公开(公告)号：TWI578437B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW103146598

申请日：2014-12-31

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 比傑鎂瑞 ,  BEHDJAT, MEHRAN ,  譚諾曼L ,  TAM, NORMAN L. ,  杭特亞倫穆依爾 ,  HUNTER, AARON MUIR ,  拉尼許喬瑟夫M ,  RANISH, JOSEPH M. ,  中西孝之 ,  NAKANISHI, KOJI ,  中川敏行 ,  NAKAGAWA TOSHIYUKI

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/50 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H01L2221/683

公开(公告)号：TWI566885B

公开(公告)日：2017-01-21

申请号：TW102104618

申请日：2013-02-06

Applicant: 信越半導體股份有限公司 ,  SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.

Inventor： 榤村壽 ,  MASUMURA, HISASHI

IPC: B24B37/30 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/683

公开(公告)号：TW201521100A

公开(公告)日：2015-06-01

申请号：TW104105728

申请日：2012-10-29

Applicant: 蘇斯微科微影公司 ,  SUSS MICROTEC LITHOGRAPHY GMBH

Inventor： 喬治 葛瑞格 ,  GEORGE, GREGORY ,  羅森索 克里斯多夫 ,  ROSENTHAL, CHRISTOPHER

IPC: H01L21/304 ,  B32B38/10

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B38/10 ,  B32B38/1858 ,  B32B43/006 ,  B32B2309/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L21/00 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/67282 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68728 ,  H01L2221/683 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2221/6839 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1142 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1179 ,  Y10T156/1184 ,  Y10T156/19 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1961 ,  Y10T156/1967 ,  Y10T156/1978

Abstract: 描述之方法及裝置對一器件晶圓與一載體晶圓之間之一黏著劑黏合提供一受控微擾。該受控微擾(其可為機械、化學、熱或輻射)在未損壞該器件晶圓之下促進該兩個晶圓之分離。該受控微擾在連結該兩個晶圓之黏著劑內、在該黏著劑層內之一介面處(諸如在一釋放層與該黏著劑之間)或在一晶圓/黏著劑介面處起始一裂縫。可接著使用用於起始該裂縫之前述方法之任何者，或其等之組合而傳播該裂縫。

Abstract in simplified Chinese: 描述之方法及设备对一器件晶圆与一载体晶圆之间之一黏着剂黏合提供一受控微扰。该受控微扰(其可为机械、化学、热或辐射)在未损坏该器件晶圆之下促进该两个晶圆之分离。该受控微扰在链接该两个晶圆之黏着剂内、在该黏着剂层内之一界面处(诸如在一释放层与该黏着剂之间)或在一晶圆/黏着剂界面处起始一裂缝。可接着使用用于起始该裂缝之前述方法之任何者，或其等之组合而传播该裂缝。

公开(公告)号：TW201320219A

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：TW101122154

申请日：2012-06-21

Applicant: TOCALO股份有限公司 ,  TOCALO CO., LTD.

Inventor： 稻葉光晴 ,  INABA, MITSUHARU ,  横田博紀 ,  YOKOTA, HIROKI ,  山田圭介 ,  YAMADA, KEISUKE

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/304 ,  H01L21/687

CPC classification number: H01L21/6833 ,  B23K15/00 ,  B23K15/06 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0072 ,  B23K26/127 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/52 ,  C23C4/04 ,  C23C4/10 ,  C23C4/18 ,  H01L2221/683 ,  Y10T279/23

Abstract: 本發明的課題為提供一種很難產生成分污染，並且可充分地減少半導體製造裝置中的微粒的產生之半導體製造裝置用構件。本發明的解決手段為對運送臂1的承載構件16熔射陶瓷形成熔射塗膜，將雷射束照射於該熔射塗膜，形成由使陶瓷組成物再熔融、再凝固並改質的陶瓷再結晶物構成的高強度陶瓷層5，可將由於半導體製造裝置50中的外部因素而由承載構件16脫落的粒子減少到不影響半導體製程的程度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明的课题为提供一种很难产生成分污染，并且可充分地减少半导体制造设备中的微粒的产生之半导体制造设备用构件。本发明的解决手段为对运送臂1的承载构件16熔射陶瓷形成熔射涂膜，将激光束照射于该熔射涂膜，形成由使陶瓷组成物再熔融、再凝固并改质的陶瓷再结晶物构成的高强度陶瓷层5，可将由于半导体制造设备50中的外部因素而由承载构件16脱落的粒子减少到不影响半导体制程的程度。

