公开(公告)号：TW201801262A

公开(公告)日：2018-01-01

申请号：TW106107464

申请日：2017-03-08

申请人： 三星電機股份有限公司 ,  SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.

发明人： 李斗煥 ,  LEE, DOO HWAN ,  金柱賢 ,  KIM, JU HYEON ,  安大圭 ,  AHN, DAE KYU ,  鄭丞洹 ,  JEONG, SUNG WON

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/20 ,  H01L21/486 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/04 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/214 ,  H01L2224/221

摘要： 一種扇出型半導體封裝包括：一第一連接構件，具有一貫穿孔；一半導體晶片，位於貫穿孔中，具有一主動表面與及位於一相對側上的一被動表面，主動表面具有一連接墊。一密封體密封第一連接構件的至少一部分及半導體晶片的至少一部分。一第二連接構件位於第一連接構件及半導體晶片上。第一連接構件及第二連接構件分別包括電性連接至半導體晶片的連接墊的一重佈線層。第二連接構件與密封體之間的介面位於和第二連接構件與第一連接構件的重佈線層之間的介面的水平高度或第二連接構件與半導體晶片的連接墊之間的介面的水平高度不同的水平高度上。

简体摘要： 一种扇出型半导体封装包括：一第一连接构件，具有一贯穿孔；一半导体芯片，位于贯穿孔中，具有一主动表面与及位于一相对侧上的一被动表面，主动表面具有一连接垫。一密封体密封第一连接构件的至少一部分及半导体芯片的至少一部分。一第二连接构件位于第一连接构件及半导体芯片上。第一连接构件及第二连接构件分别包括电性连接至半导体芯片的连接垫的一重布线层。第二连接构件与密封体之间的界面位于和第二连接构件与第一连接构件的重布线层之间的界面的水平高度或第二连接构件与半导体芯片的连接垫之间的界面的水平高度不同的水平高度上。

公开(公告)号：TW201729360A

公开(公告)日：2017-08-16

申请号：TW105104146

申请日：2016-02-05

申请人： 力成科技股份有限公司 ,  POWERTECH TECHNOLOGY INC.

发明人： 洪菁蔚 ,  HUNG, CHING WEI ,  范文正 ,  FAN, WEN JENG

IPC分类号： H01L23/28 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/486 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/04 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/73 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2021/60015 ,  H01L2021/60225 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/2101 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/3511

摘要： 揭示一種扇出型背對背晶片堆疊封裝構造，包含背對背堆疊之一第一晶片與一第二晶片、一封膠層、複數個形成於封膠層中之模封導通孔、一第一重配置線路層以及一第二重配置線路層。封膠層同時包覆第一晶片之側面與第二晶片之側面，並具有不大於晶片堆疊高度之厚度，以顯露第一晶片之第一主動面與第二晶片之第二主動面，封膠層具有由第一主動面擴張之第一周邊表面與由第二主動面擴張之第二周邊表面。第一重配置線路層形成在第一主動面上並延伸至第一周邊表面，以電性連接第一晶片與模封導通孔。第二重配置線路層形成在第二主動面上並延伸至第二周邊表面，以電性連接第二晶片與模封導通孔。因此，提供了多晶片背對背堆疊且降低封裝翹曲的薄型封裝型態。

简体摘要： 揭示一种扇出型背对背芯片堆栈封装构造，包含背对背堆栈之一第一芯片与一第二芯片、一封胶层、复数个形成于封胶层中之模封导通孔、一第一重配置线路层以及一第二重配置线路层。封胶层同时包覆第一芯片之侧面与第二芯片之侧面，并具有不大于芯片堆栈高度之厚度，以显露第一芯片之第一主动面与第二芯片之第二主动面，封胶层具有由第一主动面扩张之第一周边表面与由第二主动面扩张之第二周边表面。第一重配置线路层形成在第一主动面上并延伸至第一周边表面，以电性连接第一芯片与模封导通孔。第二重配置线路层形成在第二主动面上并延伸至第二周边表面，以电性连接第二芯片与模封导通孔。因此，提供了多芯片背对背堆栈且降低封装翘曲的薄型封装型态。

