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公开(公告)号：TWI604082B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW103134765
申请日：2014-10-06
发明人： 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
CPC分类号： C23C16/345 , C23C16/45534 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45551 , C23C16/4584 , C23C16/46 , C23C16/505 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228
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公开(公告)号：TWI547586B
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：TW101108695
申请日：2012-03-14
发明人： 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 池內俊之 , IKEUCHI, TOSHIYUKI , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/42 , C23C16/56 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/045 , C23C16/45546 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32779 , H01L21/02337 , H01L21/31116 , H01L21/67109
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公开(公告)号：TWI420574B
公开(公告)日：2013-12-21
申请号：TW100114311
申请日：2011-04-25
发明人： 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI , 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
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公开(公告)号：TWI648771B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW101123577
申请日：2012-06-29
发明人： 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 高木聰 , TAKAGI, SATOSHI , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
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公开(公告)号：TWI557773B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW101139573
申请日：2012-10-25
发明人： 岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/0245 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C30B25/183 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262
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公开(公告)号：TWI497595B
公开(公告)日：2015-08-21
申请号：TW100114481
申请日：2011-04-26
发明人： 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/42
CPC分类号： H01L21/02636 , C23C16/22 , C23C16/24 , C23C16/45525 , C23C16/481 , H01L21/02425 , H01L21/0243 , H01L21/0245 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02592 , H01L21/0262
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公开(公告)号：TW201403674A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102134148
申请日：2011-04-25
发明人： 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI , 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
摘要： 非晶矽膜形成方法包含：藉由加熱基底和流入胺基矽烷基氣體至該加熱之基底上，以在基底的表面上形成晶種層；及藉由加熱基底、供應不含胺基之矽烷基氣體至位在該加熱基底的表面上之晶種層、並熱分解該不含胺基之矽烷基氣體，以於晶種層上形成非晶矽膜。
简体摘要： 非晶硅膜形成方法包含：借由加热基底和流入胺基硅烷基气体至该加热之基底上，以在基底的表面上形成晶种层；及借由加热基底、供应不含胺基之硅烷基气体至位在该加热基底的表面上之晶种层、并热分解该不含胺基之硅烷基气体，以于晶种层上形成非晶硅膜。
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公开(公告)号：TWI577821B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW103126085
申请日：2014-07-30
发明人： 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 高橋和也 , TAKAHASHI, KAZUYA , 小森克彥 , KOMORI, KATSUHIKO , 古澤純和 , FURUSAWA, YOSHIKAZU , 岡田充弘 , OKADA, MITSUHIRO , 林寬之 , HAYASHI, HIROYUKI , 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU
CPC分类号： C23C16/045 , C23C16/24 , H01L21/28556 , H01L21/32055 , H01L21/76876 , H01L21/76877 , H01L2221/1089
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公开(公告)号：TWI562202B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW102134148
申请日：2011-04-25
发明人： 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE , 村上博紀 , MURAKAMI, HIROKI , 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76843 , C23C16/0272 , C23C16/24 , C23C16/52 , H01L21/76876
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公开(公告)号：TWI551716B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW102107327
申请日：2013-03-01
发明人： 柿本明修 , KAKIMOTO, AKINOBU , 中島滋 , NAKAJIMA, SHIGERU , 長谷部一秀 , HASEBE, KAZUHIDE
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/06
CPC分类号： H01L21/67017 , H01L21/0245 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636
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