公开(公告)号：TWI541248B

公开(公告)日：2016-07-11

申请号：TW101118402

申请日：2012-05-23

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 蕭滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷新建 ,  LEI, XINJIAN ,  韓冰 ,  HAN, BING ,  歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  皮爾斯坦 羅納多 馬丁 ,  PEARLSTEIN, RONALD MARTIN ,  何 理查 ,  HO, RICHARD ,  錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN ,  德瑞斯基 科瓦奇 艾格尼斯 ,  DERECSKEI-KOVACS, AGNES

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/30

CPC classification number: C23C16/24 ,  C07F7/025 ,  C07F7/10 ,  C23C16/308 ,  C23C16/32 ,  C23C16/345 ,  C23C16/347 ,  C23C16/401 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/0228

公开(公告)号：TW201623667A

公开(公告)日：2016-07-01

申请号：TW104126300

申请日：2015-08-12

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 李建恒 ,  LI, JIANHENG ,  孟提 雷蒙 尼克勞斯 ,  VRTIS, RAYMOND NICHOLAS ,  瑞吉威 羅伯特 戈登 ,  RIDGEWAY, ROBERT GORDON ,  雷 新建 ,  LEI, XINJIAN ,  歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  江學忠 ,  JIANG, XUEZHONG

IPC: C23C16/00 ,  C23C16/455 ,  C23C16/56 ,  H01L21/312 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/56 ,  H01L51/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02214 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831

Abstract: 本文所述的是藉由將另一薄介電膜，在本文中稱作孔密封層，提供於該多孔低k層的至少一表面上而密封多孔低介電(“低k”)層的細孔以防止下方層的介電常數進一步損失之方法和組合物。有一態樣中，該方法包含：使多孔低介電常數膜與至少一有機矽化合物接觸以提供被吸收的有機矽化合物並且以紫外光、電漿或該二者處理該被吸收的有機矽化合物，而且重複至形成期望厚度的孔密封層為止。

Abstract in simplified Chinese: 本文所述的是借由将另一薄介电膜，在本文中称作孔密封层，提供于该多孔低k层的至少一表面上而密封多孔低介电(“低k”)层的细孔以防止下方层的介电常数进一步损失之方法和组合物。有一态样中，该方法包含：使多孔低介电常数膜与至少一有机硅化合物接触以提供被吸收的有机硅化合物并且以紫外光、等离子或该二者处理该被吸收的有机硅化合物，而且重复至形成期望厚度的孔密封层为止。

公开(公告)号：TWI515325B

公开(公告)日：2016-01-01

申请号：TW102112932

申请日：2013-04-11

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN ,  王美良 ,  WANG, MEILIANG ,  蕭滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷新建 ,  LEI, XINJIAN ,  皮爾斯坦 羅納多 馬丁 ,  PEARLSTEIN, RONALD MARTIN ,  歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  韓冰 ,  HAN, BING

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C07F7/10

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C07F7/10 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

公开(公告)号：TW201343952A

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：TW102112932

申请日：2013-04-11

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN ,  王美良 ,  WANG, MEILIANG ,  蕭滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷新建 ,  LEI, XINJIAN ,  皮爾斯坦 羅納多 馬丁 ,  PEARLSTEIN, RONALD MARTIN ,  歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  韓冰 ,  HAN, BING

IPC: C23C16/40 ,  C23C16/42 ,  C23C16/455 ,  C07F7/10

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C07F7/10 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228