公开(公告)号：TWI538072B

公开(公告)日：2016-06-11

申请号：TW101103356

申请日：2012-02-02

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 林耀劍 ,  LIN, YAOJIAN ,  陳康 ,  CHEN, KANG

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/03003 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/0613 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13021 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/16111 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/76155 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/82005 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/96 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/13015 ,  H01L2224/81

公开(公告)号：TWI488264B

公开(公告)日：2015-06-11

申请号：TW099106845

申请日：2010-03-10

申请人： 史達晶片有限公司 ,  STATS CHIPPAC, LTD.

发明人： 瑪莉姆蘇 潘迪 琪帆 ,  MARIMUTHU, PANDI CHELVAM ,  黃双武 ,  HUANG, SHUANGWU ,  蘇司王上尚爾 納薩彭 ,  SUTHIWONGSUNTHORN, NATHAPONG

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L21/302 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/10125 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/1301 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14104 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/182 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

公开(公告)号：TW201251119A

公开(公告)日：2012-12-16

申请号：TW101114910

申请日：2012-04-26

申请人： 日亞化學工業股份有限公司

发明人： 米田章法 ,  川口浩史 ,  出口宏一郎

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2933/0016 ,  H01L2933/0066

摘要： 為了提供具有厚膜厚的金屬凸塊且可靠性高的氮化物半導體發光元件、以及該氮化物半導體發光元件的生產性得以提升之製造方法,該氮化物半導體發光元件的製造方法係具有以下構成之覆晶式氮化物半導體發光元件的製造方法:氮化物半導體發光元件構造,具有:積層於基板上的n型氮化物半導體層及p型氮化物半導體層、在基板的同一平面側將n側電極連接於n型氮化物半導體層的n側電極連接面、和將p側電極連接於p型氮化物半導體層的p側電極連接面;n側電極,係連接於n側電極連接面;p側電極,係連接於p側電極連接面;及金屬凸塊,係形成於n側電極上及p側電極上;該氮化物半導體發光元件的製造方法係依序進行:保護層形成步驟、第1阻劑圖案形成步驟、保護層蝕刻步驟、第1金屬層形成步驟、第2阻劑圖案形成步驟、第2金屬層形成步驟和阻劑圖案去除步驟。

简体摘要： 为了提供具有厚膜厚的金属凸块且可靠性高的氮化物半导体发光组件、以及该氮化物半导体发光组件的生产性得以提升之制造方法,该氮化物半导体发光组件的制造方法系具有以下构成之覆晶式氮化物半导体发光组件的制造方法:氮化物半导体发光组件构造,具有:积层于基板上的n型氮化物半导体层及p型氮化物半导体层、在基板的同一平面侧将n侧电极连接于n型氮化物半导体层的n侧电极连接面、和将p侧电极连接于p型氮化物半导体层的p侧电极连接面;n侧电极,系连接于n侧电极连接面;p侧电极,系连接于p侧电极连接面;及金属凸块,系形成于n侧电极上及p侧电极上;该氮化物半导体发光组件的制造方法系依序进行:保护层形成步骤、第1阻剂图案形成步骤、保护层蚀刻步骤、第1金属层形成步骤、第2阻剂图案形成步骤、第2金属层形成步骤和阻剂图案去除步骤。

公开(公告)号：TW201214644A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100109012

申请日：2011-03-16

申请人： 東芝股份有限公司

发明人： 瀨田涉二 ,  井熊秀明

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49816 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/525 ,  H01L23/5286 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 一半導體裝置具有半導體基板，其具有設在其頂部表面上之複數個墊片電極且具有約為長方形之形狀；重接線層，其係設有連接至該複數個墊片電極之複數條接觸接線線路，且經由絕緣膜而被設置在該半導體基板上，並具有約為長方形之形狀；及複數個球狀電極，其被設在該重接線層上。在該複數個墊片電極之中的複數個第一墊片電極沿著該半導體基板之第一側而被配置在該半導體基板之外周邊上，在該複數個球狀電極之中的複數個第一球狀電極沿著該第一側被配置在該重接線層之外周邊上，及該複數個第一球狀電極之任一者經由該等接觸接線線路被連接至位在該對應的球狀電極下方之第一墊片電極，且該等第一墊片電極並未被設置在位於該第一側的末端處之第一球狀電極的下方側上。

