-
公开(公告)号:TWI523086B
公开(公告)日:2016-02-21
申请号:TW101100594
申请日:2012-01-06
发明人: 平河修 , HIRAKAWA, OSAMU , 吉高直人 , YOSHITAKA, NAOTO , 本田勝 , HONDA, MASARU , 布朗 薩維爾 法蘭克斯 , XAVIER FRANCOIS BRUN , 辛格頓 二世 查理斯 韋恩 , CHARLES WAYNE SINGLETON JR.
CPC分类号: B32B43/006 , B32B37/06 , B32B38/10 , B32B41/00 , B32B2309/68 , B32B2310/0472 , B32B2457/14 , H01L21/67051 , H01L21/67092 , H01L21/67103 , H01L21/68728 , H01L2221/68381 , Y10S156/93 , Y10S156/941 , Y10T156/1126 , Y10T156/1137 , Y10T156/1153 , Y10T156/1189 , Y10T156/1911 , Y10T156/1939 , Y10T156/1972
-
公开(公告)号:TW201430926A
公开(公告)日:2014-08-01
申请号:TW102130607
申请日:2013-08-27
发明人: 平河修 , HIRAKAWA, OSAMU
IPC分类号: H01L21/304 , B32B38/10
CPC分类号: B32B43/006 , B32B2457/14 , H01L21/67092 , Y10S156/93 , Y10S156/941 , Y10S156/942 , Y10T156/11 , Y10T156/1111 , Y10T156/19
摘要: [課題]提高生產率。[解決手段]實施形態之剝離系統係具備:第1處理區塊,對重合基板或剝離後之被處理基板進行處理;及第2處理區塊,對剝離後之支撐基板進行處理。第1處理區塊係具備剝離站,該剝離站設置有將藉由第1搬送裝置所搬送之重合基板剝離為被處理基板與支撐基板之剝離裝置。又,第2處理區塊係具備:第2洗淨站,設置有洗淨剝離後之支撐基板的第2洗淨裝置;及收授站,配置於第2洗淨站與剝離站之間,從剝離站接收剝離後之支撐基板並傳遞至第2洗淨站。
简体摘要: [课题]提高生产率。[解决手段]实施形态之剥离系统系具备:第1处理区块,对重合基板或剥离后之被处理基板进行处理;及第2处理区块,对剥离后之支撑基板进行处理。第1处理区块系具备剥离站,该剥离站设置有将借由第1搬送设备所搬送之重合基板剥离为被处理基板与支撑基板之剥离设备。又,第2处理区块系具备:第2洗净站,设置有洗净剥离后之支撑基板的第2洗净设备;及收授站,配置于第2洗净站与剥离站之间,从剥离站接收剥离后之支撑基板并传递至第2洗净站。
-
公开(公告)号:TW201324648A
公开(公告)日:2013-06-16
申请号:TW101123494
申请日:2012-06-29
发明人: 相馬康孝 , SOMA, YASUTAKA , 吉高直人 , YOSHITAKA, NAOTO , 米田洋 , KOMEDA, HIROSHI , 真鍋英二 , MANABE, EIJI , 平河修 , HIRAKAWA, OSAMU , 出口雅敏 , DEGUCHI, MASATOSHI , 田村武 , TAMURA, TAKESHI
CPC分类号: B32B43/006 , B32B38/10 , H01L21/67051 , H01L21/67092 , H01L21/673 , H01L21/67346 , H01L2221/683 , H01L2221/68304 , H01L2221/68318 , Y10T156/1153 , Y10T156/1168 , Y10T156/1911 , Y10T156/1978 , Y10T156/1994