Abstract: 本發明揭示藉由>500℃的溫度形成矽氧化物的原子層沉積(ALD)方法。所用的矽前驅物具有下式：I. R1R2mSi(NR3R4)nXp其中R1、R2及R3係各自獨立地選自氫、線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R4係選自線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基、C3至C10烷基矽烷基；其中R3及R4係連接以形成一環狀環結構或R3及R4沒連接以形成一環狀環結構；X係選自由Cl、Br及I所組成的群組的鹵基；m係0至3；n係0至2；且p係0至2且m+n+p=3；及II. R1R2mSi(OR3)n(OR4)qXp其中R1及R2係各自獨立地選自氫、線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R3及R4係各自獨立地選自線性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；其中R3及R4係連接以形成一環狀環結構或R3及R4沒連接以形成一環狀環結構；X係選自由Cl、Br及I所組成的群組的鹵基；m係0至3；n係0至2；q係0至2且p係0至2且m+n+q+p=3。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示借由>500℃的温度形成硅氧化物的原子层沉积(ALD)方法。所用的硅前驱物具有下式：I. R1R2mSi(NR3R4)nXp其中R1、R2及R3系各自独立地选自氢、线性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R4系选自线性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基、C3至C10烷基硅烷基；其中R3及R4系连接以形成一环状环结构或R3及R4没连接以形成一环状环结构；X系选自由Cl、Br及I所组成的群组的卤基；m系0至3；n系0至2；且p系0至2且m+n+p=3；及II. R1R2mSi(OR3)n(OR4)qXp其中R1及R2系各自独立地选自氢、线性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；R3及R4系各自独立地选自线性或分支C1至C10烷基及C6至C10芳基；其中R3及R4系连接以形成一环状环结构或R3及R4没连接以形成一环状环结构；X系选自由Cl、Br及I所组成的群组的卤基；m系0至3；n系0至2；q系0至2且p系0至2且m+n+q+p=3。

公开(公告)号：TW201722968A

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW106108209

申请日：2014-09-19

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  蕭 滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  雷 新建 ,  LEI, XINJIAN ,  何 理查 ,  HO, RICHARD ,  錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN ,  麥當勞 馬修R ,  MACDONALD, MATTHEW R. ,  王美良 ,  WANG, MEILIANG

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/24

CPC classification number: H01L21/02219 ,  C07F7/10 ,  C09D5/24 ,  C23C16/24 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262

Abstract: 本文描述的是一種用於製備有機胺基矽烷之方法，包括使具有R1R2NH或R1NH2的化學式之胺，其中R1係選自線性或分支C1至C10烷基、線性或分支C3至C10烯基、線性或分支C3至C10炔基、C3至C10環烷基及C5至C10芳基；其中R2係選自氫、線性或分支C1至C10烷基、線性或分支C3至C10烯基、線性或分支C3至C10炔基、C3至C10環烷基及C5至C10芳基，與選自具有以下結構中之至少其一的矽來源： ，在觸媒存在下及有或無有機溶劑的情形下反應，以提供有機胺基矽烷，其中R3和R4係獨立地選自線性或分支C1至C10伸烷基、線性或分支C3至C6伸烯基、線性或分支C3至C6伸炔基、C3至C10伸環烷基、C3至C10伸雜環烷基、C5至C10伸芳基及C5至C10伸雜芳基。

Abstract in simplified Chinese: 本文描述的是一种用于制备有机胺基硅烷之方法，包括使具有R1R2NH或R1NH2的化学式之胺，其中R1系选自线性或分支C1至C10烷基、线性或分支C3至C10烯基、线性或分支C3至C10炔基、C3至C10环烷基及C5至C10芳基；其中R2系选自氢、线性或分支C1至C10烷基、线性或分支C3至C10烯基、线性或分支C3至C10炔基、C3至C10环烷基及C5至C10芳基，与选自具有以下结构中之至少其一的硅来源： ，在触媒存在下及有或无有机溶剂的情形下反应，以提供有机胺基硅烷，其中R3和R4系独立地选自线性或分支C1至C10伸烷基、线性或分支C3至C6伸烯基、线性或分支C3至C6伸炔基、C3至C10伸环烷基、C3至C10伸杂环烷基、C5至C10伸芳基及C5至C10伸杂芳基。

公开(公告)号：TWI466189B

公开(公告)日：2014-12-21

申请号：TW099107076

申请日：2010-03-11

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 楊柳 ,  YANG, LIU ,  蕭滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  卡希爾 柯克 史考特 ,  CUTHILL, KIRK SCOTT ,  韓冰 ,  HAN, BING ,  歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD

IPC: H01L21/316 ,  C07F7/02

CPC classification number: H01L21/02164 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/401 ,  H01L21/0228

公开(公告)号：TWI439565B

公开(公告)日：2014-06-01

申请号：TW098141063

申请日：2009-12-01

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 梅特茲 羅拉 M ,  MATZ, LAURA M. ,  孟提 雷蒙 尼克勞斯 ,  VRTIS, RAYMOND NICHOLAS ,  歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  辛那托爾 迪諾 ,  SINATORE, DINO

