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    阻抗匹配用芯塊
    1.
    发明专利
    阻抗匹配用芯塊 审中-公开
    阻抗匹配用芯块

    公开(公告)号：TW201612943A

    公开(公告)日：2016-04-01

    申请号：TW104116480

    申请日：2015-05-22

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 宮下大幸 ,  MIYASHITA, HIROYUKI ,  池田太郎 ,  IKEDA, TARO ,  長田勇輝 ,  OSADA, YUKI ,  小松智仁 ,  KOMATSU, TOMOHITO

    IPC分类号： H01J37/32 ,  H03H7/38

    CPC分类号： H01J37/32229 ,  H01J37/32311 ,  H01J37/3244 ,  H01P5/04

    摘要： 實現與全體由介電質所構成之芯塊相比，能 夠擴大可匹配之負載之輸入阻抗之範圍的芯塊。 芯塊(60)，係用以在將從電磁波供給源所 供給之電磁波傳送至負載的導波路徑中，匹配電磁波供給源之輸出阻抗與負載之輸入阻抗而設置。導波路徑，係具有：筒狀之外側導體部；及內側導體部，相對於外側導體部而同軸地設置於外側導體部內。芯塊(60)，係在軸方向上可移動地設置於外側導體部與內側導體部之間。芯塊(60)，係具備有相互結合之筒狀的第1部分(61)與筒狀的第2部分(62)。第2部分(62)，係以第2部分(62)之內周面接觸於第1部分(61)之外周面的方式，位於第1部分(61)之外側。第1部分(61)，係藉由導體所構成，第2部分(62)，係藉由介電質所構成。

    简体摘要： 实现与全体由介电质所构成之芯块相比，能 够扩大可匹配之负载之输入阻抗之范围的芯块。 芯块(60)，系用以在将从电磁波供给源所 供给之电磁波发送至负载的导波路径中，匹配电磁波供给源之输出阻抗与负载之输入阻抗而设置。导波路径，系具有：筒状之外侧导体部；及内侧导体部，相对于外侧导体部而同轴地设置于外侧导体部内。芯块(60)，系在轴方向上可移动地设置于外侧导体部与内侧导体部之间。芯块(60)，系具备有相互结合之筒状的第1部分(61)与筒状的第2部分(62)。第2部分(62)，系以第2部分(62)之内周面接触于第1部分(61)之外周面的方式，位于第1部分(61)之外侧。第1部分(61)，系借由导体所构成，第2部分(62)，系借由介电质所构成。

    微波放射機構、微波電漿源及表面波電漿處理裝置
    2.
    发明专利
    微波放射機構、微波電漿源及表面波電漿處理裝置 审中-公开
    微波放射机构、微波等离子源及表面波等离子处理设备

    公开(公告)号：TW201344741A

    公开(公告)日：2013-11-01

    申请号：TW102101628

    申请日：2013-01-16

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 池田太郎 ,  IKEDA, TARO ,  宮下大幸 ,  MIYASHITA, HIROYUKI ,  長田勇輝 ,  OSADA, YUKI ,  藤野豊 ,  FUJINO, YUTAKA ,  小松智仁 ,  KOMATSU, TOMOHITO

    IPC分类号： H01J37/32 ,  H05H1/46

    CPC分类号： H01J37/32266 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32201 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32229 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4615 ,  H05H2001/4622 ,  H05H2001/463

    摘要： [課題]提供可以提升增加輸入電力之時的電漿密度(電子密度)增加率的微波放射機構。[解決手段]微波放射機構(43)具有傳送微波的微波傳送路(44)，和對腔室(1)內放射在微波傳送路(44)被傳送之微波的天線部(45)，天線部(45)具有形成有放射微波之縫槽(131)的天線(81)，和使從天線(81)被放射之微波透過，在其表面形成表面波的介電體構件(110b)，並且具有包含縫槽(131)內壁及介電體構件(110b)之表面及內部的流動表面電流及位移電流之閉路(C)，閉路(C)之長度係於將微波之波長設為λ0之時，成為nλ0±δ(n為正的整數，δ為微調整成分(包含0))。

    简体摘要： [课题]提供可以提升增加输入电力之时的等离子密度(电子密度)增加率的微波放射机构。[解决手段]微波放射机构(43)具有发送微波的微波发送路(44)，和对腔室(1)内放射在微波发送路(44)被发送之微波的天线部(45)，天线部(45)具有形成有放射微波之缝槽(131)的天线(81)，和使从天线(81)被放射之微波透过，在其表面形成表面波的介电体构件(110b)，并且具有包含缝槽(131)内壁及介电体构件(110b)之表面及内部的流动表面电流及位移电流之闭路(C)，闭路(C)之长度系于将微波之波长设为λ0之时，成为nλ0±δ(n为正的整数，δ为微调整成分(包含0))。

    微波電漿源及電漿處理裝置
    3.
    发明专利
    微波電漿源及電漿處理裝置 审中-公开
    微波等离子源及等离子处理设备

    公开(公告)号：TW201711080A

    公开(公告)日：2017-03-16

    申请号：TW105116274

    申请日：2016-05-25

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 池田太郎 ,  IKEDA, TARO ,  小松智仁 ,  KOMATSU, TOMOHITO