公开(公告)号：TW201639073A

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：TW105121783

申请日：2014-12-31

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 比傑鎂瑞 ,  BEHDJAT, MEHRAN ,  譚諾曼L ,  TAM, NORMAN L. ,  杭特亞倫穆依爾 ,  HUNTER, AARON MUIR ,  拉尼許喬瑟夫M ,  RANISH, JOSEPH M. ,  中西孝之 ,  NAKANISHI, KOJI ,  中川敏行 ,  NAKAGAWA TOSHIYUKI

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/50 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H01L2221/683

Abstract: 提供用於半導體處理的支撐環。支撐環包含一環形主體，該環形主體由內邊緣及外邊緣來界定。該內邊緣及該外邊緣同心的繞著中央軸。該環形主體進一步包含第一側、第二側、及突起環狀肩部，該突起環狀肩部在該內邊緣處由該環形主體的該第一側延伸。該支撐環也包含位於該第一側上的塗佈(coating)，該塗佈具有鄰接該突起環狀肩部的減低厚度區域之內區域。

Abstract in simplified Chinese: 提供用于半导体处理的支撑环。支撑环包含一环形主体，该环形主体由内边缘及外边缘来界定。该内边缘及该外边缘同心的绕着中央轴。该环形主体进一步包含第一侧、第二侧、及突起环状肩部，该突起环状肩部在该内边缘处由该环形主体的该第一侧延伸。该支撑环也包含位于该第一侧上的涂布(coating)，该涂布具有邻接该突起环状肩部的减低厚度区域之内区域。

公开(公告)号：TW201517185A

公开(公告)日：2015-05-01

申请号：TW103126974

申请日：2014-08-06

Applicant: 艾馬克科技公司 ,  AMKOR TECHNOLOGY, INC.

Inventor： 安學原 ,  AHN, SEO YEON ,  孫朴捷 ,  SUNG, PIL JE ,  朴 杜玄 ,  PARK, DOO HYUN ,  培中希 ,  PAEK, JONG SIK ,  金陽瑞 ,  KIM, YOUNG RAE ,  金惠泰 ,  KIM, HUI TAE ,  宋洋 ,  SONG, YONG ,  元錫吾 ,  YUN, SEOK WOO

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/97 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/03 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/80815 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81207 ,  H01L2224/81211 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/831 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92242 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2221/683 ,  H01L21/304 ,  H01L2224/03 ,  H01L21/56 ,  H01L2221/68381 ,  H01L21/78 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明揭示一種用於形成小厚度半導體封裝的方法並且該方法可以包含：提供一第一晶粒，其具有一主動層、一直通矽穿孔(Through-Silicon Via，TSV)、以及在該主動層上的一介電層之中的一圖樣與一底層凸塊金屬(Under Bump Metal，UBM)。一載體可以被黏接至該介電層與該UBM。該第一晶粒可被薄化，用以露出該TSV。一凸塊觸墊可以被形成在該裸露的TSV上並且一第二晶粒可以被黏接至該凸塊觸墊。該第一晶粒、該第二晶粒、以及該介電層的一外表面可以運用一第一膠封劑來膠封。該載體可以從該介電層與該UBM處被移除，並且一焊球可以被形成在該UBM上。一溝槽可以被形成貫穿該介電層並且被形成在該第一晶粒之中。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于形成小厚度半导体封装的方法并且该方法可以包含：提供一第一晶粒，其具有一主动层、一直通硅穿孔(Through-Silicon Via，TSV)、以及在该主动层上的一介电层之中的一图样与一底层凸块金属(Under Bump Metal，UBM)。一载体可以被黏接至该介电层与该UBM。该第一晶粒可被薄化，用以露出该TSV。一凸块触垫可以被形成在该裸露的TSV上并且一第二晶粒可以被黏接至该凸块触垫。该第一晶粒、该第二晶粒、以及该介电层的一外表面可以运用一第一胶封剂来胶封。该载体可以从该介电层与该UBM处被移除，并且一焊球可以被形成在该UBM上。一沟槽可以被形成贯穿该介电层并且被形成在该第一晶粒之中。

