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1.

发明专利
移除光罩薄膜之裝置及方法有权
简体标题：移除光罩薄膜之设备及方法

公开(公告)号：TWI454838B

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：TW097147941

申请日：2008-12-10

申请人： HAP機械手自動化及精密技術有限公司

发明人： 安德瑞茲克露特雅 , ANDRITZKE, LOTHAR , 布羅薛厚兒格爾 , BROSCHE, HOLGER , 克律格爾史蒂芬 , KRUEGER, STEFFEN , 波拉克史蒂芬 , POLLACK, STEFFEN , 懷斯克勞斯彼得 , WEISS, KLAUS-PETER , 葛萊茲薛爾漢斯約翰 , GREIZSCHEL, HANS-JOACHIM

IPC分类号： G03F1/62

CPC分类号： G03F1/64 , H01L21/68707 , Y10S156/922 , Y10S156/937 , Y10T156/1153 , Y10T156/1168 , Y10T156/1911 , Y10T156/1978

2.

发明专利
分離設備审中-公开
简体标题：分离设备

公开(公告)号：TW201427803A

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：TW102146893

申请日：2013-12-18

申请人： 元太科技工業股份有限公司 , E INK HOLDINGS INC.

发明人： 李宗庭 , LEE, TSUNG TING , 游欽祺 , YU, CHIN CHI

IPC分类号： B26D1/547 , B65H41/00

CPC分类号： B32B43/006 , B32B2457/20 , Y10T156/1911

摘要： 一種分離設備，包括一底座以及一線材。底座適於承載一電子裝置。電子裝置包括一第一基材、一第二基材以及一膠體層。膠體層將第一基材與第二基材黏貼在一起。線材裝設於底座上。線材的線徑等於或大於膠體層的厚度。

简体摘要： 一种分离设备，包括一底座以及一线材。底座适于承载一电子设备。电子设备包括一第一基材、一第二基材以及一胶体层。胶体层将第一基材与第二基材黏贴在一起。线材装设于底座上。线材的线径等于或大于胶体层的厚度。

3.

发明专利
接著膜之轉著方法 METHOD FOR TRANSFERRING ADHESIVE FILM 有权
简体标题：接着膜之转着方法 METHOD FOR TRANSFERRING ADHESIVE FILM

公开(公告)号：TWI372005B

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW098103988

申请日：2009-02-05

申请人： 索尼化學資訊設備股份有限公司

发明人： 小西美佐夫

IPC分类号： H05K , H01L

CPC分类号： H05K3/323 , H01L24/27 , H01L2224/83101 , H01L2924/07811 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H05K2203/0195 , H05K2203/0278 , H05K2203/0338 , H05K2203/1105 , H05K2203/1476 , Y10T156/1153 , Y10T156/1911 , H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種接著膜之轉著方法，可防止雜質混入接著層，而提高品質穩定性，並且不致發生轉著於附著體之接著層端部的缺損，可維持附著體與接著層之接著面積，因此可提高接著層對附著體之接著力。其包含：擠壓程序，其係藉由加熱部從剝離層側擠壓接著膜，將接著層加熱至第一加熱溫度，使其接觸於附著體；切斷程序，其係使對接著膜之輸送方向，比加熱部設置於後部之高溫加熱部，從剝離層側接觸於接著膜，並將接著層加熱至第二加熱溫度而切斷；及轉著程序，其係從接觸於附著體之接著層剝離剝離層，而使接觸於附著體之接著層轉著於附著體。

简体摘要： 本发明提供一种接着膜之转着方法，可防止杂质混入接着层，而提高品质稳定性，并且不致发生转着于附着体之接着层端部的缺损，可维持附着体与接着层之接着面积，因此可提高接着层对附着体之接着力。其包含：挤压进程，其系借由加热部从剥离层侧挤压接着膜，将接着层加热至第一加热温度，使其接触于附着体；切断进程，其系使对接着膜之输送方向，比加热部设置于后部之高温加热部，从剥离层侧接触于接着膜，并将接着层加热至第二加热温度而切断；及转着进程，其系从接触于附着体之接着层剥离剥离层，而使接触于附着体之接着层转着于附着体。

4.

