-
公开(公告)号：TW201530761A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103139943
申请日：2014-11-18
发明人： 沼部英雄 , NUMABE, HIDEO , 白井伸幸 , SHIRAI, NOBUYUKI , 加藤浩一 , KATO, HIROKAZU , 宇野友彰 , UNO, TOMOAKI , 梅津和之 , UMEZU, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L23/535 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1033 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本發明係於形成於半導體基板SUB之槽TR1內之下部形成有控制電極GE1，且於槽TR1內之上部形成有閘極電極GE2。於槽TR1之側壁及底面與控制電極GE1之間形成有絕緣膜G1，於槽TR1之側壁與閘極電極GE2之間形成有絕緣膜G2，且於控制電極GE1與閘極電極GE2之間形成有絕緣膜G3。於與槽TR1鄰接之區域，存在有源極用之n+型半導體區域NR、通道形成用之p型半導體區域PR及汲極用之半導體區域。連接於控制電極GE1之配線未與連接於閘極電極GE2之配線相連，且未與連接於源極用之n+型半導體區域NR之配線相連。
简体摘要： 本发明系于形成于半导体基板SUB之槽TR1内之下部形成有控制电极GE1，且于槽TR1内之上部形成有闸极电极GE2。于槽TR1之侧壁及底面与控制电极GE1之间形成有绝缘膜G1，于槽TR1之侧壁与闸极电极GE2之间形成有绝缘膜G2，且于控制电极GE1与闸极电极GE2之间形成有绝缘膜G3。于与槽TR1邻接之区域，存在有源极用之n+型半导体区域NR、信道形成用之p型半导体区域PR及汲极用之半导体区域。连接于控制电极GE1之配线未与连接于闸极电极GE2之配线相连，且未与连接于源极用之n+型半导体区域NR之配线相连。
-
公开(公告)号：TWI575704B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW104139233
申请日：2012-06-29
发明人： 宇野友彰 , UNO, TOMOAKI , 女屋佳隆 , ONAYA, YOSHITAKA , 加藤浩一 , KATO, HIROKAZU , 工藤良太郎 , KUDO, RYOTARO , 七種耕治 , SAIKUSA, KOJI , 船津勝彥 , FUNATSU, KATSUHIKO
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
-
公开(公告)号：TW201611230A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW104139233
申请日：2012-06-29
发明人： 宇野友彰 , UNO, TOMOAKI , 女屋佳隆 , ONAYA, YOSHITAKA , 加藤浩一 , KATO, HIROKAZU , 工藤良太郎 , KUDO, RYOTARO , 七種耕治 , SAIKUSA, KOJI , 船津勝彥 , FUNATSU, KATSUHIKO
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本發明公開了一種提高半導體裝置可靠性之方法。在一個半導體晶片CPH內形成有開關用功率MOSFET、及用於偵測流經前述功率MOSFET之電流且面積比前述功率MOSFET小之感應MOSFET，而且，前述半導體晶片CPH經由導電性接合材料搭載於晶片搭載部上，且被樹脂密封。其中，在半導體晶片CPH之主表面上，形成有感應MOSFET之感應MOSFET區域RG2位於感應MOSFET之源極用焊墊PDHS4之內側。而且，在半導體晶片CPH之主表面上，感應MOSFET區域RG2由形成有功率MOSFET之區域所包圍。
简体摘要： 本发明公开了一种提高半导体设备可靠性之方法。在一个半导体芯片CPH内形成有开关用功率MOSFET、及用于侦测流经前述功率MOSFET之电流且面积比前述功率MOSFET小之感应MOSFET，而且，前述半导体芯片CPH经由导电性接合材料搭载于芯片搭载部上，且被树脂密封。其中，在半导体芯片CPH之主表面上，形成有感应MOSFET之感应MOSFET区域RG2位于感应MOSFET之源极用焊垫PDHS4之内侧。而且，在半导体芯片CPH之主表面上，感应MOSFET区域RG2由形成有功率MOSFET之区域所包围。
-
公开(公告)号：TWI620321B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW103139943
申请日：2014-11-18
发明人： 沼部英雄 , NUMABE, HIDEO , 白井伸幸 , SHIRAI, NOBUYUKI , 加藤浩一 , KATO, HIROKAZU , 宇野友彰 , UNO, TOMOAKI , 梅津和之 , UMEZU, KAZUYUKI
IPC分类号： H01L29/772
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L23/535 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1033 , H01L29/407 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/40245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
-
公开(公告)号：TWI520300B
公开(公告)日：2016-02-01
申请号：TW101123639
申请日：2012-06-29
发明人： 宇野友彰 , UNO, TOMOAKI , 女屋佳隆 , ONAYA, YOSHITAKA , 加藤浩一 , KATO, HIROKAZU , 工藤良太郎 , KUDO, RYOTARO , 七種耕治 , SAIKUSA, KOJI , 船津勝彥 , FUNATSU, KATSUHIKO
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
-
公开(公告)号：TW201310604A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101123639
申请日：2012-06-29
发明人： 宇野友彰 , UNO, TOMOAKI , 女屋佳隆 , ONAYA, YOSHITAKA , 加藤浩一 , KATO, HIROKAZU , 工藤良太郎 , KUDO, RYOTARO , 七種耕治 , SAIKUSA, KOJI , 船津勝彥 , FUNATSU, KATSUHIKO
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/3107 , H01L23/4824 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/37011 , H01L2224/371 , H01L2224/37124 , H01L2224/37147 , H01L2224/37599 , H01L2224/40095 , H01L2224/40245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/351 , H02M3/1588 , H02M2001/0009 , Y02B70/1466 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本發明公開了一種提高半導體裝置可靠性之方法。在一個半導體晶片CPH內形成有開關用功率MOSFET、及用於偵測流經前述功率MOSFET之電流且面積比前述功率MOSFET小之感應MOSFET，而且，前述半導體晶片CPH經由導電性接合材料搭載於晶片搭載部上，且被樹脂密封。其中，在半導體晶片CPH之主表面上，形成有感應MOSFET之感應MOSFET區域RG2位於感應MOSFET之源極用焊墊PDHS4之內側。而且，在半導體晶片CPH之主表面上，感應MOSFET區域RG2由形成有功率MOSFET之區域所包圍。
简体摘要： 本发明公开了一种提高半导体设备可靠性之方法。在一个半导体芯片CPH内形成有开关用功率MOSFET、及用于侦测流经前述功率MOSFET之电流且面积比前述功率MOSFET小之感应MOSFET，而且，前述半导体芯片CPH经由导电性接合材料搭载于芯片搭载部上，且被树脂密封。其中，在半导体芯片CPH之主表面上，形成有感应MOSFET之感应MOSFET区域RG2位于感应MOSFET之源极用焊垫PDHS4之内侧。而且，在半导体芯片CPH之主表面上，感应MOSFET区域RG2由形成有功率MOSFET之区域所包围。
-
-
-
-
-
搜索结果
6 条记录 (耗时 0.024 秒)