公开(公告)号：TW201345656A

公开(公告)日：2013-11-16

申请号：TW102104618

申请日：2013-02-06

Applicant: 信越半導體股份有限公司 ,  SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.

Inventor： 榤村壽 ,  MASUMURA, HISASHI

IPC: B24B37/30 ,  H01L21/304

CPC classification number: B24B37/10 ,  B24B37/30 ,  B24B37/32 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/304 ,  H01L2221/683

Abstract: 本發明是一種研磨頭，其具備：環狀的剛性環；彈性膜，其黏結於該剛性環；及，中板，其相對於前述剛性環可上下方向移動地結合，並與前述彈性膜和前述剛性環一起形成第1密閉空間部；並且，該研磨頭將工件的背面保持於前述彈性膜的底面部，並使該工件的表面滑動接觸於已貼附在平臺上的研磨布上來進行研磨，其中，該研磨頭的特徵在於：進而具備：非壓縮性流體，其被封入前述第1密閉空間部中；及，中板位置調整手段，其調整前述中板的上下方向的位置；並且，可利用前述中板位置調整手段來調整前述中板的上下方向的位置，藉此來調整前述彈性膜的底面部的形狀。藉此，可提供一種研磨頭，其可使工件表面不產生傷痕等表面缺陷，並均勻地研磨直至工件的最外周部，且在工件研磨後可將工件容易地自研磨布剝離。

Abstract in simplified Chinese: 本发明是一种研磨头，其具备：环状的刚性环；弹性膜，其黏结于该刚性环；及，中板，其相对于前述刚性环可上下方向移动地结合，并与前述弹性膜和前述刚性环一起形成第1密闭空间部；并且，该研磨头将工件的背面保持于前述弹性膜的底面部，并使该工件的表面滑动接触于已贴附在平台上的研磨布上来进行研磨，其中，该研磨头的特征在于：进而具备：非压缩性流体，其被封入前述第1密闭空间部中；及，中板位置调整手段，其调整前述中板的上下方向的位置；并且，可利用前述中板位置调整手段来调整前述中板的上下方向的位置，借此来调整前述弹性膜的底面部的形状。借此，可提供一种研磨头，其可使工件表面不产生伤痕等表面缺陷，并均匀地研磨直至工件的最外周部，且在工件研磨后可将工件容易地自研磨布剥离。

公开(公告)号：TW201324648A

公开(公告)日：2013-06-16

申请号：TW101123494

申请日：2012-06-29

Applicant: 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

Inventor： 相馬康孝 ,  SOMA, YASUTAKA ,  吉高直人 ,  YOSHITAKA, NAOTO ,  米田洋 ,  KOMEDA, HIROSHI ,  真鍋英二 ,  MANABE, EIJI ,  平河修 ,  HIRAKAWA, OSAMU ,  出口雅敏 ,  DEGUCHI, MASATOSHI ,  田村武 ,  TAMURA, TAKESHI

IPC: H01L21/67 ,  B08B3/04

CPC classification number: B32B43/006 ,  B32B38/10 ,  H01L21/67051 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/673 ,  H01L21/67346 ,  H01L2221/683 ,  H01L2221/68304 ,  H01L2221/68318 ,  Y10T156/1153 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1911 ,  Y10T156/1978 ,  Y10T156/1994