发明专利
剝離系統、剝離方法及電腦記憶媒體审中-公开
简体标题：剥离系统、剥离方法及电脑记忆媒体

公开(公告)号：TW201225167A

公开(公告)日：2012-06-16

申请号：TW100129955

申请日：2011-08-22

申请人： 東京威力科創股份有限公司

发明人： 平河修 , 吉高直人 , 松永正隆 , 岡本典彥

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/02076 , B32B38/10 , B32B43/006 , H01L21/02057 , H01L21/67051 , H01L21/67092 , Y10T156/11 , Y10T156/1132 , Y10T156/1153 , Y10T156/1168 , Y10T156/19 , Y10T156/1911 , Y10T156/1944

摘要： 本發明的課題是效率佳地進行被處理基板及支持基板的剝離處理,使該剝離處理的總處理能力提升。其解決手段是剝離系統(1)具有:搬出入站(2),其係對剝離處理站(3)搬出入被處理晶圓(W)、支持晶圓(S)或重合晶圓(T);剝離處理站(3),其係對被處理晶圓(W)、支持晶圓(S)及重合晶圓(T)進行預定的處理;及第1搬送裝置(20),其係於搬出入站(2)與剝離處理站(3)之間搬送被處理晶圓(W)、支持晶圓(S)或重合晶圓(T)。剝離處理站(3)具有:剝離裝置(30),其係將重合晶圓(T)剝離成被處理晶圓(W)及支持晶圓(S);第1洗淨裝置(31),其係洗淨在剝離裝置(30)所被剝離的被處理晶圓(W);及第2洗淨裝置(33),其係洗淨在剝離裝置(30)所被剝離的支持晶圓(S)。

简体摘要： 本发明的课题是效率佳地进行被处理基板及支持基板的剥离处理,使该剥离处理的总处理能力提升。其解决手段是剥离系统(1)具有:搬出入站(2),其系对剥离处理站(3)搬出入被处理晶圆(W)、支持晶圆(S)或重合晶圆(T);剥离处理站(3),其系对被处理晶圆(W)、支持晶圆(S)及重合晶圆(T)进行预定的处理;及第1搬送设备(20),其系于搬出入站(2)与剥离处理站(3)之间搬送被处理晶圆(W)、支持晶圆(S)或重合晶圆(T)。剥离处理站(3)具有:剥离设备(30),其系将重合晶圆(T)剥离成被处理晶圆(W)及支持晶圆(S);第1洗净设备(31),其系洗净在剥离设备(30)所被剥离的被处理晶圆(W);及第2洗净设备(33),其系洗净在剥离设备(30)所被剥离的支持晶圆(S)。

5.

发明专利
具有雷射晶粒加熱器之晶粒摘取器 DIE PICKER WITH LASER DIE HEATER 审中-公开
简体标题：具有激光晶粒加热器之晶粒摘取器 DIE PICKER WITH LASER DIE HEATER

公开(公告)号：TW200908164A

公开(公告)日：2009-02-16

申请号：TW097116658

申请日：2008-05-06

申请人： 銀川研究私人股份有限公司 SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD

发明人： 保羅帕沃斯 PAPWORTH, PAUL ANDREW , 傑森泰蘭德 THELANDER, JASON MARK , 羅傑富提 FOOTE, ROGER MERVYN LLOYD , 安德魯維拉 VELLA, ANDREW LEON , 大衛强斯登 JOHNSTONE, DAVID MCLEOD , 奇亞席維布魯克 SILVERBROOK, KIA

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/6838 , Y10T156/1153 , Y10T156/19 , Y10T156/1911

摘要： 一自托持基板(1)移除MEMS裝置(2)之裝置,其中,MEMS裝置經由導熱剝離膠合劑(3)而被個別地接合至該托持基板,該導熱剝離膠合劑(3)當其被加熱到臨界溫度以上時減少其黏著力。以熱源(10)個別地加熱MEMS裝置(2),以傳導地加熱導熱剝離膠合劑(11)到該臨界溫度以上。隨著直接和MEMS裝置(2)之後側(5)相接觸的膠合劑(11)不再使其接合於玻璃托持件(1),裝置(2)能夠藉由晶粒摘取器(6)來予以個別地移除。這快速地加熱該膠合劑,以使各晶粒剝離於約1秒的時間。這可以和UV剝離膠合劑相比較,並且不需要先前的30分鐘之乾燥烘烤。此外,藉由加熱晶粒而傳導地加熱膠合劑,僅被緊密地局部化於晶粒之該膠合劑被加熱,而使相鄰的晶粒接合於玻璃托持件之膠合劑則仍然不受影響。

简体摘要： 一自托持基板(1)移除MEMS设备(2)之设备,其中,MEMS设备经由导热剥离胶合剂(3)而被个别地接合至该托持基板,该导热剥离胶合剂(3)当其被加热到临界温度以上时减少其黏着力。以热源(10)个别地加热MEMS设备(2),以传导地加热导热剥离胶合剂(11)到该临界温度以上。随着直接和MEMS设备(2)之后侧(5)相接触的胶合剂(11)不再使其接合于玻璃托持件(1),设备(2)能够借由晶粒摘取器(6)来予以个别地移除。这快速地加热该胶合剂,以使各晶粒剥离于约1秒的时间。这可以和UV剥离胶合剂相比较,并且不需要先前的30分钟之干燥烘烤。此外,借由加热晶粒而传导地加热胶合剂,仅被紧密地局部化于晶粒之该胶合剂被加热,而使相邻的晶粒接合于玻璃托持件之胶合剂则仍然不受影响。

6.