简体摘要： 一半导体设备具有半导体基板，其具有设在其顶部表面上之复数个垫片电极且具有约为长方形之形状；重接线层，其系设有连接至该复数个垫片电极之复数条接触接线线路，且经由绝缘膜而被设置在该半导体基板上，并具有约为长方形之形状；及复数个球状电极，其被设在该重接线层上。在该复数个垫片电极之中的复数个第一垫片电极沿着该半导体基板之第一侧而被配置在该半导体基板之外周边上，在该复数个球状电极之中的复数个第一球状电极沿着该第一侧被配置在该重接线层之外周边上，及该复数个第一球状电极之任一者经由该等接触接线线路被连接至位在该对应的球状电极下方之第一垫片电极，且该等第一垫片电极并未被设置在位于该第一侧的末端处之第一球状电极的下方侧上。

公开(公告)号：TW201213609A

公开(公告)日：2012-04-01

申请号：TW100124041

申请日：2011-07-07

申请人： 蘭姆研究公司

发明人： 寇力克斯 亞圖 ,  李 威廉T ,  瑞德克 佛禮茲

IPC分类号： C23C ,  B32B

CPC分类号： H01L24/04 ,  H01L21/76849 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 在一實施例中，一種電子裝置的製造方法包含下列步驟：設置一基板；至少在該基板部分上無電沉積一阻障金屬；以及使用例如無電沉積的溼式化學，將具有焊料潤溼性的一實質上無金潤溼層沉積到該阻障金屬上。在一實施例中，一種電子裝置包含一金屬化堆疊。該金屬化堆疊包含無電沉積的一阻障金屬以及沉積在該阻障金屬上的一實質上無金潤溼層，以及該潤溼層可被焊料潤溼。

简体摘要： 在一实施例中，一种电子设备的制造方法包含下列步骤：设置一基板；至少在该基板部分上无电沉积一阻障金属；以及使用例如无电沉积的湿式化学，将具有焊料润湿性的一实质上无金润湿层沉积到该阻障金属上。在一实施例中，一种电子设备包含一金属化堆栈。该金属化堆栈包含无电沉积的一阻障金属以及沉积在该阻障金属上的一实质上无金润湿层，以及该润湿层可被焊料润湿。

公开(公告)号：TW201114010A

公开(公告)日：2011-04-16

申请号：TW099116294

申请日：2010-05-21

申请人： 國立大學法人東北大學 ,  豐田自動車股份有限公司

发明人： 田中秀治 ,  江刺正喜 ,  室山真德 ,  松崎榮 ,  卷幡光俊 ,  野野村裕 ,  藤吉基弘 ,  中山貴裕 ,  山口宇唯 ,  山田整

IPC分类号： H01L ,  G01L

CPC分类号： B81C1/00238 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/012 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/032 ,  B81C2203/0792 ,  G01L1/146 ,  G01L1/148 ,  G01L5/228 ,  H01L23/10 ,  H01L24/04 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一種將具備有接觸感測面之感測構造部(300)與對該感測訊號作處理之訊號處理LSI部(420)封裝化之技術。感測構造部(300)係具備有接觸感測面與感測電極(320、330)。在半導體基板(400)處,係被作入有訊號處理用積體電路(420)。經由接著層(500)來將感測構造部(300)與半導體基板(400)相接合,感測裝置(200)係被單一晶片化。感測電極(320、330)與積體電路(420),係被密封於感測裝置(200)之內側,感測電極(320、330)以及積體電路(420)之外部端子,係經由半導體基板(400)之側面而被拉出至半導體基板(400)之背面處。