摘要: [課題]適當地洗淨被配置在環狀之框架之內側而藉由該框架和膠帶被保持之狀態之被處理基板的接合面。[解決手段]洗淨裝置具有保持被處理晶圓(W)之晶圓保持部(130),和具備覆蓋被處理晶圓(W)之接合面(WJ)之供給面(141)的洗淨治具(140)。在洗淨治具(140)設置有對間隙(142)供給溶劑之溶劑供給部(150),和對間隙(142)供給沖洗液之沖洗液供給部(151),和對間隙(142)供給惰性氣體之惰性氣體供給部(152)。來自溶劑供給部(150)之溶劑係藉由表面張力和離心力,在接合面(WJ)上擴散,來自沖洗液供給部(151)之沖洗液邊與溶劑混合,邊藉由表面張力和離心力在接合面(WJ)上擴散,接合面(WJ)藉由來自惰性氣體供給部(152)之惰性氣體被乾燥,該接合面(WJ)被洗淨。
简体摘要: [课题]适当地洗净被配置在环状之框架之内侧而借由该框架和胶带被保持之状态之被处理基板的接合面。[解决手段]洗净设备具有保持被处理晶圆(W)之晶圆保持部(130),和具备覆盖被处理晶圆(W)之接合面(WJ)之供给面(141)的洗净治具(140)。在洗净治具(140)设置有对间隙(142)供给溶剂之溶剂供给部(150),和对间隙(142)供给冲洗液之冲洗液供给部(151),和对间隙(142)供给惰性气体之惰性气体供给部(152)。来自溶剂供给部(150)之溶剂系借由表面张力和离心力,在接合面(WJ)上扩散,来自冲洗液供给部(151)之冲洗液边与溶剂混合,边借由表面张力和离心力在接合面(WJ)上扩散,接合面(WJ)借由来自惰性气体供给部(152)之惰性气体被干燥,该接合面(WJ)被洗净。
-
公开(公告)号:TW201243922A
公开(公告)日:2012-11-01
申请号:TW101100594
申请日:2012-01-06
申请人: 東京威力科創股份有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: B32B43/006 , B32B37/06 , B32B38/10 , B32B41/00 , B32B2309/68 , B32B2310/0472 , B32B2457/14 , H01L21/67051 , H01L21/67092 , H01L21/67103 , H01L21/68728 , H01L2221/68381 , Y10S156/93 , Y10S156/941 , Y10T156/1126 , Y10T156/1137 , Y10T156/1153 , Y10T156/1189 , Y10T156/1911 , Y10T156/1939 , Y10T156/1972
摘要: [課題]於隨著加熱處理進行被處理基板和支撐基板之剝離處理之時,有效率地抑制在基板之接合面急劇進行氧化。[解決手段]剝離裝置(30)具有:保持被處理晶圓(W)之第1保持部(110)、保持支撐晶圓(S)之第2保持部(111)、使第1保持部(110)或第2保持部(111)在水平方向相對性地移動之移動機構(150),及對藉由利用移動機構(150)移動至水平方向而露出之被處理晶圓(W)之接合面(WJ)供給惰性氣體之惰性氣體供給機構(170)。惰性氣體供給機構(170)具有形成複數之孔的平板形狀之多孔質部(171),和連接於多孔質部(171),對該多孔質部(171)供給惰性氣體之氣體供給管(172),多孔質(171)係從被處理晶圓(W)之接合面(WJ)在垂直方向間隔規定之距離而被設置。
简体摘要: [课题]于随着加热处理进行被处理基板和支撑基板之剥离处理之时,有效率地抑制在基板之接合面急剧进行氧化。[解决手段]剥离设备(30)具有:保持被处理晶圆(W)之第1保持部(110)、保持支撑晶圆(S)之第2保持部(111)、使第1保持部(110)或第2保持部(111)在水平方向相对性地移动之移动机构(150),及对借由利用移动机构(150)移动至水平方向而露出之被处理晶圆(W)之接合面(WJ)供给惰性气体之惰性气体供给机构(170)。惰性气体供给机构(170)具有形成复数之孔的平板形状之多孔质部(171),和连接于多孔质部(171),对该多孔质部(171)供给惰性气体之气体供给管(172),多孔质(171)系从被处理晶圆(W)之接合面(WJ)在垂直方向间隔规定之距离而被设置。
-
5.金屬膜形成系統、金屬膜形成方法及電腦記憶媒體 METAL FILM FORMING SYSTEM, METAL FILM FORMING METHOD AND STORAGE MEDIUM FOR COMPUTER 审中-公开
