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公开(公告)号：TW201530761A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103139943
申请日：2014-11-18
发明人： 沼部英雄 , NUMABE, HIDEO , 白井伸幸 , SHIRAI, NOBUYUKI , 加藤浩一 , KATO, HIROKAZU , 宇野友彰 , UNO, TOMOAKI , 梅津和之 , UMEZU, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L23/535 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1033 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本發明係於形成於半導體基板SUB之槽TR1內之下部形成有控制電極GE1，且於槽TR1內之上部形成有閘極電極GE2。於槽TR1之側壁及底面與控制電極GE1之間形成有絕緣膜G1，於槽TR1之側壁與閘極電極GE2之間形成有絕緣膜G2，且於控制電極GE1與閘極電極GE2之間形成有絕緣膜G3。於與槽TR1鄰接之區域，存在有源極用之n+型半導體區域NR、通道形成用之p型半導體區域PR及汲極用之半導體區域。連接於控制電極GE1之配線未與連接於閘極電極GE2之配線相連，且未與連接於源極用之n+型半導體區域NR之配線相連。
简体摘要： 本发明系于形成于半导体基板SUB之槽TR1内之下部形成有控制电极GE1，且于槽TR1内之上部形成有闸极电极GE2。于槽TR1之侧壁及底面与控制电极GE1之间形成有绝缘膜G1，于槽TR1之侧壁与闸极电极GE2之间形成有绝缘膜G2，且于控制电极GE1与闸极电极GE2之间形成有绝缘膜G3。于与槽TR1邻接之区域，存在有源极用之n+型半导体区域NR、信道形成用之p型半导体区域PR及汲极用之半导体区域。连接于控制电极GE1之配线未与连接于闸极电极GE2之配线相连，且未与连接于源极用之n+型半导体区域NR之配线相连。
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公开(公告)号：TWI620321B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103139943
申请日：2014-11-18
发明人： 沼部英雄 , NUMABE, HIDEO , 白井伸幸 , SHIRAI, NOBUYUKI , 加藤浩一 , KATO, HIROKAZU , 宇野友彰 , UNO, TOMOAKI , 梅津和之 , UMEZU, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L23/535 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1033 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
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