发明专利
可撓基板接合及去接合裝置 FLEXIBLE SUBSTRATE BONDING AND DEBONDING APPARATUS 审中-公开
简体标题：可挠基板接合及去接合设备 FLEXIBLE SUBSTRATE BONDING AND DEBONDING APPARATUS

公开(公告)号：TW200849582A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：TW097121809

申请日：2008-06-11

申请人： 三星SDI股份有限公司 SAMSUNG SDI CO., LTD.

发明人： 李在燮 JAE-SEOB LEE , 郭鎮浩 JIN HO KWACK , 安泰瓊 TAE-KYUNG AHN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： B32B38/10 , B32B37/10 , B32B38/0008 , B32B38/162 , B32B38/164 , B32B43/006 , B32B2309/02 , B32B2309/12 , B32B2310/0843 , B32B2310/14 , Y10T156/1153 , Y10T156/1184 , Y10T156/1911 , Y10T156/1967

摘要： 本發明揭示一種可撓基板接合及去接合裝置。在一實施例中,該裝置包含i)一隔室;ii)一下夾盤,其設置在該隔室之一下部部分內且內建一下部加熱單元和一冷卻導管;iii)一上夾盤,其設置在該下夾盤上方且內建一上部加熱單元;iv)一加壓單元,其設置在該上夾盤上方;及v)一分離單元,其對應於設置在該下夾盤與該上夾盤間之一支撐基板和一可撓基板之接合表面的兩側。該可撓基板接合及去接合裝置可利用一熱處理程序同時加壓該可撓基板和該支撐基板。因此,該可撓基板即使處於低溫仍可被更可靠地接合及去接合。

简体摘要： 本发明揭示一种可挠基板接合及去接合设备。在一实施例中,该设备包含i)一隔室;ii)一下夹盘,其设置在该隔室之一下部部分内且内置一下部加热单元和一冷却导管;iii)一上夹盘,其设置在该下夹盘上方且内置一上部加热单元;iv)一加压单元,其设置在该上夹盘上方;及v)一分离单元,其对应于设置在该下夹盘与该上夹盘间之一支撑基板和一可挠基板之接合表面的两侧。该可挠基板接合及去接合设备可利用一热处理进程同时加压该可挠基板和该支撑基板。因此,该可挠基板即使处于低温仍可被更可靠地接合及去接合。

7.

发明专利
切割材料塊的方法及薄膜形成技術有权
简体标题：切割材料块的方法及薄膜形成技术

公开(公告)号：TW505962B

公开(公告)日：2002-10-11

申请号：TW090116949

申请日：2001-07-11

申请人： 原子能委原會

发明人： 柏納德亞斯派 , 克里斯泰爾拉加葉

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/76254 , B81C1/0038 , B81C2201/0191 , B81C2201/0192 , H01L21/2007 , Y10T156/1153 , Y10T156/1158 , Y10T156/1184 , Y10T156/1911 , Y10T156/1967

摘要： 一種方法，係用於切割材料塊(10)，其係包括以下的階段：
(a)在材料塊中形成埋藏區(12)，藉由至少一離子引入
的階段加以脆化，埋藏區定出材料塊之至少一表面
部分(14)，
(b)藉由使用分離之第一方法於至少一分離引發劑(30，
36)之脆化區的位置形成，該等方法係可由以下加以
選擇：嵌入一工具、注射一種流體、熱處理及/或注
入離子(係與前階段中所引入之離子的本質不同)及
(c)在材料塊之表面部分(14)的脆化區位置自其餘之部
分(16)(所謂的質量部分)分離，藉由使用第二方法自
分離引發劑(30，36)分離，該方法係與第一分離方
法不同，係可由以下加以選擇：熱處理及/或施加機
械力作用在表面部分與脆化區之間。
此應用係用在製造供微電子學、光學電子學或微機械所用之元件。

简体摘要： 一种方法，系用于切割材料块(10)，其系包括以下的阶段： (a)在材料块中形成埋藏区(12)，借由至少一离子引入的阶段加以脆化，埋藏区定出材料块之至少一表面部分(14)， (b)借由使用分离之第一方法于至少一分离引发剂(30， 36)之脆化区的位置形成，该等方法系可由以下加以选择：嵌入一工具、注射一种流体、热处理及/或注入离子(系与前阶段中所引入之离子的本质不同)及 (c)在材料块之表面部分(14)的脆化区位置自其余之部分(16)(所谓的质量部分)分离，借由使用第二方法自分离引发剂(30，36)分离，该方法系与第一分离方法不同，系可由以下加以选择：热处理及/或施加机械力作用在表面部分与脆化区之间。此应用系用在制造供微电子学、光学电子学或微机械所用之组件。