利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

25 条记录 (耗时 0.018 秒)

    半導體元件
    6.
    发明专利
    半導體元件 审中-公开
    半导体组件

    公开(公告)号：TW201805966A

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：TW105124934

    申请日：2016-08-05

    申请人： 瑞昱半導體股份有限公司 ,  REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 顏孝璁 ,  YEN, HSIAO-TSUNG ,  羅正瑋 ,  LUO, CHENG-WEI ,  簡育生 ,  JEAN, YUH-SHENG ,  葉達勳 ,  YEH, TA-HSUN

    IPC分类号： H01F27/24 ,  H01L49/02

    CPC分类号： H01F27/2804 ,  H01F17/0006 ,  H01F19/04 ,  H01F27/29 ,  H01F2017/0046 ,  H01F2017/0073 ,  H01F2017/0086 ,  H01F2027/2809 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10

    摘要： 一種半導體元件，包含：一第一螺旋狀線圈，具有一第一端點與一第二端點，以及一第一內部線圈與一第一外部線圈，其中該第一內部線圈位於該第一外部線圈所包圍之一範圍中，且該第一端點及該第二端點位於該第一內部線圈；一第二螺旋狀線圈，與該第一螺旋狀線圈實質上位於同一金屬層；一連接部，連接該第一螺旋狀線圈及該第二螺旋狀線圈；一第一引導線段，連接該第一端點；以及一第二引導線段，連接該第二端點；其中，該第一引導線段及該第二引導線段與該第一螺旋狀線圈製作於不同金屬層。

    简体摘要： 一种半导体组件，包含：一第一螺旋状线圈，具有一第一端点与一第二端点，以及一第一内部线圈与一第一外部线圈，其中该第一内部线圈位于该第一外部线圈所包围之一范围中，且该第一端点及该第二端点位于该第一内部线圈；一第二螺旋状线圈，与该第一螺旋状线圈实质上位于同一金属层；一连接部，连接该第一螺旋状线圈及该第二螺旋状线圈；一第一引导线段，连接该第一端点；以及一第二引导线段，连接该第二端点；其中，该第一引导线段及该第二引导线段与该第一螺旋状线圈制作于不同金属层。

    鰭式場效電晶體及其製造方法
    8.
    发明专利
    鰭式場效電晶體及其製造方法 审中-公开
    鳍式场效应管及其制造方法

    公开(公告)号：TW201810657A

    公开(公告)日：2018-03-16

    申请号：TW105120341

    申请日：2016-06-28

    申请人： 瑞昱半導體股份有限公司 ,  REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 葉達勳 ,  YEH, TA HSUN ,  羅正瑋 ,  LUO, CHENG WEI ,  顏孝璁 ,  YEN, HSIAO TSUNG ,  簡育生 ,  JEAN, YUH SHENG

    IPC分类号： H01L29/40 ,  H01L29/772 ,  H01L21/28

    CPC分类号： H01L27/0886 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/7851

    摘要： 一種鰭式場效電晶體，包含：半導體基板、鰭式結構、閘極介電層、閘極電極結構、汲極結構及源極結構。半導體基板包含絕緣區。鰭式結構延伸設置於半導體基板上，並位於二絕緣區間。閘極介電層設置以橫跨鰭式結構之兩側。閘極電極結構設置於閘極介電層上。汲極結構設置於鰭式結構對應於閘極電極結構之第一側，並與閘極電極結構間具有第一電阻值。源極結構設置於鰭式結構對應於閘極電極結構之第二側，並與閘極電極結構間具有第二電阻值，其中第一電阻值大於第二電阻值。

    简体摘要： 一种鳍式场效应管，包含：半导体基板、鳍式结构、闸极介电层、闸极电极结构、汲极结构及源极结构。半导体基板包含绝缘区。鳍式结构延伸设置于半导体基板上，并位于二绝缘区间。闸极介电层设置以横跨鳍式结构之两侧。闸极电极结构设置于闸极介电层上。汲极结构设置于鳍式结构对应于闸极电极结构之第一侧，并与闸极电极结构间具有第一电阻值。源极结构设置于鳍式结构对应于闸极电极结构之第二侧，并与闸极电极结构间具有第二电阻值，其中第一电阻值大于第二电阻值。

    積體電感結構
    9.
    发明专利
    積體電感結構 审中-公开
    积体电感结构

    公开(公告)号：TW201725684A

    公开(公告)日：2017-07-16

    申请号：TW105100356

    申请日：2016-01-07

    申请人： 瑞昱半導體股份有限公司 ,  REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION

    发明人： 顏孝璁 ,  YEN, HSIAO-TSUNG ,  羅正瑋 ,  LUO, CHENG-WEI ,  簡育生 ,  JEAN, YUH-SHENG ,  葉達勳 ,  YEH, TA-HSUN

    IPC分类号： H01L23/522 ,  H01F17/00

    CPC分类号： H01F17/0006 ,  H01F17/02 ,  H01F27/29 ,  H01F2017/0046 ,  H01F2017/0073 ,  H01F2017/0086 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10

    摘要： 一種8字型積體電感，包含：一第一端點；一第二端點；一第三端點；一跨接結構，包含一第一金屬線段及一第二金屬線段，該第一金屬線段及該第二金屬線段位於半導體結構的不同金屬層，且部分重疊；一第一感應單元，以該第一端點及該第三端點為其兩端，並包含該第一金屬線段；以及一第二感應單元，以該第二端點及該第三端點為其兩端，並包含該第二金屬線段及一第三金屬線段，該第三金屬線段位於不同於該第二金屬線段之金屬層，與該第二感應單元之其他金屬線段互相導通，但不跨越該第一感應單元之金屬線段。

    简体摘要： 一种8字体积体电感，包含：一第一端点；一第二端点；一第三端点；一跨接结构，包含一第一金属线段及一第二金属线段，该第一金属线段及该第二金属线段位于半导体结构的不同金属层，且部分重叠；一第一感应单元，以该第一端点及该第三端点为其两端，并包含该第一金属线段；以及一第二感应单元，以该第二端点及该第三端点为其两端，并包含该第二金属线段及一第三金属线段，该第三金属线段位于不同于该第二金属线段之金属层，与该第二感应单元之其他金属线段互相导通，但不跨越该第一感应单元之金属线段。