简体标题: 金属膜形成系统、金属膜形成方法及电脑记忆媒体 METAL FILM FORMING SYSTEM, METAL FILM FORMING METHOD AND STORAGE MEDIUM FOR COMPUTER公开(公告)号:TW201209893A
公开(公告)日:2012-03-01
申请号:TW100115792
申请日:2011-05-05
申请人: 東京威力科創股份有限公司
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L21/67184 , C23C18/02 , H01L21/288 , H01L21/6715 , H01L21/67201 , H01L21/76877
摘要: 本發明旨在提供一種金屬膜形成系統、金屬膜形成方法及電腦記憶媒體,使用金屬混合液在基板上適當且高效率地形成金屬膜。其中金屬膜形成系統1包含:送入送出站2,送入送出晶圓W;前處理站3,在晶圓W上塗布前處理液,以在晶圓W上形成基底膜;主處理站4,在形成有基底膜之晶圓W上塗布金屬混合液,以在晶圓W上形成金屬膜;及真空預備單元10,連接送入送出站2、前處理站3及主處理站4。前處理站3、主處理站4、真空預備單元10分別可切換內部為惰性氣體之大氣壓氛圍或減壓氛圍。
简体摘要: 本发明旨在提供一种金属膜形成系统、金属膜形成方法及电脑记忆媒体,使用金属混合液在基板上适当且高效率地形成金属膜。其中金属膜形成系统1包含:送入送出站2,送入送出晶圆W;前处理站3,在晶圆W上涂布前处理液,以在晶圆W上形成基底膜;主处理站4,在形成有基底膜之晶圆W上涂布金属混合液,以在晶圆W上形成金属膜;及真空预备单元10,连接送入送出站2、前处理站3及主处理站4。前处理站3、主处理站4、真空预备单元10分别可切换内部为惰性气体之大气压氛围或减压氛围。
-
6.基板處理裝置、基板處理方法及電腦記憶媒體 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM 失效
简体标题: 基板处理设备、基板处理方法及电脑记忆媒体 SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, SUBSTRATE PROCESSING METHOD, AND STORAGE MEDIUM公开(公告)号:TW201203434A
公开(公告)日:2012-01-16
申请号:TW100109397
申请日:2011-03-18
申请人: 東京威力科創股份有限公司
发明人: 平河修
IPC分类号: H01L
CPC分类号: H01L21/6719 , H01L21/68742
摘要: 本發明旨在提供一種基板處理裝置、基板處理方法及電腦記憶媒體,於該基板處理裝置中,可順暢且適當地處理基板。其中接合裝置1之處理容器10具有藉由密封伸縮囊13連接位於上側之上部容器11與位於下側之下部容器12之構成。在上部容器11與下部容器12之間形成有用以進行晶圓W之接合處理之處理空間K。於下部容器12內設有熱處理板20,於熱處理板20之外周部形成有可收納傳遞構件42之缺口溝槽21。於上部容器11設有傳遞臂40,該傳遞臂包含:支持構件41,自上部容器11下表面朝鉛直下方延伸;傳遞構件42,固持晶圓W之外周部並在與熱處理板20之間傳遞晶圓W;及連結部,連結支持構件41與傳遞構件42。傳遞臂40可與上部容器11一齊沿鉛直方向任意移動。
简体摘要: 本发明旨在提供一种基板处理设备、基板处理方法及电脑记忆媒体,于该基板处理设备中,可顺畅且适当地处理基板。其中接合设备1之处理容器10具有借由密封伸缩囊13连接位于上侧之上部容器11与位于下侧之下部容器12之构成。在上部容器11与下部容器12之间形成有用以进行晶圆W之接合处理之处理空间K。于下部容器12内设有热处理板20,于热处理板20之外周部形成有可收纳传递构件42之缺口沟槽21。于上部容器11设有传递臂40,该传递臂包含:支持构件41,自上部容器11下表面朝铅直下方延伸;传递构件42,固持晶圆W之外周部并在与热处理板20之间传递晶圆W;及链接部,链接支持构件41与传递构件42。传递臂40可与上部容器11一齐沿铅直方向任意移动。
-
公开(公告)号:TWI536493B
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:TW101137794