IPC: C23C16/42 ,  H01L21/314

CPC classification number: C23C16/32 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835

公开(公告)号：TW201402854A

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：TW102108313

申请日：2013-03-08

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 強生 安德魯 大衛 ,  JOHNSON, ANDREW DAVID ,  馬里卡裘南 艾紐帕馬 ,  MALLIKARJUNAN, ANUPAMA ,  孟提 雷蒙 尼克勞斯 ,  VRTIS, RAYMOND NICHOLAS ,  雷新建 ,  LEI, XINJIAN ,  歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  蕭滿超 ,  XIAO, MANCHAO

IPC: C23C16/34 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L29/78693 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02565 ,  H01L29/247 ,  H01L29/6675

Abstract: 本文描述的是於低溫下形成含矽膜的方法。該等低溫含矽膜具有高於1.9g/cm3的密度；4E22 cm-3的氫含量及於400至700 nm下＞90%的透明度。

Abstract in simplified Chinese: 本文描述的是于低温下形成含硅膜的方法。该等低温含硅膜具有高于1.9g/cm3的密度；4E22 cm-3的氢含量及于400至700 nm下＞90%的透明度。

公开(公告)号：TW201331215A

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：TW102102937

申请日：2013-01-25

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 史賓西 丹尼爾 P ,  SPENCE, DANIEL P. ,  皮爾斯坦 羅納多 馬丁 ,  PEARLSTEIN, RONALD MARTIN ,  雷新建 ,  LEI, XINJIAN ,  蕭滿超 ,  XIAO, MANCHAO ,  何 理查 ,  HO, RICHARD ,  歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  錢德拉 哈里賓 ,  CHANDRA, HARIPIN

IPC: C07F7/10 ,  C23C16/42

CPC classification number: C09D7/1233 ,  C07F7/10 ,  C07F7/188 ,  C09D7/63

Abstract: 本文描述具有下式I的烷氧基胺基矽烷化合物及用於沉積含矽膜的方法和組合物：(R1R2)NSiR3OR4OR5 式(I) 其中R1係獨立地選自線性或分支C1至C10烷基；C2至C12烯基；C2至C12炔基；C4至C10環狀烷基；及C6至C10芳基；R2及R3係各自獨立地選自氫；線性或分支C1至C10烷基；C3至C12烯基、C3至C12炔基、C4至C10環狀烷基及C6至C10芳基；而且R4及R5係各自獨立地選自線性或分支C1至C10烷基；C2至C12烯基；C2至C12炔基；C4至C10環狀烷基；及C6至C10芳基。

Abstract in simplified Chinese: 本文描述具有下式I的烷氧基胺基硅烷化合物及用于沉积含硅膜的方法和组合物：(R1R2)NSiR3OR4OR5 式(I) 其中R1系独立地选自线性或分支C1至C10烷基；C2至C12烯基；C2至C12炔基；C4至C10环状烷基；及C6至C10芳基；R2及R3系各自独立地选自氢；线性或分支C1至C10烷基；C3至C12烯基、C3至C12炔基、C4至C10环状烷基及C6至C10芳基；而且R4及R5系各自独立地选自线性或分支C1至C10烷基；C2至C12烯基；C2至C12炔基；C4至C10环状烷基；及C6至C10芳基。

公开(公告)号：TWI397606B

公开(公告)日：2013-06-01

申请号：TW098114769

申请日：2009-05-04

Applicant: 氣體產品及化學品股份公司 ,  AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

Inventor： 孟提 雷蒙 尼克勞斯 ,  VRTIS, RAYMOND NICHOLAS ,  歐尼爾 馬克 李納德 ,  O'NEILL, MARK LEONARD ,  文生 珍 露薏茲 ,  VINCENT, JEAN LOUISE ,  盧卡斯 亞倫 史考特 ,  LUKAS, AARON SCOTT ,  哈斯 瑪莉 凱絲琳 ,  HAAS, MARY KATHRYN

IPC: C23C16/42 ,  C23C16/40 ,  C07F7/18 ,  C07C13/02 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/401 ,  C23C16/30 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02348 ,  H01L21/31695