Abstract: [課題]適當地洗淨被配置在環狀之框架之內側而藉由該框架和膠帶被保持之狀態之被處理基板的接合面。[解決手段]洗淨裝置具有保持被處理晶圓(W)之晶圓保持部(130)，和具備覆蓋被處理晶圓(W)之接合面(WJ)之供給面(141)的洗淨治具(140)。在洗淨治具(140)設置有對間隙(142)供給溶劑之溶劑供給部(150)，和對間隙(142)供給沖洗液之沖洗液供給部(151)，和對間隙(142)供給惰性氣體之惰性氣體供給部(152)。來自溶劑供給部(150)之溶劑係藉由表面張力和離心力，在接合面(WJ)上擴散，來自沖洗液供給部(151)之沖洗液邊與溶劑混合，邊藉由表面張力和離心力在接合面(WJ)上擴散，接合面(WJ)藉由來自惰性氣體供給部(152)之惰性氣體被乾燥，該接合面(WJ)被洗淨。

Abstract in simplified Chinese: [课题]适当地洗净被配置在环状之框架之内侧而借由该框架和胶带被保持之状态之被处理基板的接合面。[解决手段]洗净设备具有保持被处理晶圆(W)之晶圆保持部(130)，和具备覆盖被处理晶圆(W)之接合面(WJ)之供给面(141)的洗净治具(140)。在洗净治具(140)设置有对间隙(142)供给溶剂之溶剂供给部(150)，和对间隙(142)供给冲洗液之冲洗液供给部(151)，和对间隙(142)供给惰性气体之惰性气体供给部(152)。来自溶剂供给部(150)之溶剂系借由表面张力和离心力，在接合面(WJ)上扩散，来自冲洗液供给部(151)之冲洗液边与溶剂混合，边借由表面张力和离心力在接合面(WJ)上扩散，接合面(WJ)借由来自惰性气体供给部(152)之惰性气体被干燥，该接合面(WJ)被洗净。

公开(公告)号：TWI604518B

公开(公告)日：2017-11-01

申请号：TW103116765

申请日：2014-05-12

Applicant: 三星顯示器有限公司 ,  SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Inventor： 李承俊 ,  LEE, SEUNG JUN ,  金俊亨 ,  KIM, JOON HYOUNG

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/67

CPC classification number: B32B43/006 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/10 ,  B32B38/1858 ,  B32B2310/0881 ,  B32B2457/08 ,  B32B2457/20 ,  H01L2221/683 ,  Y10T156/11 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/1168 ,  Y10T156/1184 ,  Y10T156/19 ,  Y10T156/1944 ,  Y10T156/1967

公开(公告)号：TW201737409A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106118280

申请日：2014-12-31

Applicant: 應用材料股份有限公司 ,  APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： 比傑鎂瑞 ,  BEHDJAT,MEHRAN ,  譚諾曼L ,  TAM,NORMAN L. ,  杭特亞倫穆依爾 ,  HUNTER,AARON MUIR ,  拉尼許喬瑟夫M ,  RANISH,JOSEPH M. ,  中西孝之 ,  NAKANISHI,KOJI ,  中川敏行

IPC: H01L21/683

CPC classification number: H01L21/68757 ,  C23C16/50 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H01L2221/683

Abstract: 提供用於半導體處理的支撐環。支撐環包含一環形主體，該環形主體由內邊緣及外邊緣來界定。該內邊緣及該外邊緣同心的繞著中央軸。該環形主體進一步包含第一側、第二側、及突起環狀肩部，該突起環狀肩部在該內邊緣處由該環形主體的該第一側延伸。該支撐環也包含位於該第一側上的塗佈(coating)，該塗佈具有鄰接該突起環狀肩部的減低厚度區域之內區域。

Abstract in simplified Chinese: 提供用于半导体处理的支撑环。支撑环包含一环形主体，该环形主体由内边缘及外边缘来界定。该内边缘及该外边缘同心的绕着中央轴。该环形主体进一步包含第一侧、第二侧、及突起环状肩部，该突起环状肩部在该内边缘处由该环形主体的该第一侧延伸。该支撑环也包含位于该第一侧上的涂布(coating)，该涂布具有邻接该突起环状肩部的减低厚度区域之内区域。