申请日:2012-10-12
发明人: 平河修 , HIRAKAWA, OSAMU , 吉高直人 , YOSHITAKA, NAOTO , 相馬康孝 , SOMA, YASUTAKA , 本田勝 , HONDA, MASARU
IPC分类号: H01L21/683
CPC分类号: H01L21/67092
-
公开(公告)号:TWI512876B
公开(公告)日:2015-12-11
申请号:TW103116514
申请日:2012-06-29
发明人: 相馬康孝 , SOMA, YASUTAKA , 吉高直人 , YOSHITAKA, NAOTO , 米田洋 , KOMEDA, HIROSHI , 真鍋英二 , MANABE, EIJI , 平河修 , HIRAKAWA, OSAMU , 出口雅敏 , DEGUCHI, MASATOSHI , 田村武 , TAMURA, TAKESHI
IPC分类号: H01L21/67 , B08B3/04 , H01L21/304
CPC分类号: B32B43/006 , B32B38/10 , H01L21/67051 , H01L21/67092 , H01L21/673 , H01L21/67346 , H01L2221/683 , H01L2221/68304 , H01L2221/68318 , Y10T156/1153 , Y10T156/1168 , Y10T156/1911 , Y10T156/1978 , Y10T156/1994
-
公开(公告)号:TWI502685B
公开(公告)日:2015-10-01
申请号:TW101112682
申请日:2012-04-10
发明人: 平河修 , HIRAKAWA, OSAMU , 本田勝 , HONDA, MASARU , 薩維爾 法蘭克斯 布朗 , XAVIER FRANCOIS BRUN , 查理斯 韋恩 辛格頓二世 , CHARLES WAYNE SINGLETON JR.
CPC分类号: B32B43/006 , B32B38/10 , H01L21/67092 , H01L21/67109 , H01L21/6715 , H01L21/67748 , Y10T156/1126 , Y10T156/1137 , Y10T156/1153 , Y10T156/1168 , Y10T156/1189 , Y10T156/1911 , Y10T156/1933 , Y10T156/1939 , Y10T156/1972
-
公开(公告)号:TW201334111A
公开(公告)日:2013-08-16
申请号:TW101137794
申请日:2012-10-12
发明人: 平河修 , HIRAKAWA, OSAMU , 吉高直人 , YOSHITAKA, NAOTO , 相馬康孝 , SOMA, YASUTAKA , 本田勝 , HONDA, MASARU
IPC分类号: H01L21/683
CPC分类号: H01L21/67092
摘要: 本發明旨在提供一種剝離裝置、剝離系統、剝離方法及電腦記憶媒體,可適當且高效率地進行被處理基板與支持基板之剝離處理。其中剝離裝置30包含:第1固持部110,在常溫狀態下固持被處理晶圓W;第2固持部111,在常溫狀態下固持支持晶圓S;及移動機構150,包含第1鉛直移動部151與第2鉛直移動部152。第1鉛直移動部151固持第2固持部111之外周部並使其沿鉛直方向移動,俾將由第2固持部111固持之常溫的支持晶圓S自其外周部朝中心部從由第1固持部110固持之常溫的被處理晶圓W上連續性地剝離。
简体摘要: 本发明旨在提供一种剥离设备、剥离系统、剥离方法及电脑记忆媒体,可适当且高效率地进行被处理基板与支持基板之剥离处理。其中剥离设备30包含:第1固持部110,在常温状态下固持被处理晶圆W;第2固持部111,在常温状态下固持支持晶圆S;及移动机构150,包含第1铅直移动部151与第2铅直移动部152。第1铅直移动部151固持第2固持部111之外周部并使其沿铅直方向移动,俾将由第2固持部111固持之常温的支持晶圆S自其外周部朝中心部从由第1固持部110固持之常温的被处理晶圆W上连续性地剥离。
-
-
-
-
-
-
-
-
-