    IPC分类号： H01J37/32

    CPC分类号： H01J37/32201 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/32266

    摘要： 提供一種可使表面波模式成為單模而進行穩定 的微波處理，且可於周方向形成均勻的電漿之微波電漿源。 微波電漿源(2)，係具有微波輸出部(30)、 微波傳送部(40)及微波放射構件(50)。微波傳送部(40)，係具有：微波導入機構(43a)，在微波放射構件(50)的周緣部上，沿著圓周方向設置有複數個，微波放射構件(50)，係具有：慢波材(121)；複數個槽孔(123)，以全體成為圓周狀的方式彼此分離而設置；微波穿透構件(122)；及複數個介電質層(124)，在複數個槽孔(123)與微波穿透構件(122)之間，與複數個槽孔(123)相對應地彼此分離而設置，並藉由來自槽孔(123)的微波電場，以形成有單一之磁場迴路的方式而設置。

    简体摘要： 提供一种可使表面波模式成为单模而进行稳定 的微波处理，且可于周方向形成均匀的等离子之微波等离子源。 微波等离子源(2)，系具有微波输出部(30)、 微波发送部(40)及微波放射构件(50)。微波发送部(40)，系具有：微波导入机构(43a)，在微波放射构件(50)的周缘部上，沿着圆周方向设置有复数个，微波放射构件(50)，系具有：慢波材(121)；复数个槽孔(123)，以全体成为圆周状的方式彼此分离而设置；微波穿透构件(122)；及复数个介电质层(124)，在复数个槽孔(123)与微波穿透构件(122)之间，与复数个槽孔(123)相对应地彼此分离而设置，并借由来自槽孔(123)的微波电场，以形成有单一之磁场回路的方式而设置。

    電漿處理裝置
    7.
    发明专利
    電漿處理裝置 审中-公开
    等离子处理设备

    公开(公告)号：TW201528320A

    公开(公告)日：2015-07-16

    申请号：TW103131343

    申请日：2014-09-11

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 池田太郎 ,  IKEDA, TARO ,  河西繁 ,  KASAI, SHIGERU ,  原恵美子 ,  HARA, EMIKO ,  藤野豊 ,  FUJINO, YUTAKA ,  長田勇輝 ,  OSADA, YUKI ,  中込淳 ,  NAKAGOMI, JUN ,  小松智仁 ,  KOMATSU, TOMOHITO

    IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C16/455 ,  C23C16/511

    CPC分类号： C23C16/511 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45574 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H01J37/3244 ,  H01J2237/332 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

    摘要： 在電漿處理裝置中抑制成膜於噴淋板的氣孔且 有效率地使電漿產生，該電漿處理裝置係具有將氣體導入至處理容器內的噴淋板，且藉由微波使表面波電漿產生。 具備了進行電漿處理之處理容器(10)與將 氣體供給到處理容器(10)內之噴淋板(100)的電漿處理裝置，係具有：下垂構件(101)，從噴淋板(100)之下端面向下方突出。下垂構件(101)之外側面，係從上端部朝向下端部往外側擴展，噴淋板(100)，係具備有：複數個第1供給口(133)，將第1氣體供給至處理容器(10)內；及複數個第2供給口(151)，供給第2氣體，第1氣體供給口(133)係配置於比下垂構件(101)之外側面更靠近內側，第2氣體供給口(151)係配置於比下垂構件之外側面更靠近外側。

    简体摘要： 在等离子处理设备中抑制成膜于喷淋板的气孔且 有效率地使等离子产生，该等离子处理设备系具有将气体导入至处理容器内的喷淋板，且借由微波使表面波等离子产生。 具备了进行等离子处理之处理容器(10)与将 气体供给到处理容器(10)内之喷淋板(100)的等离子处理设备，系具有：下垂构件(101)，从喷淋板(100)之下端面向下方突出。下垂构件(101)之外侧面，系从上端部朝向下端部往外侧扩展，喷淋板(100)，系具备有：复数个第1供给口(133)，将第1气体供给至处理容器(10)内；及复数个第2供给口(151)，供给第2气体，第1气体供给口(133)系配置于比下垂构件(101)之外侧面更靠近内侧，第2气体供给口(151)系配置于比下垂构件之外侧面更靠近外侧。

    微波放射天線、微波電漿源及電漿處理裝置
    8.
    发明专利
    微波放射天線、微波電漿源及電漿處理裝置 审中-公开
    微波放射天线、微波等离子源及等离子处理设备

    公开(公告)号：TW201345325A

    公开(公告)日：2013-11-01

    申请号：TW102110588

    申请日：2013-03-26

    申请人： 東京威力科創股份有限公司 ,  TOKYO ELECTRON LIMITED

    发明人： 池田太郎 ,  IKEDA, TARO ,  小松智仁 ,  KOMATSU, TOMOHITO ,  河西繁 ,  KASAI, SHIGERU ,  中込淳 ,  NAKAGOMI, JUN

    IPC分类号： H05H1/46

    CPC分类号： H01Q1/26 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/3222 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/463

    摘要： 一種用以將傳送於微波傳送路徑之微波放射至腔室內，而產生表面波電漿之微波放射天線，係具有由導體所構成之天線本體、設於天線本體而放射微波之複數槽孔、以及設於天線本體而將處理氣體噴出至腔室內之複數氣體噴出孔，且藉由微波於表面形成金屬表面波，藉由此金屬表面波產生表面波電漿，並以天線本體之金屬表面的至少一部分會從表面波電漿被直流地絕緣之方式設置介電體層。

    简体摘要： 一种用以将发送于微波发送路径之微波放射至腔室内，而产生表面波等离子之微波放射天线，系具有由导体所构成之天线本体、设于天线本体而放射微波之复数槽孔、以及设于天线本体而将处理气体喷出至腔室内之复数气体喷出孔，且借由微波于表面形成金属表面波，借由此金属表面波产生表面波等离子，并以天线本体之金属表面的至少一部分会从表面波等离子被直流地绝缘之方式设置介电体层。