简体摘要： 提供一种将具备有接触传感面之传感构造部(300)与对该传感信号作处理之信号处理LSI部(420)封装化之技术。传感构造部(300)系具备有接触传感面与传感电极(320、330)。在半导体基板(400)处,系被作入有信号处理用集成电路(420)。经由接着层(500)来将传感构造部(300)与半导体基板(400)相接合,传感设备(200)系被单一芯片化。传感电极(320、330)与集成电路(420),系被密封于传感设备(200)之内侧,传感电极(320、330)以及集成电路(420)之外部端子,系经由半导体基板(400)之侧面而被拉出至半导体基板(400)之背面处。

公开(公告)号：TW201810450A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：TW106120272

申请日：2017-06-16

申请人： 吉帝偉士股份有限公司 ,  J-DEVICES CORPORATION

发明人： 町田紘一 ,  MACHIDA, HIROKAZU ,  北野一彥 ,  KITANO, KAZUHIKO

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L23/142 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/4846 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/544 ,  H01L23/552 ,  H01L24/03 ,  H01L24/04 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/03914 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/11013 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/0665

摘要： 在此提供一種具備高良率之半導體封裝件之製造方法。關於本發明之一實施型態之半導體封裝件之製造方法包含以下步驟。蝕刻基材之第一面及位於第一面與第二面間之側面部，且於第一面及側面部附著相異於金屬之其他金屬。此基材包含至少一種類之金屬且具有相對之第一面及第二面。於基材之第二面以外部端子非朝向第二面之方式配置具備外部端子之半導體裝置。形成樹脂絕緣層以覆蓋半導體裝置。於樹脂絕緣層上形成第一導電層。於第一導電層及樹脂絕緣層形成開口部以露出外部端子。於基材之第一面與側面部、於第一導電層上及於開口部內形成鍍覆層。

简体摘要： 在此提供一种具备高良率之半导体封装件之制造方法。关于本发明之一实施型态之半导体封装件之制造方法包含以下步骤。蚀刻基材之第一面及位于第一面与第二面间之侧面部，且于第一面及侧面部附着相异于金属之其他金属。此基材包含至少一种类之金属且具有相对之第一面及第二面。于基材之第二面以外部端子非朝向第二面之方式配置具备外部端子之半导体设备。形成树脂绝缘层以覆盖半导体设备。于树脂绝缘层上形成第一导电层。于第一导电层及树脂绝缘层形成开口部以露出外部端子。于基材之第一面与侧面部、于第一导电层上及于开口部内形成镀覆层。

公开(公告)号：TW201735289A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105108252

申请日：2016-03-17

申请人： 瑞昱半導體股份有限公司 ,  REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION

发明人： 顏孝璁 ,  YEN, HSIAO-TSUNG ,  蔡志育 ,  TSAI, CHIH-YU ,  羅正瑋 ,  LUO, CHENG-WEI

IPC分类号： H01L23/34 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/3677 ,  H01L23/36 ,  H01L23/373 ,  H01L24/04 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48245

摘要： 本發明揭露了一種用於半導體裝置之接合線式散熱結構，其一實施例包含：一半導體基板；一熱源，位於該半導體基板或屬於該半導體基板，包含至少一熱點；至少一熱導層；至少一熱導體，用來連接該至少一熱點與該至少一熱導層；至少一散熱體，處於一電性浮接狀態；以及至少一接合線，用來連接該至少一熱導層與該至少一散熱體，藉此將該熱源之熱傳導至該散熱體。

简体摘要： 本发明揭露了一种用于半导体设备之接合线式散热结构，其一实施例包含：一半导体基板；一热源，位于该半导体基板或属于该半导体基板，包含至少一热点；至少一热导层；至少一热导体，用来连接该至少一热点与该至少一热导层；至少一散热体，处于一电性浮接状态；以及至少一接合线，用来连接该至少一热导层与该至少一散热体，借此将该热源之热传导至该散热体。