前述第1累積劣化應力計數値、前述第2累積劣化應力計數値、及前述累積動作時間的計數値或相應的値。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之课题为提供可基于半导体设备所接受的电源电压或环境温度的劣化应力累积値而精确预测磨损故障的半导体设备。 解决手段为：半导体设备具备：第1电路，其保持第1累积劣化应力计数値；第2电路，其保持第2累积劣化应力计数値；第3电路，其保持累积动作时间的计数値或相应的値；第4电路或演算手段，其接收前述第1累积劣化应力计数値、前述第2累积劣化应力计数値、及前述累积动作时间的计数値或相应的値。

公开(公告)号：TWI596724B

公开(公告)日：2017-08-21

申请号：TW105120867

申请日：2010-04-20

Applicant: 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Inventor： 安村文次 ,  YASUMURA, BUNJI ,  土屋文男 ,  TSUCHIYA, FUMIO ,  伊東久範 ,  ITO, HISANORI ,  井手琢二 ,  IDE, TAKUJI ,  川邊直樹 ,  KAWANABE, NAOKI ,  佐藤齊尚 ,  SATO, MASANAO

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TW201733061A

公开(公告)日：2017-09-16

申请号：TW106121861

申请日：2010-04-20

Applicant: 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Inventor： 安村文次 ,  YASUMURA,BUNJI ,  土屋文男 ,  TSUCHIYA,FUMIO ,  伊東久範 ,  ITO,HISANORI ,  井手琢二 ,  IDE,TAKUJI ,  川邊直樹 ,  KAWANABE,NAOKI ,  佐藤齊尚 ,  SATO,MASANAO

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供一種可防止半導體裝置最上層之保護膜之裂痕，以謀求半導體裝置之可靠性之提高之技術。將半導體晶片之主面上所形成之接合焊墊BP1設為長方形狀，並以使接合焊墊BP1之打線接合區域BP1w中之保護膜5之重疊寬度寬於接合焊墊BP1之探針區域BP1p中之保護膜5之重疊寬度之方式，而於接合焊墊BP1上之保護膜5上形成開口部6。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可防止半导体设备最上层之保护膜之裂痕，以谋求半导体设备之可靠性之提高之技术。将半导体芯片之主面上所形成之接合焊垫BP1设为长方形状，并以使接合焊垫BP1之打线接合区域BP1w中之保护膜5之重叠宽度宽于接合焊垫BP1之探针区域BP1p中之保护膜5之重叠宽度之方式，而于接合焊垫BP1上之保护膜5上形成开口部6。

公开(公告)号：TW201637161A

公开(公告)日：2016-10-16

申请号：TW105120867

申请日：2010-04-20

Applicant: 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Inventor： 安村文次 ,  YASUMURA, BUNJI ,  土屋文男 ,  TSUCHIYA, FUMIO ,  伊東久範 ,  ITO, HISANORI ,  井手琢二 ,  IDE, TAKUJI ,  川邊直樹 ,  KAWANABE, NAOKI ,  佐藤齊尚 ,  SATO, MASANAO

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明提供一種可防止半導體裝置最上層之保護膜之裂痕，以謀求半導體裝置之可靠性之提高之技術。將半導體晶片之主面上所形成之接合焊墊BP1設為長方形狀，並以使接合焊墊BP1之打線接合區域BP1w中之保護膜5之重疊寬度寬於接合焊墊BP1之探針區域BP1p中之保護膜5之重疊寬度之方式，而於接合焊墊BP1上之保護膜5上形成開口部6。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可防止半导体设备最上层之保护膜之裂痕，以谋求半导体设备之可靠性之提高之技术。将半导体芯片之主面上所形成之接合焊垫BP1设为长方形状，并以使接合焊垫BP1之打线接合区域BP1w中之保护膜5之重叠宽度宽于接合焊垫BP1之探针区域BP1p中之保护膜5之重叠宽度之方式，而于接合焊垫BP1上之保护膜5上形成开口部6。

公开(公告)号：TWI548051B

公开(公告)日：2016-09-01

申请号：TW099112370

申请日：2010-04-20

Applicant: 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Inventor： 安村文次 ,  YASUMURA, BUNJI ,  土屋文男 ,  TSUCHIYA, FUMIO ,  伊東久範 ,  ITO, HISANORI ,  井手琢二 ,  IDE, TAKUJI ,  川邊直樹 ,  KAWANABE, NAOKI ,  佐藤齊尚 ,  SATO, MASANAO

IPC: H01L23/488

CPC classification number: H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4845 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/20753 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00